公开(公告)号：JP6961343B2

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2016254137

申请日：2016-12-27

Applicant: 芝浦機械株式会社

Inventor： 大 曲 啓 明 ,  冨 安 正 輝 ,  室 伏 勇

IPC: B24B37/10 ,  B24B49/10 ,  B24B7/04 ,  H01L21/304 ,  B24B37/005

公开(公告)号：JP2021160025A

公开(公告)日：2021-10-11

申请号：JP2020063486

申请日：2020-03-31

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 並木 計介 ,  加藤 良和 ,  鍋谷 治

IPC: B24B37/32 ,  B24B49/12 ,  B24B49/10 ,  B24B49/04 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  H01L21/304 ,  B24B37/10

Abstract: 【課題】ウェハの研磨中に、ウェハ角度の基準位置を精度よく特定することができる研磨装置が提供される。 【解決手段】研磨テーブル3と、研磨ヘッド1と、回転機構と、基準位置検出装置200と、を備える研磨装置が提供される。制御装置9は、回転角度検出器41から取得した研磨ヘッド1の回転角度に関する第1の信号と、基準位置検出装置200から取得した基準位置の回転角度に関する第2の信号に基づいて、基準位置の前記研磨ヘッド1に対する相対角度を算出する。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2021154427A

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：JP2020056515

申请日：2020-03-26

Applicant: 富士紡ホールディングス株式会社

Inventor： 立野 哲平 ,  松岡 立馬 ,  栗原 浩 ,  鳴島 さつき ,  ▲高▼見沢 大和

IPC: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/10 ,  H01L21/304 ,  B32B5/02 ,  B24B37/12

Abstract: 【課題】基材層への研磨スラリーの浸透を低減し、かつ研磨性能の低下を防ぐことができる研磨ユニットを提供する。 【解決手段】本発明の一態様に係る研磨ユニット(10a)は、研磨層(101)及び基材層(103)を有する研磨パッド(100a)と、定盤(150)とを備え、基材層(103)の直径が、研磨層(101)の直径よりも小さく、かつ、定盤(150)の直径よりも大きい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6941420B2

公开(公告)日：2021-09-29

申请号：JP2016166279

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社東京精密

Inventor： 石川 一政

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/10 ,  H01L21/322

公开(公告)号：JP6918809B2

公开(公告)日：2021-08-11

申请号：JP2018537463

申请日：2016-12-02

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： チェン, フイ ,  ズニガ, スティーブン エム. ,  チェン, ハン チー ,  ラウ, エリック ,  シン, ガレット ホー イー ,  チャン, ショウ−サン

IPC: B24B37/10 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP2021100777A

公开(公告)日：2021-07-08

申请号：JP2019233131

申请日：2019-12-24

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 宮原 理

IPC: H01L21/304 ,  B24B55/06 ,  B24B37/10

Abstract: 【課題】基板の径方向全体に亘って、基板の傷の発生を抑制しつつ、基板を研磨できる。 【解決手段】基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させ、前記保持部と共に前記基板を回転させる回転部と、前記基板の主面に洗浄液を供給する液供給部と、前記基板の前記主面を研磨する研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドを、前記基板の前記主面に押し当て、前記基板の径方向にスキャンする移動部と、前記回転部と、前記液供給部と、前記移動部とを制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記基板の前記主面を前記基板の径方向に複数の領域に分割する分割線を設定し、前記領域毎に、前記洗浄液の供給と、続く前記洗浄液の供給を停止した状態での前記研磨ヘッドのスキャンとを実施する、基板処理装置。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP6879272B2

公开(公告)日：2021-06-02

申请号：JP2018149701

申请日：2018-08-08

Applicant: 信越半導体株式会社

Inventor： 大関 正彬 ,  五十嵐 健作 ,  阿部 達夫

IPC: H01L21/3065 ,  B24B37/08 ,  B24B37/10 ,  B24B1/00 ,  H01L21/304

公开(公告)号：JP2021065990A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：JP2019194182

申请日：2019-10-25

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 石井 遊 ,  戸川 哲二 ,  吉田 篤史

IPC: B24B37/10 ,  H01L21/304 ,  B24B37/013

Abstract: 【課題】基板の研磨終点を正確に決定することができる研磨方法を提供する。 【解決手段】本方法は、研磨パッド2を支持する研磨テーブル3を回転させ、研磨ヘッド10によって基板Wを研磨パッド2の研磨面2aに押し付けて基板Wを研磨し、基板Wを研磨する工程は、研磨ヘッド10を研磨面2aに沿って揺動させながら基板Wを研磨する揺動研磨工程と、研磨ヘッド10の揺動を停止させた状態で基板Wを研磨する静止研磨工程とを含み、静止研磨工程は、揺動研磨工程後に行われ、静止研磨工程は、研磨テーブル3を回転させるためのトルクの変化の割合が変化割合しきい値に達した時点である静止研磨終点を決定する工程を含む。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2021509778A

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：JP2020537628

申请日：2019-01-04

Applicant: シーエムシー マテリアルズ,インコーポレイティド

Inventor： ウィリアム ジェイ.ワード ,  マシュー イー.カーンズ ,  チー ツイ ,  キム ロング

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/10 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

Abstract: 本発明は、基板を化学機械的に研磨する方法であって、基板表面上のタングステン層と、基板表面上の酸化ケイ素層とを含む基板を提供することと、(a)粒子の表面に負に帯電した基を含む表面改質コロイダルシリカ粒子であって、負電荷、約90nm〜約350nmの粒子サイズ、および約2のpHで約−20mV〜約−70mVのゼータ電位を有する、表面改質コロイダルシリカ粒子、(b)鉄化合物、(c)安定化剤、ならびに(d)水性キャリア、を含む化学機械研磨組成物を用いて、タングステン層および酸化ケイ素層を含む、化学機械研磨組成物を提供することと、基板を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させて基板を研磨することと、を含む、方法を提供する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2021045827A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：JP2019170282

申请日：2019-09-19

Applicant: 株式会社ブイ・テクノロジー

Inventor： 松本 隆徳 ,  ▲桑▼原 充 ,  中田 佳博

IPC: B24B37/10 ,  B24B49/10 ,  H01L21/304 ,  B24B37/34

Abstract: 【課題】誤検出を減らし、精度よくスリップアウトを検出することができる装置を提供する。 【解決手段】上面に研磨パッド21が設けられ、第1方向に回転可能に設けられた定盤20と、ウェハの裏面を保持しながら、前記研磨パッド21に前記ウェハの表面を押圧して前記ウェハを研磨する研磨ヘッド10A,10Bであって、前記第1方向に回転可能に設けられた研磨ヘッド10A,10Bと、ウェハの研磨ヘッド10A,10Bからの飛び出し(スリップアウト)を検出するスリップアウトセンサ15A,15Bは、静電容量型の近接センサであり、研磨ヘッド10A,10Bの外側かつ研磨ヘッド10A,10Bの外周面に隣接する位置のうちの定盤20の回転方向下流側に設けられている。 【選択図】図4