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公开(公告)号：JP2017107007A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015239339
申请日：2015-12-08
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: G03F1/60
Abstract: 【課題】平坦度測定装置によって傾斜面を保持する場合に、主面の平坦度の測定精度を向上できる、マスクブランク用のガラス基板の提供。 【解決手段】互いに略平行とされる2つの主面12a、12bと、互いに略平行とされ且つ2つの前記主面に対し略垂直とされる2つの側面14a、14bと、2つの前記主面のいずれかに対し鈍角に交わり、2つの前記主面のいずれかと2つの前記側面のいずれかとをつなぐ略平坦な4つの傾斜面16a〜16dとを有し、2つの前記主面および2つの前記側面に対し略垂直な断面であって片側の前記側面の長手方向中点および反対側の前記側面の長手方向中点の両方を含む断面において、片側の前記側面を挟んで隣り合う2つの前記傾斜面の傾斜角の差の大きさが0°以上、2°以下であり、且つ、反対側の前記側面を挟んで隣り合う他の2つの前記傾斜面の傾斜角の差の大きさが0°以上、2°以下である、マスクブランク用のガラス基板。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2017039620A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015161818
申请日：2015-08-19
Applicant: 旭硝子株式会社
Inventor： 平林 佑介
Abstract: 【課題】欠点検査機では検出できないが、マスクパターン転写時にパターン不良の原因になる欠点の存在が解消されたマスクブランクス用ガラス基板の提供。 【解決手段】パターンを形成する側の主表面の品質保証領域上に、球相当直径(SEVD)換算で100nm超の凹状欠点が存在せず、球相当直径(SEVD)換算で100nm以下の凹状欠点が4個以上存在する、マスクブランクス用ガラス基板であって、該主表面の品質保証領域内で、前記球相当直径(SEVD)換算で100nm以下の凹状欠点から選ばれる任意の3個の凹状欠点の座標を通過する仮想円の中心座標と半径長さを、3個の凹状欠点を抽出する全ての組み合わせについて算出したときに、前記仮想円の中心間距離が最も近い2つの仮想円の中心間距離、若しくは、半径長さの差が1mm以上であることを特徴とする、マスクブランクス用ガラス基板。 【選択図】なし
Abstract translation: A不能由缺陷检查机来检测，但是提供了用于缺陷的存在导致图案失败时被转印掩模图案被消除的掩模坯件的玻璃基板。 上区域中形成的质量保证的主表面侧的图案，有100nm的无凹状缺陷比当量球径（SEVD）而言，等效球体直径（SEVD）为100nm以下来讲凹状缺陷 本但是四个或更多个，对于掩模坯料，质量保证的主表面的面积的玻璃基板，在以下方面的凹形缺陷从等效球体直径（SEVD）100nm的选择任意三个凹形缺陷 的中心坐标和所述假想圆的半径长度通过三个之间的坐标传递用于提取凹状缺陷的所有组合来计算的情况下，假想圆的中心之间的距离最近的两个假想圆中心 距离，或其中所述半径长度之差为1mm以上，对于空白掩模的玻璃基板。 系统技术领域
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公开(公告)号：JP2016107386A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014249604
申请日：2014-12-10
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: B24B37/00 , G03F1/60 , G03F1/24 , H01L21/027 , B24B7/24
Abstract: 【課題】面取り面を有するガラス基板の主表面を研磨する際に欠点の発生を抑制する研磨方法および主表面の表面粗さと平坦度とが抑制されたガラス基板を提供する。 【解決手段】研磨パッドと研磨スラリーとを用いるガラス基板の研磨方法であって、前記ガラス基板の主表面の研磨量が研磨終了時から遡って5nm以降の研磨については、前記ガラス基板の側面からの距離が1.5mm〜2.5mmの範囲の主表面がなす形状の最小二乗直線を基準にした場合に、主表面から面取面にかけての領域のうち、前記基準からの高さが−0.2〜−0.7μmの遷移領域がなす形状が、下記(1)、(2)を満たす条件にて、ガラス基板の主表面を研磨する。(1)該遷移領域がなす形状の傾きが下記式を満たす。0≧遷移領域の傾き≧0.0038×基準からの高さ[μm]+0.00021(2)該遷移領域がなす形状における曲率が0〜−20×10 -6 を満たす。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种抛光方法，其在研磨具有倒角面的玻璃基板的主面时抑制缺陷的发生，并且提供其表面粗糙度和主表面的平坦度为 抑制。解决方案：在使用抛光垫和抛光浆料的玻璃基板的抛光方法中，关于在5nm之间和之后的抛光，同时回到玻璃基板的主表面的抛光量的抛光完成 玻璃基板的主表面在这样的条件下被抛光，即当这样的主表面的形状的最小二乘直线为a-1时，标准的高度为-0.2至-0.7μm的过渡区域的形状 将距离玻璃基板的侧面的距离设定为1.5〜2.5mm的范围，满足以下（1），（2）。 （1）过渡区域的形状的倾斜度满足以下关系：0≥过渡区域的倾斜度≥0.0038×标准高度[μm] +0.00021，（2）过渡区域的形状的曲率满足0〜 -20×10.选择图：图1
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公开(公告)号：JP6229807B1
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2017031497
申请日：2017-02-22
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 【課題】パターン重ね合せ精度の良いフォトマスクを得ることができる、マスクブランクの提供。 【解決手段】吸収膜を備える第一主表面と導電膜を備える第二主表面とを有するマスクブランクで、前記導電膜における前記ガラス基板とは反対側の面のうち、外周を除く142mm□の面形状が、下記式中のkとlとの和が3以上25以下である全てのa kl P k (x)P l (y)を足した成分の平坦度が20nm以下である。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017068237A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016114874
申请日：2016-06-08
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 【課題】主表面の中央領域の平坦度を向上した、マスクブランク用のガラス基板を提供する。 【解決手段】回路パターンを有する膜が形成される矩形の主表面を有し、縦横142mmの正方形の中央領域の面形状を下記式で表すと、kとlの和が3以上9以下、且つkとlの和が10以上30以下、である全ての成分を足した成分の平坦度が20nm以下であること。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2016004821A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014122572
申请日：2014-06-13
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: G03F1/24 , G03F1/82 , C03C19/00 , H01L21/027
Abstract: 【課題】局所加工による面荒れや加工変質層の発生を抑制しつつ、表面粗さが小さく平坦性に優れた表面を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。 【解決手段】基板主表面の凹凸形状を測定する表面形状測定工程と、得られた形状と仕上げ研磨による平坦度変化を見越し、加工量分布を計算する計算工程と、加工量分布に基づき、局所加工ツールを用いて、該マスクブランク用ガラス基板の主表面を加工する第1の加工工程と、第1の加工実施後に、加工によって主表面に生じた、表面荒れの修正、及び/または、加工変質層の少なくとも一部の除去、のための第2の加工工程と、を有し、第1の加工では、主表面の品質保証領域全ての加工量の最小値が、加工量分布のPV値(nm)の1/10、および、30nmのうち、いずれか小さいほう以上、かつ、前記加工量分布のPV値(nm)以下で定められる値となるように加工する事で、優れた平坦性を得る。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于掩模的玻璃基板的制造方法，其包括具有减小表面粗糙度并提高平坦度的表面，同时抑制由局部加工引起的表面粗糙度或受影响层的产生。解决方案：制造方法包括 ：测量基板主面的凹凸形状的表面形状测量步骤; 计算步骤，计算处理量分布，同时考虑测量的形状和由精抛光引起的平坦度变化; 第一处理步骤，基于处理量分布，在使用本地处理工具的同时处理用于掩模板的玻璃基板的主表面; 以及第二处理步骤，通过在执行第一处理之后的处理来校正表面粗糙度和/或去除在主表面上产生的受影响层的至少一部分。 在第一处理中，以这样的方式执行处理，使得主表面上的所有质量许可区域中的处理量的最小值被确定为等于或大于其中的1/10 PV值（nm）中的较小值的值 处理量分布，并且处理量分布的30nm且等于或小于PV值（nm）。 因此，获得了优异的平坦度。
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公开(公告)号：JP2017182055A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2017041105
申请日：2017-03-03
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 【課題】変形を有意に抑制できるマスクブランク用基板。 【解決手段】マスクブランク用基板において、第1の主表面には、標準領域、枠状領域および内部領域が区画され、枠状領域は、各コーナー部に第1〜第4のコーナー領域を有し、隣接するコーナー領域の中央に第1〜第4の中央領域を有し、標準領域の最小二乗平面PP 1 に基づいて定められる内部領域の平坦度は、100nm以下であり、枠状領域の一つのコーナー領域を第nのコーナー領域とし、該第nのコーナー領域に最近接の2つの中央領域を、それぞれ、第1近接中央領域および第2近接中央領域としたとき、第nのコーナー領域、第1近接中央領域および第2近接中央領域において、表面凹凸に関する所定の関係が成り立つ。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017107222A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2017017897
申请日：2017-02-02
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 【課題】主表面の中央領域の平坦度を向上した、マスクブランクの提供。 【解決手段】回路パターンを有する膜が形成される矩形の主表面を有するガラス基板10と、前記膜とを備えるマスクブランクであって、前記膜の前記ガラス基板とは反対側の主表面は、矩形であって、当該主表面のうち、その四角枠状の外周領域を除く、縦142mm、横142mmの正方形の中央領域の面形状を数式で表すと、式中のkとlとの和が3以上30以下である全てのa kl P k (x)P l (y)を足した成分の平坦度が22nm以下である、マスクブランク。 【選択図】図1
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