半導体デバイスの製造方法及び熱伝導シート

    公开(公告)号:JPWO2020039561A1

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:JP2018031196

    申请日:2018-08-23

    IPC分类号: H01L23/36

    摘要: 半導体デバイスの製造方法は、150℃における圧縮応力が0.10MPaのときの圧縮弾性率が1.40MPa以下である熱伝導シートが間に配置された放熱体と複数の発熱体に対して、前記熱伝導シートの厚み方向に圧力をかけて、前記放熱体と前記複数の発熱体とを前記熱伝導シートを介して接着させる工程を含む。