公开(公告)号：JP2007525564A

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：JP2006526592

申请日：2004-09-17

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： ゲルハルト、アンヤ ,  シュタイガー、ユルゲン ,  シュルテ、ニールス ,  ビュスインク、アルネ ,  ファルコウ、アウレリー ,  ベッカー、ハインリッヒ ,  ホイン、スザンヌ

IPC: C08G61/12 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08L65/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/122 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5036 ,  Y02E10/549

Abstract: 本発明は、青色発光繰り返し単位、緑色発光繰り返し単位および赤色発光繰り返し単位を組み合わせることにより得られる白色発光コポリマーに関する。 本発明のコポリマーは、ポリマー有機発光ダイオードにおいて用いられる際に、従来技術において知られる材料と比較して、改善されたコーティング性および改善された効率により特徴付けられる。

公开(公告)号：JP4588999B2

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：JP2003541077

申请日：2002-10-25

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： ヴィーナー、マンフレッド ,  シュタイガー、ユルゲン ,  フェストヴェバー、ホルスト ,  ホイン、スザンネ ,  マテウス、アンドレア

IPC: G02B5/20 ,  B05D3/02 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0038 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP5133562B2

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：JP2006525128

申请日：2004-09-04

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： パルハム、アミール ,  ファルコウ、アオレリー ,  ホイン、スザンヌ ,  シュタイガー、ユルゲン ,  メーアホルツ、クラウス ,  ミューラー、デイビッド・クリストフ

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31511

Abstract: The invention relates to electronic devices whose electronic properties can surprisingly be improved to a significant degree by inserting at least one crosslinkable polymeric buffer layer, preferably a cationically crosslinkable polymeric buffer layer, between the conductive doped polymer and the organic semiconductor layer. Particularly good properties are obtained with a buffer layer in which crosslinking is thermally induced, i.e. by raising the temperature to 50 to 250° C. Alternatively, crosslinking can be radiation-induced by adding a photoacid. Moreover, such a buffer layer can be advantageously applied by means of printing techniques, especially inkjet printing, as the ideal temperature for the thermal treatment is independent of the glass transition temperature of the material. This avoids having to rely on material that has a low molecular weight, making it possible to apply the layer by means of printing techniques. The next layer (the organic semiconductor layer) can also be applied with the aid of different printing techniques, particularly inkjet printing, because the buffer layer is rendered insoluble by the crosslinking process, thus preventing the buffer layer from solubilizing thereafter.

公开(公告)号：JP2007504656A

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：JP2006525128

申请日：2004-09-04

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： シュタイガー、ユルゲン ,  パルハム、アミール ,  ファルコウ、アオレリー ,  ホイン、スザンヌ ,  ミューラー、デイビッド・クリストフ ,  メーアホルツ、クラウス

IPC: H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L51/0015 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0059 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31511

Abstract: The invention relates to electronic devices whose electronic properties can surprisingly be improved to a significant degree by inserting at least one crosslinkable polymeric buffer layer, preferably a cationically crosslinkable polymeric buffer layer, between the conductive doped polymer and the organic semiconductor layer. Particularly good properties are obtained with a buffer layer in which crosslinking is thermally induced, i.e. by raising the temperature to 50 to 250° C. Alternatively, crosslinking can be radiation-induced by adding a photoacid. Moreover, such a buffer layer can be advantageously applied by means of printing techniques, especially inkjet printing, as the ideal temperature for the thermal treatment is independent of the glass transition temperature of the material. This avoids having to rely on material that has a low molecular weight, making it possible to apply the layer by means of printing techniques. The next layer (the organic semiconductor layer) can also be applied with the aid of different printing techniques, particularly inkjet printing, because the buffer layer is rendered insoluble by the crosslinking process, thus preventing the buffer layer from solubilizing thereafter.

公开(公告)号：JP5393948B2

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：JP2006526592

申请日：2004-09-17

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： ファルコウ、アウレリー ,  ビュスインク、アルネ ,  ホイン、スザンヌ ,  シュタイガー、ユルゲン ,  ゲルハルト、アンヤ ,  シュルテ、ニールス ,  ベッカー、ハインリッヒ

IPC: C08G61/12 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08L65/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/0043 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  C08G61/122 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/5036 ,  Y02E10/549

公开(公告)号：JP5019454B2

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：JP2007512062

申请日：2005-05-10

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： シュタイガー、ユルゲン ,  シュプライツァー、フベルト

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0007 ,  C09K11/025 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: Solutions comprising: (i) at least one organic semiconductor, (ii) at least one organic solvent A having a boiling point, and (iii) at least one organic solvent B having a boiling point; wherein the at least one organic semiconductor comprises at least one high molecular weight component, wherein the at least one organic solvent A is a good solvent for the at least one organic semiconductor, wherein the at least one organic solvent B is a poor solvent for the at least one organic semiconductor; and wherein the boiling point of the at least one solvent A is greater than the boiling point of the at least one solvent B; and the use of such solutions in processes for forming organic semiconductor layers on substrates and devices formed by such processes.

公开(公告)号：JP2008503870A

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：JP2007512062

申请日：2005-05-10

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： シュタイガー、ユルゲン ,  シュプライツァー、フベルト

IPC: H01L51/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/0007 ,  C09K11/025 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本発明は、少なくとも２種の異なる有機溶媒ＡおよびＢの溶媒混合物中に、少なくとも１種の高分子成分を含む少なくとも１種の有機半導体の溶液に関し、ここで、溶媒Ａは、有機半導体の良溶媒であり、溶媒Ｂは、有機半導体の貧溶媒である。 本発明は、溶媒の沸点（ＢＰ）について、以下が当てはまる、すなわち、ＢＰ（Ａ）＞ＢＰ（Ｂ）ことを特徴とする。 本発明は、また、特に電子産業における使用のために、基材上に有機半導体層を製造するための前記溶液の使用に関する。