公开(公告)号：JP2015029065A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2014109183

申请日：2014-05-27

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

Inventor： MINAMI TAKESHI ,  TEZUKA HIROAKI ,  MURATA MICHIAKI ,  YAMAZAKI KENJI

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23D65/00 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/022 ,  H01L21/3043 ,  H01L33/0095

Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法、回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、前記基板の裏面から、前記表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、前記表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、前記表面側の溝の幅と前記裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程とを備え、前記切削部材の厚みの中心が溝幅方向にばらつく範囲が前記表面側の溝幅に包含される製造条件においては、前記切削部材の先端形状の先細りの度合が小さいために前記段差部が破損する第1の先細りの範囲を確認し、当該範囲よりも先細りの度合が大きい先端形状を有する切削部材で前記裏面側の溝を形成する。【選択図】図17

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体条，电路板和电子设备破损的半导体条的制造方法。解决方案：半导体条的制造方法包括：在前面形成沟槽的步骤 半导体表面的表面侧; 以及通过旋转切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，所述旋转切削工具的厚度比衬底的背面的前表面侧的沟槽的宽度更厚， 并且将衬底切割成具有由前表面侧的沟槽的宽度与背面侧的沟槽的宽度之间的差形成的台阶的半导体条。 在切削工具的厚度的中心的沟槽宽度方向上的分散范围被包括在前表面侧的沟槽宽度的制造条件中，其中步骤被损坏的第一锥度的范围是因为 检查切削工具的尖端形状的锥度是否小，并且通过具有锥度大于该范围的尖端形状的切削工具形成背面侧的沟槽。

公开(公告)号：JP2015029067A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2014109186

申请日：2014-05-27

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

Inventor： MINAMI TAKESHI ,  TEZUKA HIROAKI ,  MURATA MICHIAKI ,  YAMAZAKI KENJI

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23D65/00 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/022 ,  H01L21/3043 ,  H01L33/0095

Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法、回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、基板の裏面から、表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、表面側の溝の幅と裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程と、裏面側の溝を形成するより前に切削部材の先端部を予め加工する加工工程であって、段差部の根元領域に対して段差部を破損させる応力以上の応力を与える先端部を有する切削部材を先細りさせて、根元領域への応力によって段差部を破損させない先細りの度合に加工する加工工程とを備える。【選択図】図17

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体条，电路板和电子设备破损的半导体条的制造方法。解决方案：半导体条的制造方法包括：在前面形成沟槽的步骤 半导体表面的表面侧; 通过旋转切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，该旋转切削工具的厚度比衬底的背面的前表面侧的沟槽的宽度更厚;以及 将衬底切割成具有由表面侧的沟槽的宽度与背面侧的沟槽的宽度之间的差形成的台阶的半导体条， 以及作为在后表面侧形成沟槽之前预先对切削工具的前端进行加工的工序的步骤，以及将具有大于损坏台阶的应力的尖端施加应力的切削刀具的锥形化到底部 区域并加工切削刀具，直到锥度达到不受施加到底部区域的应力而损坏台阶的程度。

公开(公告)号：JP2015038965A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：JP2014109184

申请日：2014-05-27

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

Inventor： MINAMI TAKESHI ,  TEZUKA HIROAKI ,  MURATA MICHIAKI ,  YAMAZAKI KENJI ,  OTSUKA TSUTOMU

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23D65/00 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/022 ,  H01L21/3043 ,  H01L33/0095

Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法、回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、基板の裏面から、表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、表面側の溝の幅と、裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程とを備え、段差部が、回転方向から見た断面が矩形の先端形状を有する切削部材を使用した場合に破損する強度であり、かつ、切削部材の厚みの中心が溝幅方向にばらつく範囲が、表面側の溝幅に包含される製造条件において、段差部を破損させる先細りの範囲よりも、先細りの度合が大きい先端形状の切削部材で裏面側の溝を形成する。【選択図】図17

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以抑制半导体芯片破损的半导体芯片制造方法，电路板和电子设备。解决方案：一种半导体芯片制造方法包括：在表面上形成表面侧凹槽的工艺 的基材; 以及从基板的后侧形成的后表面侧槽分别通过具有比表面侧凹槽的宽度大的厚度的旋转切割构件与表面侧凹槽连通，从而将 衬底形成半导体芯片，每个半导体芯片具有由表面侧沟槽的宽度和后表面侧沟槽的宽度之间的差异形成的水平差部分。 背面侧槽由具有尖端形状的切削构件形成，该切削构件的锥度大于在切断构件的高度差部分具有破坏强度的条件下破坏水平差部分的锥度的程度 使用从旋转方向观察时具有矩形横截面尖端形状，并且切割部件的厚度中心在宽度方向上变化的范围包括在表面侧凹槽的宽度中。

公开(公告)号：JP2015029068A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2014109187

申请日：2014-05-27

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

Inventor： MINAMI TAKESHI ,  TEZUKA HIROAKI ,  MURATA MICHIAKI ,  YAMAZAKI KENJI

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23D65/00 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/022 ,  H01L21/3043 ,  H01L33/0095

Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法、製造条件の決定方法、回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法における製造条件の決定方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、基板の裏面から、表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、表面側の溝の幅と裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程とを備える半導体片の製造方法において、切削部材の厚み方向の中心が溝幅方向にばらつく範囲を確認する工程S510と、表面側の溝の幅を確認S500した範囲を包含する幅に決定する工程S540とを備える。【選択図】図20

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体条的断裂的半导体条的制造方法，制造条件的确定方法，电路板和电子设备。解决方案：用于确定方法中的制造条件的方法 用于制造半导体条的步骤包括：在制造半导体条的方法中检查切割工具的厚度中心的沟槽宽度方向上的分散范围的步骤S510，包括在前表面形成沟槽的步骤 并且通过旋转切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，所述沟槽的厚度比前表面侧的沟槽的宽度厚 从衬底的背面，将衬底切割成具有由宽度o之间的差异形成的台阶的半导体条带 f在前表面侧的沟槽和沟槽在背面侧的宽度; 以及步骤S540，其将前表面侧的沟槽的宽度确定为包含检查范围的宽度。

公开(公告)号：JP2015029064A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2014109182

申请日：2014-05-27

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

Inventor： MINAMI TAKESHI ,  TEZUKA HIROAKI ,  MURATA MICHIAKI ,  YAMAZAKI KENJI

IPC: H01L21/301 ,  B24D5/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23D65/00 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/022 ,  H01L21/3043 ,  H01L33/0095

Abstract: 【課題】単に破損を抑制できるだけでなく、より狭く浅い表面側の溝形状を採用した場合であっても破損を抑制できる、切削部材の先端形状の設計方法、半導体片の製造方法、回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、基板の裏面から表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、半導体片に個片化する工程とにおいて、先端部の先細りの度合が異なる複数の切削部材を準備する工程と(S200)、同一形状の複数の表面側の溝を準備する工程と(S202)、複数の切削部材で裏面側の溝を形成した場合の破損の状況を確認する工程と(S204)、確認の結果、破損させる切削部材と破損させない切削部材の両方が含まれる場合、破損させない切削部材の先細りの度合を量産工程で使用する切削部材の先端形状として選択する工程と(S210)とを備える。【選択図】図17

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于设计能够在情况正常的情况下能够破坏的切割工具的尖端形状的方法，而且当使用较窄和较浅表面侧的沟槽形状时，制造方法 半导体条，电路板和电子设备。一种方法包括：在步骤（S200）中，在步骤（S200）中，在步骤（S200）中，在步骤（S200）中，在步骤 衬底的前表面和通过旋转的切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，该旋转切削工具的厚度比在背表面的前表面侧的沟槽的宽度更厚 的衬底，并将衬底切割成半导体条带; 在具有相同形状的前表面侧准备多个沟槽的步骤（S202）; 检查通过多个切削工具形成背面侧的沟槽的断裂状态的步骤（S204）; 以及在要损坏的切削工具和切削工具被损坏的情况下，选择在大规模生产过程中使用的切削工具的尖端形状来选择不被损坏的切削刀具的锥度的步骤（S210） 作为结果包括在内。

公开(公告)号：JP2015029135A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2014205556

申请日：2014-10-06

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

Inventor： MINAMI TAKESHI ,  TEZUKA HIROAKI ,  MURATA MICHIAKI ,  YAMAZAKI KENJI

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23D65/00 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/022 ,  H01L21/3043 ,  H01L33/0095

Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、前記基板の裏面から、前記表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、前記表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、前記表面側の溝の幅と前記裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程と、を備え、前記切削部材の厚みの中心が溝幅方向にばらつく範囲が前記表面側の溝幅から外れる製造条件においては、前記切削部材の先端形状の先細りの度合が小さいために前記段差部が破損する第1の先細りの範囲と、前記切削部材の先端形状の先細りの度合が大きいために前記段差部が破損する第2の先細りの範囲とを確認し、前記第1の先細りの範囲と前記第2の先細りの範囲との間の第3の先細りの範囲に含まれる先細りの度合の前記切削部材で前記裏面側の溝を形成する。【選択図】図17

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体条的破坏的半导体条的制造方法。解决方案：半导体条的制造方法包括：在前表面的前表面侧形成沟槽的步骤 半导体; 以及通过旋转切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，所述旋转切削工具的厚度比衬底的背面的前表面侧的沟槽的宽度更厚， 并且将衬底切割成具有由前表面侧的沟槽的宽度与背面侧的沟槽的宽度之间的差形成的台阶的半导体条。 在切削工具的厚度的中心的沟槽宽度方向上的分散范围在前表面侧的沟槽宽度之外的制造条件中，由于步骤被损坏的第一锥度的范围，因为 检查切削工具的尖端形状的锥度是否小，检查由于切削工具的尖端形状的锥度大而导致台阶损坏的第二锥形的范围，并且 后表面侧的沟槽由具有包括在第一锥形的范围和第二锥度的范围之间的第三锥形范围内的锥度的切削工具形成。

公开(公告)号：JP2015029066A

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：JP2014109185

申请日：2014-05-27

Applicant: 富士ゼロックス株式会社 ,  Fuji Xerox Co Ltd

Inventor： MINAMI TAKESHI ,  TEZUKA HIROAKI ,  MURATA MICHIAKI ,  YAMAZAKI KENJI ,  YAMADA SHUICHI ,  ONO KENICHI

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23D65/00 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/022 ,  H01L21/3043 ,  H01L33/0095

Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法、回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、基板の裏面から、表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、表面側の溝の幅と裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程とを備え、頂部に頂面を有さない先細りした切削部材を使用し、かつ、頂部が溝幅方向にばらつく範囲が表面側の溝幅から外れる製造条件においては、頂部の領域で最大応力を与えて段差部を破損させる先細りの範囲よりも先細りの度合が小さい先端形状を有する切削部材で裏面側の溝を形成する。【選択図】図17

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体条，电路板和电子设备破损的半导体条的制造方法。解决方案：制造半导体条的方法包括：在前面形成沟槽的步骤 半导体表面的表面侧; 以及通过旋转切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，所述旋转切削工具的厚度比衬底的背面的前表面侧的沟槽的宽度更厚， 并且将衬底切割成具有由前表面侧的沟槽的宽度与背面侧的沟槽的宽度之间的差形成的台阶的半导体条。 在使用不具有顶点顶面的锥形切削工具，并且顶面的沟槽宽度方向的分散范围不包括在前表面侧的沟槽宽度的制造条件下， 后表面侧由具有尖端形状的切削工具形成，其锥度小于通过对顶点的区域施加最大应力来损伤台阶的锥度的范围。