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公开(公告)号：JPWO2019181732A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2019010554
申请日：2019-03-14
Applicant: リンテック株式会社
IPC: C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/683 , C09J7/38
Abstract: 【課題】 本発明は、特に先ダイシング法を採用した微小半導体チップの製造時に、バックグラインドテープ10からピックアップテープ30または接着テープへのチップ21の転写不良を低減することを目的としている。また、バックグラインドテープ10からピックアップテープ30または接着テープへのチップの転写効率を改善することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係る粘着テープ10は、上記バックグラインドテープとし て好ましく用いられ、基材11と、その片面に設けられた粘着剤層12とを含み、 前記粘着剤層12が、エネルギー線硬化性粘着剤からなり、 前記粘着剤層12にシリコンウエハ鏡面を貼付後、粘着剤層にエネルギー線照射して硬化し、さらに圧力0.5N/cm 2 、210℃で5秒間熱圧着した後の23℃における粘着力 が9.0N/25mm以下であることを特徴としている。 【選択図】 図5
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公开(公告)号：JP6566365B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2016571912
申请日：2016-01-12
Applicant: リンテック株式会社
IPC: C09J133/06 , C09J115/00 , C09J175/04 , B32B27/00 , C09J7/29
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公开(公告)号：JP2018115332A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2018053332
申请日：2018-03-20
Applicant: リンテック株式会社
IPC: C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/301 , C09J7/20
Abstract: 【課題】先ダイシング法を採用した微小半導体チップの製造時に、ピックアップテープからのチップの転写不良を低減する、バックグラインド用の粘着テープの提供。 【解決手段】基材と、その片面に設けられた粘着剤層とを含み、前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤からなり、エネルギー線照射して硬化した後の粘着剤の200℃における貯蔵弾性率E’ 200 が1.5MPa以上である粘着テープ10。半導体ウエハの裏面を研削、チップに個片化する半導体装置の製造方法において、バックグラインドテープとして使用される、前記粘着テープ10。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2021037624A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019158473
申请日：2019-08-30
Applicant: リンテック株式会社
Inventor： 小升 雄一朗
IPC: B32B27/20 , C09J7/38 , C09J201/00 , B32B27/00
Abstract: 【課題】エネルギー線硬化前に、エネルギー線硬化性粘着剤の成分が保護膜形成用フィルムに移行することを抑制することができ、保護膜付き半導体チップを支持シートからピックアップする際に、半導体チップと保護膜との間で剥離することなく、保護膜付き半導体チップを支持シートから剥離することが可能な保護膜形成用複合シートの提供。 【解決手段】基材を備え、前記基材の一方の面上に、エネルギー線硬化性粘着剤層及び保護膜形成用フィルムがこの順に、互いに接触して積層されており、前記粘着剤層のゲル分率が80%以上であるか、又は前記粘着剤層のゲル分率が20%以上80%未満であって、前記保護膜形成用フィルムのガラス転移温度が3℃以上である、保護膜形成用複合シート。 【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017061132A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2016059803
申请日：2016-03-28
Applicant: リンテック株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J201/00 , C09J133/00 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C08F2/46 , C09J7/20 , C09J7/385 , C09J133/14 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L2221/68381 , C08F2220/343 , C08F2220/1875 , C08F220/20
Abstract: 本発明の半導体加工用シートは、基材と、前記基材の一方の面の上に設けられる凹凸吸収層と、前記凹凸吸収層の上に設けられる粘着剤層とを備え、前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤からなり、前記粘着剤層のエネルギー線硬化後の破断応力が10MPa以上である。
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公开(公告)号：JPWO2016175112A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017515510
申请日：2016-04-21
Applicant: リンテック株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J4/02 , C09J7/20 , C09J11/02 , C09J175/04 , C09J175/14 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J175/04 , C09J175/16
Abstract: 本発明のワーク加工用粘着テープは、基材と、前記基材の一方の面側に設けられる粘着剤層と備え、前記粘着剤層が、ウレタン系樹脂(A)と、前記ウレタン系樹脂(A)に非反応で、かつ光重合性不飽和結合を有し、分子量が35,000以下であるエネルギー線硬化性化合物(B)とを含む。
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公开(公告)号：JPWO2019181731A1
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：JP2019010553
申请日：2019-03-14
Applicant: リンテック株式会社
IPC: C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304 , C09J7/38
Abstract: 【課題】 本発明は、特に先ダイシング法を採用した微小半導体チップの製造時に、バックグラインドテープ10からピックアップテープ30または接着テープへのチップ21の転写不良を低減することを目的としている。また、バックグラインドテープ10からピックアップテープ30または接着テープへのチップの転写効率を改善することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係る粘着テープ10は、上記バックグラインドテープとして好ましく用いられ、基材11と、その片面に設けられた粘着剤層12とを含み、 前記粘着剤層12が、エネルギー線硬化性粘着剤からなり、 エネルギー線照射して硬化した後の粘着剤の200℃における貯蔵弾性率E’ 200 が1.5MPa以上であることを特徴としている。 【選択図】 図5
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公开(公告)号：JP6875011B2
公开(公告)日：2021-05-19
申请号：JP2018540641
申请日：2017-06-22
Applicant: リンテック株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J133/04 , H01L21/304 , C09J7/38
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