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    フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法
    2.
    发明专利
    フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020166240A

    公开(公告)日：2020-10-08

    申请号：JP2020027837

    申请日：2020-02-21

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 山口 昇

    IPC: G03F7/20 ,  G03F1/76

    Abstract: 【課題】寸法精度の高い転写用パターンが形成できるフォトマスクの製造方法を提供する。 【解決手段】フォトマスク基板を用意する工程と、描画、現像を行うことによりレジストパターンを形成する初期現像工程と、前記レジストパターンをマスクとして、光学膜にエッチングを施し、前記光学膜による予備パターンを形成する予備エッチング工程と、前記予備エッチング工程により形成された前記予備パターンのエッジの少なくとも一部が、前記レジストパターンの領域内にある状態で、前記レジストパターンに対して追加の現像を施し、前記レジストパターンのエッジを後退させて、前記予備パターンのエッジを露出させる、追加現像工程と、前記予備パターンの所定部位の寸法を測定する測定工程と、測定した前記寸法をもとに追加エッチング量を決定し、更に前記光学膜のエッチングを行い、確定パターンを形成する、追加エッチング工程と、を含む、フォトマスクの製造方法。 【選択図】図2

    基板保持装置、描画装置、フォトマスク検査装置、および、フォトマスクの製造方法
    5.
    发明专利
    基板保持装置、描画装置、フォトマスク検査装置、および、フォトマスクの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017129848A

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：JP2016240885

    申请日：2016-12-13

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 剱持 大介

    IPC: G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/20 ,  H01L21/683 ,  G03F9/00

    Abstract: 【課題】被転写体上に形成されるパターンの座標精度を高めることのできる、フォトマスク基板に適した基板保持装置を提供する。 【解決手段】表示装置製造用のフォトマスク基板を水平に保持する基板保持装置であって、低膨張材料からなるステージ11と、このステージ11上に設けられた複数の支持具12と、を備える。各々の支持具12は、先端に、凸曲面をもつ接触部14を備え、この接触部14が、フォトマスク基板1の裏面3に、実質的に点接触することで、フォトマスク基板1を水平に保持する構成となっている。 【選択図】図1

    ジェミニ添加剤を含む抗パターン崩壊処理用組成物
    7.
    发明专利
    ジェミニ添加剤を含む抗パターン崩壊処理用組成物 有权

    公开(公告)号：JP2015529840A

    公开(公告)日：2015-10-08

    申请号：JP2015521102

    申请日：2013-07-01

    IPC: G03F7/32 ,  G03F1/76 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

    Abstract: 半導体基板又はフォトリソグラフィ・マスクを処理するための組成物における、一般式I:【化1】[式中、Xは、各々の繰り返し単位1〜nごとに独立して、(a)任意に置換されていてもよく、且つ任意にO及びNから選択される5個以下のヘテロ原子で中断されていてもよい直鎖又は分岐のC1〜C20アルカンジイル、(b)任意に置換されていてもよく、且つ任意にO及びNから選択される5個以下のヘテロ原子で中断されていてもよいC6〜C20シクロアルカンジイル、(c)式:—X1−A−X2−;(式中、X1及びX2は、独立してC1〜C7の直鎖又は分岐のアルカンジイルから選択され、Aは、H原子が任意に置換されていてもよく、且つC原子が任意にO及びNから選択される5個以下のヘテロ原子で中断されていてもよい、C5〜C12芳香族部分、又はC5〜C30シクロアルカンジイルから選択される。)のC6〜C20有機基、(d)式II:【化2】(式中、pは0又は1であり、rは1〜100の整数であり、且つR5は、H、及び直鎖又は分岐のC1〜C20アルキル基から選択される。)のポリオキシアルキレンジラジカル、から選択される二価の基であり、R1及びR2は、独立してH、直鎖状若しくは分岐したC1〜C20アルキル、C5〜C20シクロアルキル、C5〜C20アリール、C6〜C20のアルキルアリール、C6〜C20アリールアルキル、C1〜C20ヒドロキシアルキル、又はC2〜C4オキシアルキレンのホモポリマー若しくはコポリマーから選択される一価の基であり、これらの全ては、任意にさらに置換されていてもよく、R3及びR4は、独立して直鎖又は分岐のC5〜C30アルキル基、C5〜C30シクロアルキル、C1〜C20ヒドロキシアルキル、及びC2〜C4オキシアルキレンのホモポリマー又はコポリマーから選択される一価の基であり、これらの全ては、任意に置換されていてもよく、対のR3−R4及び隣接したR4−R4及びR3−R3が、任意に共に二価の基Xを形成してもよく、及び分岐による分子の連続Qであってもよく、nが2以上の場合は、R3、R4、又はR3及びR4はまた、水素原子であってもよく、nは、1〜5の整数であるか、又はX、R3及びR4の少なくとも1種が、C2〜C4ポリオキシアルキレン基を含む場合、nは、1〜10000の整数であってもよく、ただし、少なくとも1種のQが存在する場合、nは、分岐Qの全ての繰り返し単位を含み、Qは、【化3】であり、zは、界面活性剤全体で電気的に非荷電となるように選択される整数であり、Zは、対イオンである。]で表されるジェミニ添加剤の使用方法。【選択図】図2

    マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法
    9.
    发明专利
    マスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法 审中-公开
    生产掩模层的方法和生产转移掩模的方法

    公开(公告)号：JP2015094901A

    公开(公告)日：2015-05-18

    申请号：JP2013235433

    申请日：2013-11-13

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 廣松 孝浩 ,  橋本 雅広

    IPC: G03F1/76 ,  H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  G03F1/58

    Abstract: 【課題】レジスト膜との高い密着性を有すると共に、現像時にはレジスト膜に由来する異物がスペース部分に残存しにくく異物欠陥の少ないマスクブランクを提供する。 【解決手段】基板10上に薄膜11を形成する工程と、薄膜上に有機溶媒とベースポリマーとを含有するレジスト下地組成物を塗布する工程と、レジスト下地組成物を有機溶媒の少なくとも1種の沸点より低い第1の温度から架橋開始温度より高い第2の温度まで昇温し、第2の温度で加熱することにより薄膜側から厚さ方向に向かってベースポリマーの分子量が減少するように構成されるレジスト下地膜12を形成する工程と、下地膜上に化学増幅型レジスト13を塗布して低分子量領域を溶解することで、低分子量領域と化学増幅型レジストとの界面に、低分子量領域の溶解した成分と化学増幅型レジストの成分とが混合した混合成分を形成し、加熱することにより混合膜14を形成する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种与抗蚀剂膜具有高粘附性的掩模坯料，其中衍生自抗蚀剂膜的异物在显影时几乎不残留在空间部分中，这导致少量异物和少量缺陷。 制造掩模坯料的方法包括以下步骤：在基板10上形成薄膜11; 将抗蚀剂基础组合物施加到所述薄膜上，所述基础组合物包含有机溶剂和基础聚合物; 将抗蚀剂基础组合物的温度从基膜的温度低于至少一种有机溶剂的沸点的第一温度升高到其温度高于交联温度的第二温度 开始，然后在第二温度下加热基础组合物以形成抗蚀剂基膜12，其被构造成使得基底聚合物的分子量在厚度方向上从薄膜侧朝向抗蚀剂膜侧减小; 并将化学放大抗蚀剂13施加到基底膜上，然后溶解低分子量区域以形成混合成分，其中通过溶解低分子量区域形成的成分与化学放大抗蚀剂的成分混合在 低分子量区域和化学放大抗蚀剂之间的界面，并进一步加热混合物组分以形成混合物膜14。

    フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法
    10.
    发明专利
    フォトマスクの製造方法、描画装置、フォトマスクの検査方法、フォトマスクの検査装置、及び表示装置の製造方法 有权
    用于制造光电装置的方法，绘图装置，用于光电检测的检查方法，用于光电检测的检查装置以及用于制造显示装置的方法

    公开(公告)号：JP2015062054A

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：JP2014123396

    申请日：2014-06-16

    Applicant: HOYA株式会社

    Inventor： 剱持 大介

    IPC: G03F1/42 ,  G03F1/84 ,  G03F1/76

    Abstract: 【課題】被転写体上に形成されるパターンの座標精度を高めることのできるフォトマスクの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明のフォトマスクの製造方法は、パターン設計データAを用意する工程と、フォトマスクを露光装置に保持することに起因する主表面の変形分であって、自重たわみ成分以外の変形分を示す、転写面修正データDを得る工程と、描画装置のステージ上にフォトマスクブランクを載置した状態における、主表面の高さ分布を示す、描画時高さ分布データEを得る工程と、描画時高さ分布データEと、転写面修正データDとの差分により、描画差分データFを得る工程と、描画差分データFに対応する座標ずれ量を算定して、描画用座標ずれ量データGを求める工程と、描画用座標ずれ量データGと、パターン設計データAを用いて、フォトマスクブランク上に、描画を行う描画工程と、を有する。 【選択図】図7

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造光掩模的方法，由此可以提高形成在转印体上的图案的坐标精度。解决方案：制造光掩模的方法包括：制备图案设计数据A的步骤 ; 获得表示通过在曝光装置中保持光掩模引起的光掩模的主表面上的变形量的转印面校正数据D的步骤，不包括自重失真分量的变形量; 获得绘制周期高度分布数据E的步骤，该数据E表示将光掩模坯料安装在绘图装置的台上时光掩模坯料的主表面的高度分布; 从绘制周期高度分布数据E和转印面校正数据D之间的差获得绘图差数据F的步骤; 通过计算与绘图差数据F对应的坐标移位量来获得绘图坐标偏移量数据G的步骤; 以及通过使用绘图坐标移位量数据G和图案设计数据A在光掩模坯料上绘制图案的绘制步骤。

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