半導体モジュールの接合層、半導体モジュール及びその製造方法

    公开(公告)号:JP2019129214A

    公开(公告)日:2019-08-01

    申请号:JP2018009471

    申请日:2018-01-24

    Abstract: 【課題】接合時に電子部品及び基板に対する密着性に優れ、接合強度が高く、接合後に高温雰囲気に晒されても再溶融せず、また電子部品及び/又は基板が発熱と冷却を反復したときに生じるクラックで電子部品を損傷させない。 【解決手段】電子部品と基板の間に介在しCuSn金属間化合物により構成された半導体モジュールの接合層である。この接合層の中心部から電子部品の 端部の接合部 にかけてSnの組成割合が増加するように構成される。CuコアSnシェル粉末を含むペーストを電子部品と基板の間に介在させ、この介在させた状態で、不活性雰囲気又は還元性雰囲気下、電子部品及び/又は基板に1MPa〜30MPaの圧力を加えかつ250℃〜350℃の温度で1分〜10分間加熱して、電子部品を基板に接合することにより、半導体モジュールを製造する。 【選択図】 図3

    接合用粉末及びその製造方法
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018135553A

    公开(公告)日:2018-08-30

    申请号:JP2017029693

    申请日:2017-02-21

    Abstract: 【課題】粉末保管時に中心核の銅又はニッケルの被覆層への拡散やこの被覆層の錫の中心核への拡散が抑制された接合用粉末及びその製造方法の提供。 【解決手段】銅又はニッケルの金属からなる中心核11と中心核11を被覆する錫からなる被覆層12により構成され、中心核11と被覆層12の間にポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール又はポリアクリル酸からなる高分子中間層13が形成される接合用粉末10。ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール又はポリアクリル酸からなる分散剤とした高分子の溶液と銅又はニッケルの金属粉末を混合して、金属粉末分散液を調整し、金属粉末分散液に錫イオン溶液を混合して混合液を作成し、更に還元剤溶液を混合し、錫を還元して、銅又はニッケルの金属からなる中心核11を高分子中間膜層13が覆いその上に錫12が被覆する接合用粉末10の合成方法。 【選択図】図1

    接合用粉末及びこの粉末を用いた接合用ペースト

    公开(公告)号:JP2019072724A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:JP2017198389

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 【課題】フラックス中のロジンの使用比率を低減しても比較的高温のリフロー及び比較的高温の使用環境で高い接合強度が得られ、リフロー後のフラックスの残渣が減少する接合用粉末及び接合用ペーストを提供する。 【解決手段】錫の含有割合が40質量%以上60質量%以下であって、銅の含有割合が40質量%以上60質量%以下である錫と銅を含む母体粉末の表面がギ酸錫及びギ酸銅の層で被覆された錫系接合用粉末である。母体粉末が銅と錫との金属間化合物であることが好ましく、或いは母体粉末が銅からなる中心核と前記中心核を被覆する銅と錫との金属間化合物からなる被覆層で構成されることが好ましい。接合用ペーストはこの接合用粉末とフラックスを含み、フラックス中、ロジンを0質量%以上2質量%以下の割合で含む。 【選択図】図1

    接合用粉末及びこの粉末の製造方法並びにこの粉末を用いた接合用ペーストの製造方法

    公开(公告)号:JP2017177156A

    公开(公告)日:2017-10-05

    申请号:JP2016067249

    申请日:2016-03-30

    Abstract: 【課題】従来の遷移的液相焼結接合法で必要とされる温度と時間よりも低い温度と短い時間で接合可能であって、接合後、再溶融及び接合強度の低下が起こり難く、特に高温雰囲気に晒される電子部品等の実装に好適な接合用粉末及びこの粉末を用いた接合用ペーストを提供する。 【解決手段】接合用粉末は、中心核11とこの中心核11を被覆する被覆層12とにより構成される。中心核11が銅と錫との金属間化合物であるCu 3 Snからなり、被覆層12が、錫からなる一層により構成されるか、或いは銅と錫との金属間化合物であるCu 6 Sn 5 からなる内層及び錫からなる外層の二層により構成される。接合用粉末の平均粒径が1μm以上30μm以下であり、接合用粉末の全体量100質量%に対して銅の含有割合が52質量%以上60質量%以下である。 【選択図】図1

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