公开(公告)号：JP6965816B2

公开(公告)日：2021-11-10

申请号：JP2018077341

申请日：2018-04-13

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 相原 卓磨 ,  松尾 慎治 ,  土澤 泰 ,  硴塚 孝明 ,  開 達郎

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02F1/01 ,  H01S5/14

公开(公告)号：JP6922781B2

公开(公告)日：2021-08-18

申请号：JP2018029445

申请日：2018-02-22

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 開 達郎 ,  硴塚 孝明 ,  松尾 慎治

IPC: G02B6/12 ,  G02F1/025

公开(公告)号：JP2020088495A

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：JP2018217072

申请日：2018-11-20

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン ,  硴塚 孝明 ,  松尾 慎治

IPC: H04B10/2507 ,  H03H21/00 ,  H04B3/04

Abstract: 【課題】非線形性が存在する信号の等化処理を簡素化する。 【解決手段】非線形性が存在する入力信号xを2次のヴォルテラ級数で展開することにより波形等化した出力信号yを得る。m番目の出力信号y(m)を以下の式を用いて求める。以下の式において、hは考慮する全カーネル数であり、1≦h≦L 2 であり、L 2 は、2次のメモリ長である。x 2,m は、m番目の等化された出力信号y(m)に対するk次の入力信号x(m)をベクトル表記したものである。w 1 は、以下の式の線形項のタップの重みづけをベクトル表記したものである。w 2,n は、n番目のカーネルに対する式の非線形項のタップの重みづけをベクトル表記したものである。 【数1】 【選択図】 図2A

公开(公告)号：JP6588858B2

公开(公告)日：2019-10-09

申请号：JP2016096820

申请日：2016-05-13

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 硴塚 孝明 ,  西 英隆 ,  松尾 慎治 ,  藤井 拓郎 ,  武田 浩司 ,  長谷部 浩一

IPC: H01S5/125

公开(公告)号：JP6510391B2

公开(公告)日：2019-05-08

申请号：JP2015239937

申请日：2015-12-09

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 硴塚 孝明 ,  松尾 慎治

IPC: H01S5/12

公开(公告)号：JP2018006638A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2016134024

申请日：2016-07-06

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 中尾 亮 ,  硴塚 孝明 ,  松尾 慎治

IPC: G02B6/12 ,  H01S5/22

Abstract: 【課題】Si基板上に配置されたIII−V族化合物半導体からなる光素子における光閉じ込めおよび高い放熱が両立できるようにする。 【解決手段】Siからなる基板101と、基板101の上に形成された光導波路型の光素子102と、光素子102と基板101との間に形成された中間層103とを備える。光素子102は、III−V族化合物半導体から構成されている。中間層103は、光素子102を構成するコアより屈折率が低く、かつ熱伝導率が、酸化シリコン,窒化シリコン,ベンゾシクロブテンなどの絶縁材料(絶縁体)より大きい材料から構成されている。また、中間層103は、光素子102を導波する光のモードが基板101にかからない厚さとされている。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2018006590A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2016132248

申请日：2016-07-04

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 長谷部 浩一 ,  硴塚 孝明 ,  松尾 慎治 ,  小林 亘

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/227

Abstract: 【課題】光半導体素子における活性層への不純物拡散が抑制できるようにする。 【解決手段】活性層102とp型半導体層104との間、および活性層102とn型半導体層105との間に形成されたIII−V族化合物半導体からなる拡散防止層121を備える。拡散防止層121は、活性層102、p型半導体層104、およびn型半導体層105よりバンドギャップエネルギーが大きい半導体から構成されている。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2017107958A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2015239937

申请日：2015-12-09

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 硴塚 孝明 ,  松尾 慎治

IPC: H01S5/12

Abstract: 【課題】安定した単一発振モードの状態で、分布帰還型レーザの短共振器化および共振器の高Q値化ができるようにする。 【解決手段】基板101の上に形成された活性層103と、活性層103の上に形成された回折格子132と、活性層103に接して形成されたn型半導体層105およびp型半導体層106と、n型半導体層105に接続するn型電極109と、p型半導体層106に接続するp型電極110とを備える。回折格子132の一部に設けられた位相がπ反転する部分であるλ/4位相シフト部を備え、このλ/4位相シフト部の位置から活性層103(回折格子132)の両端に向かってブラッグ波長が増大する状態とされている。 【選択図】 図1A

公开(公告)号：JP6088349B2

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：JP2013104023

申请日：2013-05-16

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 山田 英一 ,  硴塚 孝明 ,  柴田 泰夫 ,  菊池 順裕

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/025 ,  G02F1/03

公开(公告)号：JP2016042547A

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：JP2014166379

申请日：2014-08-19

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 新家 昭彦 ,  納富 雅也 ,  松尾 慎治 ,  野崎 謙悟 ,  武田 浩司 ,  倉持 栄一 ,  硴塚 孝明

IPC: H01S5/10

Abstract: 【課題】フォトニック結晶共振器における共鳴モードが削減できるようにする。 【解決手段】共振部121の媒質部105が形成されている領域は、他の領域より薄くされている。基部101(フォトニック結晶103の表面)側の媒質部105上に、溝106を設けることで、共振部121の媒質部105が形成されている領域を、他の領域より薄くしている。溝106の内部は空気(空間)となる。 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：减少光子晶体谐振器中的谐振模式。解决方案：在光子晶体谐振器中，形成谐振部分121的介质部分105的区域比其它区域薄。 在基部101（光子晶体103表面）侧的介质部105上设置有槽106，由此形成共振部121的介质部105的区域比其他区域薄。 槽106的内部是空气（空间）。选择的图示：图1