公开(公告)号：JP6222737B2

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：JP2014107791

申请日：2014-05-26

Applicant: 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 眞田 治樹 ,  国橋 要司 ,  後藤 秀樹 ,  寒川 哲臣 ,  好田 誠 ,  青木 あすか ,  新田 淳作

IPC: H01L29/82

公开(公告)号：JP2015225870A

公开(公告)日：2015-12-14

申请号：JP2014107791

申请日：2014-05-26

Applicant: 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東北大学

Inventor： 眞田 治樹 ,  国橋 要司 ,  後藤 秀樹 ,  寒川 哲臣 ,  好田 誠 ,  青木 あすか ,  新田 淳作

IPC: H01L29/82

Abstract: 【課題】スピン歳差運動を局所的に制御できるようにする。 【解決手段】第1障壁層101,量子井戸層102,第2障壁層103が積層された量子井戸構造104と、励起光照射部105と、磁場印加部107とを備える。励起光照射部105は、円偏光した励起光を量子井戸層102の制御領域106に選択的に照射する。また、励起光照射部105は、照射する円偏光の光強度を制御可能とされている。また、磁場印加部107は、量子井戸層102の平面方向への磁場を、量子井戸層102の制御領域106に印加する。 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：允许自旋进动的局部控制。解决方案：电子自旋控制器包括层叠第一阻挡壁101，量子阱层102和第二阻挡层103的量子阱结构104，激发光照射 单元105和磁场施加单元107.激发光照射单元105选择性地用圆偏振激发光照射量子阱层102的控制区域106。 激发光照射单元105还可以控制照射圆偏振光的强度。 此外，磁场施加单元107将量子阱层102的平面方向的磁场施加到其控制区域106。