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公开(公告)号：JP2021155660A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2020059887
申请日：2020-03-30
Applicant: 信越化学工業株式会社
Abstract: 【課題】 大スケールの合成において量子ドットの粒子径の不均一性およびそれに伴う発光波長の分布の増大を抑制することができる量子ドットの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 結晶性ナノ粒子蛍光体である量子ドットの製造方法であって、互いに異なる元素を含む第一の前駆体溶液及び第二の前駆体溶液を用い、加熱した第一の前駆体溶液に、第二の前駆体溶液をエアロゾルとして噴霧するか、又は、加熱した溶媒に第一の前駆体溶液及び第二の前駆体溶液の両方ともをそれぞれエアロゾルとして噴霧して、第一の前駆体溶液と第二の前駆体溶液とを反応させて互いに異なる元素を含むコア粒子を合成する量子ドットの製造方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6268069B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014186114
申请日：2014-09-12
Applicant: 信越化学工業株式会社
Inventor： 野島 義弘
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/00 , B24B37/044 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/3212
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公开(公告)号：JP6130316B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2014047399
申请日：2014-03-11
Applicant: 信越化学工業株式会社
Inventor： 野島 義弘
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1409 , C09K3/1445 , C09K3/1463 , H01L21/3212
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公开(公告)号：JP5987779B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2013096391
申请日：2013-05-01
Applicant: 信越化学工業株式会社
Inventor： 野島 義弘
IPC: C01F17/00
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JPWO2017081835A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2016004547
申请日：2016-10-12
Applicant: 信越化学工業株式会社
Abstract: 本発明は、研磨粒子及び水を含む合成石英ガラス基板用研磨剤であって、研磨粒子が、湿式セリア粒子と乾式セリア粒子との混合研磨粒子からなるものであり、湿式セリア粒子と乾式セリア粒子の質量比が70/30以上90/10以下のものであることを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤である。これにより、高い研磨速度を有するとともに、研磨による欠陥の発生を十分に低減することができる合成石英ガラス基板用研磨剤が提供される。
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公开(公告)号：JP2017005050A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015115739
申请日：2015-06-08
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 【課題】内周部だけでなく外周部の平坦性も高く、金属不純物による汚染が少ない半導体基板を、生産性良く得ることが可能な研磨組成物を提供する。 【解決手段】砥粒として酸化ジルコニウムを含む研磨組成物であって、pHが11.0以上12.5未満のものであり、前記酸化ジルコニウム中に含まれるナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、チタン、クロム、鉄、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、及びコバルトの元素の濃度がそれぞれ1ppm未満のものであることを特徴とする研磨組成物。 【選択図】 図1
Abstract translation: 外周部的内周部的平坦度更高，以及，由金属杂质污染半导体基板以下，是提供一种能够以高生产率得到的抛光组合物。 本发明涉及一种包括氧化锆作为磨粒的研磨组合物，pH值是小于11.0〜12.5，包含在氧化锆，镁，铝，钾，钙，钛，铬钠， 铁，锰，镍，铜，锌，抛光组合物其特征在于：引线和钴元素的浓度分别为低于1ppm。 点域1
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公开(公告)号：JP2021084839A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019216307
申请日：2019-11-29
Applicant: 信越化学工業株式会社
Abstract: 【課題】 第III−V族半導体ナノ結晶をコアとして用いた量子ドットの蛍光発光効率を向上することを目的とする。 【解決手段】 少なくともIn及びPを含み、第III−V族元素を構成元素とする半導体ナノ結晶コアと、前記半導体ナノ結晶コアを被覆する、第II−VI族元素を構成元素とする単一又は複数の半導体ナノ結晶シェルとを含むコアシェル型量子ドットであって、前記半導体ナノ結晶コアと前記半導体ナノ結晶シェルとの間に、第II−V族元素を構成元素とする半導体ナノ結晶を含むバッファー層を有するコアシェル型量子ドット。 【選択図】図1
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