公开(公告)号：JP2021197525A

公开(公告)日：2021-12-27

申请号：JP2020105121

申请日：2020-06-18

申请人： ミツミ電機株式会社

发明人： 矢田郷 昌稔 ,  白石 尚寛 ,  近藤 勝則 ,  渡部 憲佳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 【課題】飽和電圧を調整しやすく、特性のばらつきを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主面に設けられた第1、第2のトレンチと、第1のトレンチと第2のトレンチとの間で主面に設けられた第2導電型の第1の半導体層と、主面の第1の半導体層との間で第1のトレンチを挟み、第1のトレンチに接する第1導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層の下に設けられ、第2の半導体層及び第1のトレンチに接する第2導電型の第3の半導体層と、第3の半導体層の下に設けられ、第3の半導体層に接し、かつ第1のトレンチから離間している第1導電型の第4の半導体層と、主面の前記第1の半導体層との間で第2のトレンチを挟む第2導電型の第5の半導体層と、絶縁膜を介して第1のトレンチ内に設けられたゲートトレンチ電極と、絶縁膜を介して第2のトレンチ内に設けられたエミッタトレンチ電極と、を有する。 【選択図】図2