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公开(公告)号：JP5341699B2
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：JP2009226494
申请日：2009-09-30
Applicant: 昭和電工株式会社
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for obtaining a solid electrolytic capacitor which has high capacitance appearance ratio and low ESR, even when a positive electrode having a dielectric layer containing diniobium pentaoxide on its surface is used. SOLUTION: A positive electrode having a dielectric layer containing diniobium pentaoxide on its surface is immersed in a solution containing an oxidant and a dopant; thereafter, the positive electrode is immersed in a solution containing a polymeric monomer; next, the positive electrode is immersed in the solution containing the oxidant and the dopant; and finally, a solid electrolytic capacitor is obtained by cleaning the positive electrode and carrying out a drying operation. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JP5383041B2
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：JP2007526913
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: C01G23/00 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01L41/22 , H01L41/317
CPC classification number: C01G23/00 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G9/15 , H01L41/1871 , H01L41/317 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: The invention provides a complex oxide film having a high crystallinity, produced by forming the complex oxide film on a substrate surface and then calcining the complex oxide film in atmospheric gas under oxygen partial pressure of 1x10-3 Pa or less at 400° C. or more and a production method thereof. Further, the invention provides a dielectric or piezoelectric material containing the complex oxide film, a capacitor and a piezoelectric element using the material, and an electronic device comprising the element.
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公开(公告)号：JPWO2014104177A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2014554537
申请日：2013-12-26
Applicant: 昭和電工株式会社
CPC classification number: B22F1/0085 , B22F1/0003 , B22F1/0096 , B22F3/10 , B22F9/20 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22C27/02 , C22C32/0031 , C25D5/48 , C25D11/34 , H01G9/052 , H01G9/0525 , C22C1/05
Abstract: 本発明は、多孔質で、かつ結着強度が大きく静電容量が大きい電解コンデンサ及び素子を製造できる化成体とその製造方法を提供する。本発明のコンデンサは、表面に誘電体層を有し、ニオブ元素とニオブ以外の金属元素を含む化合物からなるコンデンサの陽極の化成体であって、ニオブ以外の金属元素がニオブの周辺を囲むように分布することを特徴とする化成体、及び前記化成体とその化成体表面の誘電体層上に陰極とを有する。前記化成体は、水素化ニオブとニオブ以外の金属元素を含む化合物とを混合して混合物とし、前記ニオブ以外の金属元素を含む化合物の拡散開始温度よりも高い温度で熱処理してニオブ造粒物を得、これを焼結し、焼結体を電解酸化して表面に誘電体層を形成することにより得ることができる。
Abstract translation: 本发明是一种多孔的，并且结合强度，以提供化学转化构件及其制造方法，能够产生大的电容是大的电解电容和设备制成。 本发明的电容器中，表面具有电介质层，含有除铌和铌以外的金属元素的化合物构成的电容器的阳极的化学转化，以便除铌以外的金属元素包围铌的周边 和阴极该分布转换构件，其特征在于，化学转化体的电介质层和其上的化学转化表面上。 化学转化体，通过混合含有除氢化铌和铌及其混合物，以比包含比铌以外的金属元素的化合物的扩散开始温度高的温度下的铌造粒产物进行热处理以外的金属元素的化合物 所得到的烧结体，其可以通过使烧结体的电解氧化在表面形成电介质层而得到。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP4480943B2
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：JP2002590378
申请日：2002-05-14
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: H01G9/04 , H01G9/052 , B22F1/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G39/00 , C01G41/00 , C01G45/00 , C01G47/00 , C01G55/00 , C04B35/00 , C22C1/04 , C22C32/00 , H01G9/00 , H01G9/02 , H01G9/028 , H01G9/14
CPC classification number: B22F1/0007 , B22F2999/00 , C01G33/00 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2006/11 , C01P2006/12 , C01P2006/17 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B35/58007 , C04B35/62655 , C04B35/63416 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B38/0064 , C04B2235/32 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/422 , C04B2235/446 , C04B2235/447 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6581 , C04B2235/726 , C22C1/045 , C22C32/0068 , H01G9/028 , H01G9/0525 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y02T10/7022 , B22F3/1121 , B22F3/1134 , B22F9/16 , C04B38/0054
Abstract: (1) A niobium monoxide powder for a capacitor represented by formula: NbOx (x = 0.8 to 1.2) and optionally containing other elements in an amount of 50 to 200,000 ppm, having a tapping density of 0.5 to 2.5 g/ml, an average particle size of 10 to 1000 mu m, angle of repose from 10 DEG to 60 DEG , the BET specific surface area from 0.5 to 40 m /g and a plurality of pore diameter peak tops in the pore distribution, and a producing method thereof; (2) a niobium monoxide sintered body, which is obtained by sintering the above niobium monoxide powder and, having a plurality of pore diameter peak tops in a range of 0.01 mu m to 500 mu m, preferably, the peak tops of two peaks among the plurality of pore diameter peak tops having a highest relative intensity are present in the range of 0.2 to 0.7 mu m and in the range of 0.7 to 3 mu m, respectively, and a producing method thereof; (3) a capacitor using the above sintered body and a producing method thereof; and (4) an electronic circuit and electronic device using the above capacitor.
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公开(公告)号：JPWO2007013597A1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：JP2007526913
申请日：2006-07-28
Applicant: 昭和電工株式会社
IPC: C01G23/00 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01L41/22 , H01L41/317
CPC classification number: C01G23/00 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G9/15 , H01L41/1871 , H01L41/317 , Y10T428/25 , Y10T428/26
Abstract: 本発明は、基体表面に複合酸化物膜を形成し、この複合酸化物膜を酸素分圧1×10−3Pa以下の雰囲気ガス中で400℃以上の温度で焼成することにより得られる高い結晶性を有する複合酸化物膜及びその製造方法に関する。さらに、この複合酸化物膜を含む誘電材料および圧電材料、及びこの材料を含むコンデンサ、圧電素子並びにこれらの素子を含む電子機器を提供する。
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公开(公告)号：JPWO2015053239A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015541577
申请日：2014-10-07
Applicant: 昭和電工株式会社
CPC classification number: H01G9/0525 , B22F1/0085 , B22F1/0096 , B22F9/04 , B22F9/20 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F2302/25 , B22F2304/058 , C22C27/02 , H01G9/052
Abstract: 本発明は、水素化ニオブと金属酸化物とをメカニカルアロイング法により混合して機械的合金とする工程と、前記機械的合金を粉砕する工程と、粉砕した機械的合金を熱処理により凝集させて造粒物を形成する工程とを含むことを特徴とするニオブ造粒粉末の製造方法を提供する。本発明の方法により得られるニオブ造粒粉末の焼結体を陽極体とするコンデンサは、誘電体膜の過剰な形成が防止されることによってコンデンサ容量を大きくすることができる。
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公开(公告)号：JPWO2014104178A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2014554538
申请日：2013-12-26
Applicant: 昭和電工株式会社
CPC classification number: H01G9/0425 , B22F3/10 , B22F5/00 , B22F9/04 , B22F2009/041 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22C1/0491 , C22C1/05 , C22C27/02 , H01G9/0032 , H01G9/052 , H01G9/0525 , H01G9/145 , Y10T29/42 , B22F1/0088
Abstract: 本発明は、結着強度及び静電容量が大きく、比表面積が保持され、静電容量の変動の少ない電解コンデンサ及び素子を製造できる化成体とその製造方法を提供する。本発明に係るコンデンサでは、水素化ニオブとニオブアルミニウム金属間化合物を混合し、粉砕し、熱処理により凝集させて造粒物を形成させることを含む製造方法により得られたニオブ造粒物を焼結し、その焼結体を電解酸化し焼結体表面に誘電体層を形成してなる化成体であって、アルミニウムの局在部位が誘電体層の表面から0.06μmより浅い領域に直径0.1μm〜0.5μmの大きさでアルミニウム元素の局在部位が散在して存在する化成体を用いる。ニオブアルミニウム金属間化合物として、Nb2Al、Nb3Alが好ましく使用される。
Abstract translation: 本发明中，粘结剂的强度和电容是大的，它保留了比表面积，以提供化学转化构件及其制造方法，能够制造小型铝电解电容器，并在电容变化的部件制成。 在根据本发明中，氢化铌和铌铝金属间化合物的混合物，研磨的电容器，通过该制造方法得到的烧结铌造粒产物允许聚集包括形成由热处理粒状产品 并且，通过在烧结体表面上形成介电层电解氧化烧结体中，从该介电层的表面从0.06μm的铝的直径0.1μm的定位位点在浅区域而获得的化学转化体 在〜0.5微米的大小的铝元素的定位使用的化学转化对象本穿插。 铌铝的金属间化合物，Nb2Al，优选使用Nb3Al。
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