公开(公告)号：JP6792841B2

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：JP2017076621

申请日：2017-04-07

Applicant: 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 国橋 要司 ,  眞田 治樹 ,  後藤 秀樹 ,  寒川 哲臣 ,  好田 誠 ,  新田 淳作 ,  蒲生 寛武 ,  榎 涼斗

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

公开(公告)号：JP2018181975A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017076621

申请日：2017-04-07

Applicant: 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 国橋 要司 ,  眞田 治樹 ,  後藤 秀樹 ,  寒川 哲臣 ,  好田 誠 ,  新田 淳作 ,  蒲生 寛武 ,  榎 涼斗

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

Abstract: 【課題】より低コストで実用化できるスピンデバイスを提供する。 【解決手段】Cuからなる金属材料層に窒素を添加して金属材料層のスピン軌道相互作用を増大させる。Cuは、スピン軌道相互作用が弱い材料であり、スピンデバイスに適用できない材料である。これに対し、銅の薄膜(金属材料層)に対し、窒素を不純物として添加することで、スピン軌道相互作用が増大し、スピンデバイスに適用可能となる。安価な材料であるCuおよび窒素により、スピン軌道相互作用の強さを白金などの希少金属と同程度にすることができ、これら高価な材料系を安価な材料で代替することが可能となり、スピンデバイスのコスト削減につながる。スピン注入磁気メモリは、スピン注入層(窒素を添加した金属材料層)101と、スピン注入層101の上に形成された強磁性体からなる自由層102とを備える。 【選択図】図5