-
公开(公告)号：JP6792841B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2017076621
申请日：2017-04-07
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
-
公开(公告)号：JP6222737B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014107791
申请日：2014-05-26
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
-
公开(公告)号：JP5920927B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2012284410
申请日：2012-12-27
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
-
公开(公告)号：JP2021027088A
公开(公告)日：2021-02-22
申请号：JP2019141973
申请日：2019-08-01
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 【課題】より高効率で、機能的なスピン軌道材料を提供する。 【解決手段】スピン材料は、レニウムの酸化物(酸化レニウム)から構成されてスピン軌道トルクを生成する。このスピン材料は、酸化の状態を制御することで、スピン材料のスピン軌道トルク生成効率を制御することができる。例えば、スピン材料の成膜時の温度により、スピン材料の酸化の状態を制御することができる。また、スピン材料の成膜時の成膜レートにより、スピン材料の酸化の状態を制御することができる。スピン材料の成膜は、例えば、酸素を用いた反応性スパッタ法により実施することができる。 【選択図】 なし
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2018181975A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017076621
申请日：2017-04-07
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
Abstract: 【課題】より低コストで実用化できるスピンデバイスを提供する。 【解決手段】Cuからなる金属材料層に窒素を添加して金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させる。Cuは、スピン軌道相互作用が弱い材料であり、スピンデバイスに適用できない材料である。これに対し、銅の薄膜(金属材料層)に対し、窒素を不純物として添加することで、スピン軌道相互作用が増大し、スピンデバイスに適用可能となる。安価な材料であるCuおよび窒素により、スピン軌道相互作用の強さを白金などの希少金属と同程度にすることができ、これら高価な材料系を安価な材料で代替することが可能となり、スピンデバイスのコスト削減につながる。スピン注入磁気メモリは、スピン注入層(窒素を添加した金属材料層)101と、スピン注入層101の上に形成された強磁性体からなる自由層102とを備える。 【選択図】図5
-
公开(公告)号：JP2020043222A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018169479
申请日：2018-09-11
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
Abstract: 【課題】スピンの流れを任意の場所に運べるようにする。 【解決手段】半導体からなる量子井戸構造101と、量子井戸構造101の上に形成されたゲート電極102と、偏光の光をゲート電極102が形成されている領域の中央部に照射する光照射部103とを備える。量子井戸構造101は、化合物半導体から構成され、主表面が(001)面とされていればよい。ゲート電極102は、例えば、平面視で円環状に形成されている。光照射部103は、ゲート電極102が形成されている領域の内部おける井戸層にスピン偏極電子を生成するための円偏光の光を、ゲート電極102が形成されている領域の中央部に照射する。 【選択図】 図2
-
公开(公告)号：JP2017199743A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016087730
申请日：2016-04-26
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 【課題】より高い自由度でスピン流の状態が制御できるようにする。 【解決手段】金属から構成された金属薄膜の厚さにより、スピン軌道相互作用の強さを制御する。まず、金属薄膜の結晶状態を結晶状態または多結晶状態のいずれかにすることによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。また、結晶状態に加えて金属薄膜の厚さによりスピン軌道相互作用の強さを制御する。 【選択図】 なし
-
公开(公告)号：JP2016213226A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015092626
申请日：2015-04-30
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 【課題】強磁性体のスピン偏極率に依存せずに、高いスピン偏極率の状態を強磁性体層より半導体層中に生成できるようにする。 【解決手段】強磁性を示す金属が不純物としてドープされた半導体から構成された半導体層101と、強磁性体から構成されて半導体層101に接合して形成された強磁性体層102とを備える。半導体層101は、例えば、GaAsから構成し、強磁性体層102は、Feから構成すれば良い。また、半導体層101は、例えば、GaAsから構成し、強磁性体層102は、CoFeBから構成してもよい。また、半導体層101は、例えば、GaAsから構成し、強磁性体層102は、GaMnAsから構成してもよい。また、半導体層101にドープする強磁性金属は、Fe、Co、Niのいずれかであれば良い。 【選択図】 図1
Abstract translation: 铁磁材料的自旋极化的独立的，因此，可以比所述铁磁性层的半导体层中来产生高自旋极化的状态。 的金属铁磁性显示出设置有由掺杂的半导体作为杂质的半导体层101，和铁磁层构造102，其由铁磁材料制成的接合半导体层101形成 。 半导体层101是，例如，由GaAs构成，强磁性层102可以由Fe组成。 此外，半导体层101是，例如，由GaAs构成，强磁性层102可以由的CoFeB的。 此外，半导体层101，例如由GaAs构成，强磁性层102可从的GaMnAs构造。 强磁性金属掺杂到半导体层101，铁，钴，并且可以是和Ni。 点域1
-
公开(公告)号：JP2015225870A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014107791
申请日：2014-05-26
Applicant: 日本電信電話株式会社 , 国立大学法人東北大学
IPC: H01L29/82
Abstract: 【課題】スピン歳差運動を局所的に制御できるようにする。 【解決手段】第1障壁層101,量子井戸層102,第2障壁層103が積層された量子井戸構造104と、励起光照射部105と、磁場印加部107とを備える。励起光照射部105は、円偏光した励起光を量子井戸層102の制御領域106に選択的に照射する。また、励起光照射部105は、照射する円偏光の光強度を制御可能とされている。また、磁場印加部107は、量子井戸層102の平面方向への磁場を、量子井戸層102の制御領域106に印加する。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：允许自旋进动的局部控制。解决方案：电子自旋控制器包括层叠第一阻挡壁101，量子阱层102和第二阻挡层103的量子阱结构104，激发光照射 单元105和磁场施加单元107.激发光照射单元105选择性地用圆偏振激发光照射量子阱层102的控制区域106。 激发光照射单元105还可以控制照射圆偏振光的强度。 此外，磁场施加单元107将量子阱层102的平面方向的磁场施加到其控制区域106。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.032 seconds)
