公开(公告)号：JPWO2020040132A1

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：JP2019032423

申请日：2019-08-20

申请人： 株式会社ニコン

发明人： 西根 達郎

IPC分类号： H01S5/11 ,  H01S5/18 ,  H01S5/183 ,  H01S5/185 ,  H01S5/42 ,  H01S5/02253 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01S5/10

摘要： 発光素子は、光射出面から光を射出する発光デバイスであって、光を発する発光素子と、発光素子からの光が入射する第1光学素子と、第1光学素子を介して光射出面から射出される光の広がり角を制御する第2光学素子とを備え、第2光学素子に入射する光は、発光素子からの光の波長分布と異なる波長分布を有する発光デバイスが提供される。

公开(公告)号：JP2021132088A

公开(公告)日：2021-09-09

申请号：JP2020025950

申请日：2020-02-19

申请人： ウシオ電機株式会社

发明人： 宮本 晋太郎

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/40

摘要： 【課題】信頼性の高い多波長の半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ装置の一態様は、互いに同色の波長帯域内で互いに発振波長が異なる複数の半導体レーザ素子が電気的に直列に接続された半導体レーザ装置であって、前記複数の半導体レーザ素子における出射端面における反射率が互いに異なっている。 【選択図】 図4

公开(公告)号：JP2021111785A

公开(公告)日：2021-08-02

申请号：JP2020214577

申请日：2020-12-24

申请人： 旭化成株式会社 ,  国立大学法人東海国立大学機構

发明人： 張 梓懿 ,  久志本 真希 ,  天野 浩

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/028 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H01L31/12 ,  H01S5/10

摘要： 【課題】大量生産に適したレーザーダイオードを有する光学装置の製造方法を提供すること、及び、正確な特性評価が可能で測定誤差の小さいレーザーダイオードを有する光学装置を提供することを課題とする。 【解決手段】光学装置の製造方法は、基板上に形成されたn型導電性を有する窒化物半導体層を含むn型クラッド層と、n型クラッド層上に形成された1つ以上の量子井戸を含む発光層と、発光層上に形成されたp型の導電性を有する窒化物半導体層を含むp型クラッド層と、を有する半導体積層部をエッチングして、共振器端面を有するメサ構造を形成してレーザーダイオードを形成するエッチング工程と、メサ構造の全側面を覆うように光反射層を形成する反射層形成工程と、を備える。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6895690B2

公开(公告)日：2021-06-30

申请号：JP2019117573

申请日：2019-06-25

申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所

发明人： 中村 考宏 ,  黒田 隆之助 ,  秋山 英文 ,  金 昌秀 ,  伊藤 隆 ,  中前 秀一

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/34 ,  H01S5/04

公开(公告)号：JP2021072299A

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：JP2019195931

申请日：2019-10-29

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 藤原 直樹 ,  八木 英樹 ,  小路 元 ,  平谷 拓生 ,  菊地 健彦 ,  新田 俊之

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/50 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02B6/122 ,  H01S5/026

摘要： 【課題】良好な特性が得られ、かつ小型化が可能な半導体光素子を提供する。 【解決手段】シリコンの導波路を有するSOI基板と、前記SOI基板に接合され、III−V族化合物半導体で形成され、光学利得を有する利得領域と、を具備し、前記導波路は、屈曲部と、前記屈曲部を介して互いに接続され直線状に延伸する複数の直線部と、を含み、前記利得領域は前記複数の直線部それぞれの上に位置する半導体光素子。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6842422B2

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：JP2017543826

申请日：2016-02-18

申请人： フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウ ,  Forschungsverbund Berlin e.V.

发明人： フリッケ, ヨルグ ,  デッカー, ヨナタン ,  クランプ, ポール ,  エルベルト, ゲッツ

IPC分类号： H01S5/10

公开(公告)号：JP6504319B1

公开(公告)日：2019-04-24

申请号：JP2018543731

申请日：2018-03-29

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 吉野 達郎 ,  鈴木 正人 ,  根岸 将人 ,  吉川 兼司

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  B28D5/00 ,  H01L21/301

摘要： 光を放射する活性領域が形成された基板の裏面に第1電極と第2電極を設け、該基板よりも脆性が小さい材料で形成された積層物を該第1電極と該第2電極の間の領域の一部に該活性領域の直下に位置するように設けることと、該活性領域の直上に該積層物を位置させた状態で、該積層物とともに該基板を劈開することで該活性領域が表れた平面を露出させることと、を備えたことを特徴とする。

公开(公告)号：JP2019040046A

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：JP2017161646

申请日：2017-08-24

申请人： 公立大学法人大阪府立大学 ,  シャープ株式会社 ,  国立大学法人京都大学

发明人： 高橋 和 ,  高橋 幸司 ,  河西 秀典 ,  野田 進 ,  浅野 卓

IPC分类号： G02F1/35 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H01S5/10 ,  G02B6/122

摘要： 【課題】異なる波長を有する複数の共振器を同時に励起させる。 【解決手段】光源モジュール(4)は、シリコン基板(4a)に多数の空孔(4b)が形成されたフォトニック結晶構造体を備えている。フォトニック結晶構造体には、複数の微小共振器(41〜43)が設けられている。各微小共振器(41〜43)は、単一の励起光源から発されて基板(4a)に入射する入射光により同時に励起され、かつ異なる励起波長で共振する励起共振モードをそれぞれ有する。入射光は、前記複数の共振器に対する複数の異なる前記励起波長を連続的に含むスペクトルを有する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JPWO2017150382A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：JP2017007164

申请日：2017-02-24

申请人： 国立大学法人東京工業大学

发明人： 小山 二三夫 ,  中▲濱▼ 正統 ,  顧 暁冬

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/50 ,  H01S5/06 ,  H01S5/183

摘要： 面発光レーザ1は、出力部4を備える。出力部4は、横長のVCSEL(垂直共振器面発光レーザ)構造を有する。出力部4は、発振しきい値より大きな電流が注入された発振状態で動作し、VCSEL構造の長手方向の一端の結合面3にコヒーレントなシード光を受け、シード光をVCSEL構造内で垂直方向に多重反射させながら、VCSEL構造の長手方向にスローライト伝搬させ、VCSEL構造の上面から出力光L2を取り出す。

公开(公告)号：JP6394832B1

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2018506227

申请日：2017-11-17

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 中村 直幹

IPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/02

摘要： 半導体レーザ装置が備える前端面および後端面それぞれが、半導体基板の端部、第一導電型クラッド層の端部、活性層の端部、および第二導電型クラッド層の端部を含む。前端面が、活性層の端部を含む共振器端面部と、共振器端面部よりも予め定められた所定突出量だけ共振器長方向へ突き出ており段差底面部を備えた突出部と、を含む。共振器端面部と段差底面部とが接続して隅部を形成する。活性層の厚さ中央位置から段差底面部までの距離を、底面部深さする。底面部深さが、予め定めた特定深さと同じまたは当該特定深さよりも深くされている。所定突出量をXとし、底面部深さをYとし、共振器端面部から出射されるレーザ光の広がり角の半角をβとした場合に、β>arctan(Y/X)を満たすように所定突出量および底面部深さが定められる。