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公开(公告)号：JPWO2006132351A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：JP2007520178
申请日：2006-06-09
Applicant: 日立化成工業株式会社 , 三菱電機株式会社
CPC classification number: G02B1/113
Abstract: 本発明は、ガラス体の表面上に形成されている反射防止膜の前駆体を含む塗膜の焼結処理と、ガラス体の強化処理とが同時に行われる工程を有する反射防止膜の形成方法を提供する。これにより、十分に低コストで反射防止膜を形成できる。
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公开(公告)号：JPWO2006120736A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：JP2007526727
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04 , C09K3/14
CPC classification number: B28D5/007 , B28D5/045 , C09K3/1463 , Y02P70/179
Abstract: 太陽電池の作製時での基板破損が少ない厚さの薄いシリコンウェハに製造できるシリコンブロックを提供するために、砥粒及び塩基性物質を含有するシリコンインゴット切断用スラリーを用いてシリコンインゴットを切断してシリコンブロックを製造する製造方法において、上記塩基性物質の含有量が、上記スラリーの液体成分全体の質量に対して少なくとも3.5質量%であり、上記スラリーが、上記スラリーの液体成分中の水分に対して質量比で0.5以上、5.0以下の有機アミンを含有し、上記スラリーのpHが12以上および上記スラリーを65℃以上、95℃以下で使用する。
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公开(公告)号：JPWO2006120735A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：JP2007526726
申请日：2005-05-11
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022458 , H01L31/048 , H01L31/0516 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 半導体基板の受光面に形成される上記半導体基板とは逆型の半導体層と、上記受光面とは反対の裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極と、上記裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極とは電気的に絶縁する上記半導体基板とは同型の電極と、上記受光面の半導体層と上記裏面に形成される上記受光面の半導体層とは同型の半導体層の電極とを電気的に接続する上記受光面の半導体層とは同型の半導体層と、を備える。
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公开(公告)号：JP3578539B2
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：JP2268396
申请日：1996-02-08
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L21/318 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022458 , H01L31/02363 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2014024297A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：JP2014529215
申请日：2012-08-09
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本願は、第1導電型の半導体基板(2)の一面側の一部に、第2導電型の不純物元素を含有するペースト(21)を塗布する第1工程と、処理室内において第2導電型の不純物元素を含有しないガスの雰囲気下における第1熱処理を半導体基板に施して半導体基板におけるペーストの下部領域にペーストから第2導電型の不純物元素を拡散させることにより、第2導電型の不純物元素が第1の濃度で拡散された第1不純物拡散層(3a)を半導体基板のペーストの下部領域に形成する第2工程と、処理室内において第2導電型の不純物元素を含有するドーパント含有ガスの雰囲気下における第2熱処理を第1熱処理に連続して半導体基板に施して半導体基板の一面側におけるペーストの塗布されていない露出領域にドーパント含有ガスから第2導電型の不純物元素を拡散させることにより、第2導電型の不純物元素が第1の濃度よりも低い第2の濃度で拡散された第2不純物拡散層(3b)を露出領域に形成する第3工程とを含むことにより、容易に選択エミッタ構造を実現することができる。
Abstract translation: 此应用程序是所述第一导电型半导体衬底（2），将含有第二导电类型的杂质元素，在处理腔室中的第二导电类型的膏（21）的第一步骤的一个表面的一部分 通过在不含杂质元素的气体的气氛中第一次热处理是从进行所述半导体基板的粘贴膏的下部区域在半导体衬底扩散第二导电型的杂质元素，第二导电类型的杂质元素 有形成在糊剂的半导体衬底的下部区域中的（3a）的第一浓度扩散的第一杂质扩散层的第二步骤中，含有第二导电类型的杂质元素在处理室中的含掺杂剂气体 此扩散第二热处理在连续在暴露区域从含掺杂剂气体涂覆在第一热处理所述半导体基板的所述一侧的表面上的第二导电类型糊的没有杂质元素进行半导体衬底在大气中的 并且通过由第二导电类型的杂质元素，并形成其第二浓度大于所述第一浓度下扩散的第二杂质扩散层（3b）中的暴露区域的第三步骤中，容易 它能够实现选择性发射极结构。
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公开(公告)号：JP5363666B2
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：JP2013024404
申请日：2013-02-12
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell and a manufacturing method thereof in which detachment of electrodes is effectively prevented. SOLUTION: There is provided a solar cell comprising: a photoelectric conversion layer (substrate) having a first surface and a second surface; a first electrode (surface side silver electrode 21) on the first surface; a second electrode (aluminum electrode 17) formed of a first metallic paste, the second electrode being on the second surface; and a third electrode formed of a second metallic paste, the third electrode being on the second surface. The third electrode is configured to extract output from the second electrode, and on the second surface, the third electrode overlaps the second electrode in a state where the second electrode is directly sandwiched between the second surface and the third electrode. An alloy part 23 is formed on the whole area where the first metallic paste and the second metallic paste overlap each other. The thickness of the second electrode is greater than that of the third electrode, and the difference between the thickness of the second electrode and that of the third electrode (backside silver electrode 19) is 10 μm or more and 30 μm or less. COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JPWO2009157053A1
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：JP2010517611
申请日：2008-06-23
Applicant: 三菱電機株式会社
IPC: H01L31/052 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/022425 , H01L31/056 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547
Abstract: 光起電力装置における裏面側での反射光を活用するための構造を有する光起電力装置を得ること。p型のシリコン基板12と、p型シリコン基板12の光の入射面側にn型の不純物が拡散されたn型拡散層13と、n型拡散層13上に形成される表面電極と、p型シリコン基板12の光の入射面に対向する裏面に形成されるp+層14と、p+層14上の所定の位置に形成される裏面銀電極18と、裏面銀電極18を形成したp+層14上に形成される光を反射する絶縁性の材料からなる反射層20と、を備える。
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