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公开(公告)号:JP2017199743A
公开(公告)日:2017-11-02
申请号:JP2016087730
申请日:2016-04-26
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 【課題】より高い自由度でスピン流の状態が制御できるようにする。 【解決手段】金属から構成された金属薄膜の厚さにより、スピン軌道相互作用の強さを制御する。まず、金属薄膜の結晶状態を結晶状態または多結晶状態のいずれかにすることによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。また、結晶状態に加えて金属薄膜の厚さによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。 【選択図】 なし
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公开(公告)号:JP2015222789A
公开(公告)日:2015-12-10
申请号:JP2014106992
申请日:2014-05-23
Applicant: 株式会社デンソー , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】熱電性能に優れた低コストの熱電変換素子を提供すること。 【解決手段】熱電変換素子1は、磁化されるとともに磁化方向Mと交差する方向に温度勾配を形成することができるよう構成された磁性体2と、温度勾配の方向に交差する磁性体2の表面に形成され、白金からなる起電体3と、を有する。起電体3の厚みは、8nm以下である。起電体3の厚みは、5nm以下であることが好ましく、3nm以下であることがさらに好ましい。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种热电性能优异的低成本热电元件。解决方案:热电元件1包括:被磁化的磁体2,能够在与磁化相交的方向上形成温度梯度 方向M; 以及形成在由铂构成的沿着温度梯度的方向交叉的磁体2的表面上的电动体3。 电动体3的厚度为8nm以下。 电动体3的厚度优选为5nm以下,更优选为3nm以下。
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