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公开(公告)号：JP2016170447A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2016127196
申请日：2016-06-28
Applicant: 信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 【解決手段】モリブデンと、ケイ素と、酸素及び窒素とを含有し、4×C Si /100−6×C M /100>1(式中、C Si はケイ素の含有率(原子%)、C M は遷移金属の含有率(原子%)を示す)を満たすモリブデンケイ素系材料で構成されたハーフトーン位相シフト膜を有するフォトマスクブランク及びフォトマスク並びにフォトマスクを用いた光パターン照射方法。 【効果】遷移金属ケイ素系材料で形成されたハーフトーン位相シフト膜や遮光膜などにおいて、ArFエキシマレーザー光等の高エネルギー光の累積照射によるMoSi系材料膜等の遷移金属ケイ素系材料膜の変質を伴うパターン寸法変動劣化が大きく抑制され、従来と比べて高エネルギー光の照射が累積した場合であっても、露光装置のパターン露光条件を変更せずに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を実施することができる。 【選択図】なし
Abstract translation: 解决方案：提供一种光掩模坯料，其具有由含有钼，硅，氧和氮的钼硅基材料构成的半色调相移膜，并满足4×C / 100-6×C / 100> 1，其中Cis百分比 硅含量（原子％），C是过渡金属的含量百分含量（原子％），光掩模和使用光掩模的光图案照射方法。可以在不改变图案的情况下进行光学光刻的光图案照射 曝光装置的曝光条件即使当与常规技术相比，与常规技术相比，通过显着减少通过累积的诸如MoSi基材料膜的过渡金属硅基材料膜的退化而显着减少图案尺寸变化的劣化， 将诸如ArF准分子激光的高能量光照射在半色调相移膜上或由过渡金属硅 - 基底形成的遮光膜 材料选择：无
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Patent Agency Ranking5.发明专利フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスク、光パターン照射方法、並びにハーフトーン位相シフト膜の設計方法 有权光掩模坯料及其制造光掩模，该光图案照射方法的方法，以及设计一个半色调相移膜的方法
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公开(公告)号：JP2020178322A
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：JP2019081407
申请日：2019-04-23
Applicant: 凸版印刷株式会社 , テスラシート株式会社
IPC: H04B5/00
Abstract: 【課題】シート上の受信位置の違いによる受信電力の分散を低減することが可能な電磁波伝送シートを提供する。 【解決手段】電磁波伝送シート1は、誘電層11と、誘電層11の裏面を覆う第1の導電層12と、誘電層11の表面を覆う第2の導電層13と、を有する。第2の導電層13は、メッシュ状の配線パターンを有する導電層17を複数組み合わせたものであり、メッシュ状の配線パターンの端部の少なくとも一部が、絶縁体を介して、他のメッシュ状の配線パターンと重なり合っている。 【選択図】図7A
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公开(公告)号：JP2016095533A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2016011255
申请日：2016-01-25
Applicant: 信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 【解決手段】透明基板と、モリブデン、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、モリブデンとケイ素との原子比(Met/Si)が0.18以上0.25以下、窒素含有率が25原子%以上50原子%以下、かつ酸素含有率が5原子%以上20原子%以下であり、ハーフトーン位相シフト膜に、フッ素系ガス雰囲気中での高エネルギー線ビーム照射による欠陥修正処理をし、かつ累積10kJ/cm 2 以上のArFエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ArFエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。 【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。 【選択図】なし
Abstract translation: 解决方案：提供一种照射模式的方法，包括使用半色调相移掩模照射ArF准分子激光器的光图案作为光源，其中半色调相移掩模包括透明基底和半色调图案 相移膜由钼，硅，氮和氧的材料构成，其中半色调相移膜的图案的组成包括钼与硅的原子比（Met / Si）为0.18以上且0.25以下， 25原子％以上且50原子％以下的氮含量，5原子％以上且20原子％以下的氧含量。 在氟系气体气氛中通过高能量射线束照射对半色调相移膜进行缺陷校正处理，并以约10kJ / cm 2以上的ArF准分子激光照射更多的照射。长期 与常规方法相比，可以进行光学光刻中的图案的曝光，而不会明显地降低图案尺寸的变化。选择图：无
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公开(公告)号：JP2015156036A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2015087201
申请日：2015-04-22
Applicant: 信越化学工業株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 【解決手段】モリブデンと、ケイ素と、酸素及び窒素とを含有し、4×C Si /100−6×C M /100>1(式中、C Si はケイ素の含有率(原子%)、C M は遷移金属の含有率(原子%)を示す)を満たすモリブデンケイ素系材料で構成されたハーフトーン位相シフト膜を有し、累積10kJ/cm 2 以上のArFエキシマレーザー光が照射されたフォトマスクを用い、光パターンを露光対象に照射する。 【効果】遷移金属ケイ素系材料で形成されたハーフトーン位相シフト膜や遮光膜などにおいて、ArFエキシマレーザー光等の高エネルギー光の累積照射によるMoSi系材料膜等の遷移金属ケイ素系材料膜の変質を伴うパターン寸法変動劣化が大きく抑制され、従来と比べて高エネルギー光の照射が累積した場合であっても、露光装置のパターン露光条件を変更せずに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を実施することができる。 【選択図】なし
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