溶射膜
    1.
    发明专利
    溶射膜 审中-公开

    公开(公告)号:JP2019148010A

    公开(公告)日:2019-09-05

    申请号:JP2019072512

    申请日:2019-04-05

    摘要: 【課題】空孔の少ない緻密な溶射膜を容易に形成することができる溶射用粉末を提供すること。 【解決手段】本発明の溶射用粉末は、希土類元素の酸化物からなる溶射用粉末であって、レーザー回折・散乱式粒度分布測定法による小粒径側からの積算体積が50%になる粒径D 50 が1.0μm以上10.0μm以下であり、BET法比表面積が1.5m 2 /g以上10m 2 /g以下であり、水銀圧入法により測定された細孔直径6μm以下の細孔容積が0.15cm 3 /g以上0.80cm 3 /g以下である。溶射用粉末は水銀圧入法により測定された細孔直径の分布において、0.5μm以上5μm以下の範囲にピークが観察されることが好ましい。 【選択図】なし

    成膜用材料及び皮膜
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2018083854A1

    公开(公告)日:2018-11-01

    申请号:JP2017028578

    申请日:2017-08-07

    CPC分类号: C01F17/00 C23C14/06 C23C14/24

    摘要: 本発明の成膜用材料は、イットリウムのオキシフッ化物を含み、フィッシャー径が1.0μm以上10μm以下であり、タップ法見掛け嵩密度TDと静置法見掛け嵩密度ADとの比率であるTD/ADが1.6以上3.5以下である。成膜用材料は水銀圧入法により測定した直径100μm以下の細孔の容積が1.0cm 3 /g以下であることが好ましい。また本発明の皮膜はイットリウムのオキシフッ化物を含む皮膜であって、ビッカース硬度が200HV0.01以上である。皮膜は破壊靭性が1.0×10 2 Pa・m 1/2 以上であることが好ましい。

    成膜用材料
    6.
    发明专利
    成膜用材料 审中-公开

    公开(公告)号:JP2017071843A

    公开(公告)日:2017-04-13

    申请号:JP2015201362

    申请日:2015-10-09

    摘要: 【課題】コスト面及び資源調達の面で優位性を有し、且つフッ素系ガス等のハロゲン系ガスを用いたプラズマに対して高い耐食性を有する成膜用材料を提供する。 【解決手段】本発明の成膜用材料は、アルミニウムのオキシフッ化物を含むか、或いは、酸素と、アルミニウムのフッ化物とを含み、酸素の含有割合が0.5質量%以上40質量%未満である。本発明の成膜用材料は、アルミニウムのオキシフッ化物を含む場合、酸素の含有割合が0.5質量%以上40質量%未満であることが好ましく、またアルミニウムのフッ化物を更に含むことが好ましい。本発明の成膜用材料は、粉末、顆粒及びスラリーのいずれかの形態を有することが好ましい。 【選択図】図1

    半導体製造装置用耐食材料
    8.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021102546A

    公开(公告)日:2021-07-15

    申请号:JP2020192304

    申请日:2020-11-19

    摘要: 【課題】半導体製造装置又はその構成部材の表面がドライエッチングにより劣化した箇所を検出することに適した材料及びその製造方法、並びにその劣化箇所の検出方法を提供すること。 【解決手段】ドライエッチング耐性を有する母材と紫外線照射による可視光の発光能を前記母材へ付与する元素とからなる半導体製造装置用耐食材料であって、前記母材は、希土類元素を含有する酸化物、ハロゲン化物又はオキシハロゲン化物が好ましく、前記発光能を母材へ付与する元素は、ユウロピウム又はテルビウムが好ましい。この耐食材料は、成形体若しくは焼結体とするか又は成膜することによって、半導体製造装置又はその構成部材の表面に設けることができ、それによって、ドライエッチングによる劣化箇所を検出することができる。 【選択図】なし

    成膜用材料
    10.
    发明专利
    成膜用材料 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020190032A

    公开(公告)日:2020-11-26

    申请号:JP2020127628

    申请日:2020-07-28

    IPC分类号: C23C24/04 C23C14/24 C23C4/04

    摘要: 【課題】成膜する際の成膜速度が高く、また得られる膜は、フッ素系ガス及び塩素系ガスのいずれのハロゲン系ガスを用いたプラズマに対しても高い耐食性を有する成膜用材料を提供する。 【解決手段】本発明の成膜用材料は、YO X F Y (0

    3を含み、XRD測定におけるYO
    X F
    Y のメインピークのピーク高さI
    1 に対する、YF
    3 の(020)面のピーク高さI
    2 の比であるI
    2 /I
    1 の値が0.005以上100以下である。
    【選択図】図1