Siフォトニクス光波回路及びその製造方法
    10.
    发明专利
    Siフォトニクス光波回路及びその製造方法 有权
    硅光子光波线路及其制造方法

    公开(公告)号:JP2016218280A

    公开(公告)日:2016-12-22

    申请号:JP2015103680

    申请日:2015-05-21

    Abstract: 【課題】接触面が平坦な光ファイバブロックと接続可能なSiフォトニクス光波回路を提供する。 【解決手段】上面に光波回路610が形成されるSi基板611において、Si基板上部とSi基板上面に形成された光波回路とを、エッチングにより除去する第1の工程601と、第1の工程のエッチングにより除去されないSi基板に、Si基板の上面及び下面から視認できるマーカを形成する第2の工程602と、第1の工程により除去されないSi基板を切断する位置を、マーカを基準とし位置決めする第3の工程と、第1の工程により除去されないSi基板を、Si基板の下面側から切断する第4の工程とからなる工程603とを含むSiフォトニクス光波回路の製造方法である。 【選択図】図6

    Abstract translation: 的接触表面,以提供可连接到平坦光纤块在Si光子光回路。 在Si衬底611的顶光波线路610被形成,并且形成在Si基片的顶部和Si衬底上表面上的光回路中,第一步骤601是通过蚀刻,在第一步骤中除去 Si衬底,其不被蚀刻去除,并且形成一个标记物从上表面可见的第二步骤602和Si衬底的下表面,切割相对于标记的定位未由所述第一步骤中去除的Si基板的位置 第三步骤中,未由所述第一步骤中除去所述Si衬底,Si光子光波电路的制造方法,包括步骤603,其包括从Si衬底的下表面侧的切割的第四步骤。 点域6

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