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公开(公告)号:JP2017203966A
公开(公告)日:2017-11-16
申请号:JP2016097427
申请日:2016-05-13
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社
Inventor: 中西 智浩 , 佐藤 照明 , 石井 元速 , 今野 悟 , 鈴木 雄一 , 長島 茂雄 , 美野 真司 , 浅川 修一郎 , 福田 浩 , 亀井 新 , 相馬 俊一 , 都築 健 , 碓氷 光男 , 才田 隆志
Abstract: 【課題】光ファイバアレイとの接続を有する、高密度に実装可能な光回路を提供すること。 【解決手段】ボード101に2つの30mm角のパッケージモジュール102、105が実装され、パッケージモジュール102に実装された20mm角のSiフォトニクス光波回路103の光導波路と光ファイバブロック(15×10mm)104に固定された光ファイバアレイ106とが接続されている。また、Siフォトニクス光波回路103の光導波路の出射端面は、パッケージモジュール102の実装面に対して垂直である。本実施形態では、Siフォトニクス光波回路103の光導波路を右側端面に垂直な方向から、適当な角度、例えば20度傾けている。そして、光ファイバブロック104も、各光ファイバをSiフォトニクス光波回路103と接続する端面に垂直な方向から20度傾けて固定している。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2018077276A
公开(公告)日:2018-05-17
申请号:JP2016217193
申请日:2016-11-07
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社
Abstract: 【課題】パッケージに搭載した状態でファイバアレイとアライメント可能であり、本回路部分に影響を与えずにサイズを小さくできる低コストな光回路基板、光デバイス、およびアライメント方法を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明に係る光回路基板は、ファイバアレイ接続端近傍で調心光をファイバアレイに戻すループバック回路を搭載することとした。調心用のループバック回路は光導波路パターンで形成できるので従来の光回路基板と比べて製造コストは上昇しない。光ファイバから光回路基板の調心用ポートに結合した調心光はループバック回路で当該光ファイバへ戻される。このため、この戻り光を利用してアライメントが可能となる。つまり、光を反射する膜やミラーを設置することなくパッケージに搭載した状態でアライメントが可能になる。 【選択図】図4
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公开(公告)号:JP5777164B2
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:JP2012185810
申请日:2012-08-24
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
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公开(公告)号:JP5759622B2
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:JP2014512369
申请日:2013-04-24
Applicant: 日本電信電話株式会社
CPC classification number: G02B6/30 , G02B6/12004 , G02B6/125 , G02F1/011 , G02B2006/1204 , G02B2006/12119 , G02B2006/12142 , G02B6/1203 , G02B6/4267 , G02F2001/0113
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公开(公告)号:JP6059589B2
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:JP2013084374
申请日:2013-04-12
Applicant: 日本電信電話株式会社
IPC: H04B10/516 , H04B10/54 , H04B10/556 , G02F1/01
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公开(公告)号:JP2016218280A
公开(公告)日:2016-12-22
申请号:JP2015103680
申请日:2015-05-21
Applicant: NTTエレクトロニクス株式会社 , 日本電信電話株式会社
Inventor: 佐藤 照明 , 菅原 一也 , 美野 真司 , 石井 元速 , 鈴木 雄一 , 浅川 修一郎 , 福田 浩 , 亀井 新 , 相馬 俊一 , 都築 健 , 碓氷 光男 , 才田 隆志
Abstract: 【課題】接触面が平坦な光ファイバブロックと接続可能なSiフォトニクス光波回路を提供する。 【解決手段】上面に光波回路610が形成されるSi基板611において、Si基板上部とSi基板上面に形成された光波回路とを、エッチングにより除去する第1の工程601と、第1の工程のエッチングにより除去されないSi基板に、Si基板の上面及び下面から視認できるマーカを形成する第2の工程602と、第1の工程により除去されないSi基板を切断する位置を、マーカを基準とし位置決めする第3の工程と、第1の工程により除去されないSi基板を、Si基板の下面側から切断する第4の工程とからなる工程603とを含むSiフォトニクス光波回路の製造方法である。 【選択図】図6
Abstract translation: 的接触表面,以提供可连接到平坦光纤块在Si光子光回路。 在Si衬底611的顶光波线路610被形成,并且形成在Si基片的顶部和Si衬底上表面上的光回路中,第一步骤601是通过蚀刻,在第一步骤中除去 Si衬底,其不被蚀刻去除,并且形成一个标记物从上表面可见的第二步骤602和Si衬底的下表面,切割相对于标记的定位未由所述第一步骤中去除的Si基板的位置 第三步骤中,未由所述第一步骤中除去所述Si衬底,Si光子光波电路的制造方法,包括步骤603,其包括从Si衬底的下表面侧的切割的第四步骤。 点域6
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