公开(公告)号：JPWO2015083296A1

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2015551366

申请日：2013-12-06

申请人： 富士通株式会社

发明人： 蜂谷　暢英 ,  暢英 蜂谷 ,  隆 谷井 ,  隆 谷井 ,  康宏 村上 ,  康宏 村上 ,  山森　雄介 ,  雄介 山森 ,  康顕 竹内 ,  康顕 竹内 ,  昌彦 平尾 ,  昌彦 平尾 ,  村上　学 ,  学 村上 ,  幹雄 林原 ,  幹雄 林原

IPC分类号： H03F3/24 ,  H04B1/04 ,  H04B17/17

CPC分类号： H04W52/52 ,  H03F1/32 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/393 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/465 ,  H03F2201/3215 ,  H03G3/3042

摘要： 電力調整方法は、出力電力が所定の値未満となる線形領域では入力電力を線形に増幅し、出力電力が前記所定の値以上となる非線形領域では入力電力を非線形に増幅する電力増幅器に、前記線形領域で増幅される入力電力を入力して得られる出力電力を測定し(S102)、入出力特性を示す座標平面において、測定された出力電力に対応する測定点と前記線形領域及び前記非線形領域の境界点とを結ぶ直線を導出し(S107)、測定された出力電力に対応付けてあらかじめ記憶される近似式であって、前記非線形領域における入力電力と出力電力の関係を示す近似式の情報を取得し(S104〜S106)、導出された直線の情報と取得された近似式の情報とを前記電力増幅器の前段に設けられる半導体集積回路に記憶させる(S108)処理を有する。

公开(公告)号：JP5686037B2

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：JP2011113673

申请日：2011-05-20

申请人： 富士通株式会社

发明人： 康宏 村上 ,  康宏 村上 ,  山森　雄介 ,  雄介 山森 ,  康顕 竹内 ,  康顕 竹内 ,  成人 松野 ,  成人 松野

IPC分类号： H04B1/26 ,  H04B1/30