公开(公告)号：JP2018531857A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2018501898

申请日：2016-06-16

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト ,  EPCOS AG

Inventor： 田内 剛士 ,  廣瀬 正和 ,  井村 友哉 ,  寺田 朋広

IPC: H01G4/30 ,  C04B35/47 ,  H01B3/12 ,  C04B35/475

CPC classification number: H01G4/1218 ,  C04B35/462 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/64 ,  C04B41/4578 ,  C04B41/5111 ,  C04B41/88 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/232 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30

Abstract: 【課題】 定格電圧が高い電源回路において好適に用いられ、DCバイアス印加時の比誘電率およびDCバイアス抵抗率が高く、良好な高温負荷寿命を有する誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供する。 【解決手段】 少なくともBi、Na、SrおよびTiを含むペロブスカイト型の結晶構造を有する粒子を含む誘電体組成物である。粒子の少なくとも一部は、コア部とシェル部とからなるコアシェル構造を有し、コア部に存在するBiの含有率がシェル部に存在するBiの含有率の1.2倍以上である。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6398771B2

公开(公告)日：2018-10-03

申请号：JP2015026222

申请日：2015-02-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐屋 裕子 ,  政井 琢 ,  古川 正仁 ,  南風盛 将光

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/319 ,  C04B35/475 ,  C01G29/00 ,  C01G51/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1878 ,  B32B18/00 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  C23C14/08 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083

公开(公告)号：JP2018142599A

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2017035353

申请日：2017-02-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 寺西 恵介 ,  北▲崎▼ 将士 ,  石▲崎▼ 誠

IPC: H01L41/43 ,  C04B35/453 ,  C01G49/00 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1878 ,  C01G23/006 ,  C01G49/0018 ,  C01P2002/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  H01L41/43

Abstract: 【課題】d 33 が大きく、比抵抗が大きい圧電組成物、及び当該圧電組成物を用いた圧電素子を提供すること。 【解決手段】下記化学式(1)で表される圧電組成物。 x[Bi m FeO 3 ]−y[Ba m TiO 3 ]−z[Sr m TiO 3 ] (1) [式(1)中、0.5≦x≦0.8、0.02≦y≦0.4、0.02≦z≦0.2、x+y+z=1、0.96≦m≦1.04。] 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6387969B2

公开(公告)日：2018-09-12

申请号：JP2015551577

申请日：2014-12-05

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 岡本 直之 ,  伊藤 博之 ,  木田 年紀

IPC: H01C7/112

CPC classification number: H01C7/112 ,  B32B18/00 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/00 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/62 ,  H01C1/14 ,  H01C17/06546 ,  H01C17/30 ,  H05K1/0254 ,  H05K2201/0738

公开(公告)号：JP2018524248A

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：JP2017561344

申请日：2016-05-24

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフト ,  EPCOS AG

Inventor： 寺田 朋広 ,  片木 優 ,  井村 友哉

IPC: H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/462

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/47 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/4578 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/595 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/228 ,  H01G4/30

Abstract: 【課題】 比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられ、高いDCバイアス印加時に室温付近でも高温下でも高い比誘電率を有すると共に、優れた耐電界特性を有する誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供する。 【解決手段】 主成分と、副成分と、を含有している誘電体組成物である。主成分が(Bi a Na b Sr c Ln d )TiO 3 で表される。Lnは、希土類元素の中から選択される少なくとも1種である。a、b、cおよびdは、それぞれ、0.100≦a≦0.400、0.100≦b≦0.400、0.100≦c≦0.700、0≦d≦0.100および0.900≦a+b+c+d≦1.050を満たす。副成分が第1副成分および/または第2副成分を含有する。第1副成分がLiおよびKからなる群から選択される少なくとも1種を有する。第2副成分がCu、Zn、Mn、Mg、Coからなる群から選択される少なくとも1種を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6381294B2

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：JP2014109341

申请日：2014-05-27

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 田中 秀典 ,  渡邉 隆之 ,  村上 俊介 ,  古田 達雄 ,  薮田 久人

IPC: B41J2/16 ,  H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01L41/1871 ,  B06B1/06 ,  B06B1/0644 ,  B41J2/045 ,  B41J2/14 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/1607 ,  B41J2/164 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3263 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/183 ,  H01L41/277 ,  H02N2/10 ,  H02N2/106 ,  H02N2/16 ,  H02N2/163 ,  H02N2/22 ,  H04N5/2171 ,  H04N5/2253

公开(公告)号：JP6324088B2

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：JP2014013649

申请日：2014-01-28

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 久保田 純 ,  村上 俊介 ,  渡邉 隆之 ,  上田 未紀

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/273 ,  H01L41/43 ,  C04B35/468 ,  B41J2/14 ,  H02N2/02 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/18 ,  B06B1/0644 ,  B08B7/02 ,  B32B18/00 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  C01G49/0036 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/345 ,  C04B2237/704 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/183 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43 ,  H02N2/001 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163 ,  H04N5/2254

公开(公告)号：JP2018052793A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016194621

申请日：2016-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芝山 武志 ,  村井 明日香 ,  高橋 幸雄 ,  鈴木 孝志 ,  田之上 寛之 ,  ▲高▼橋 聖樹

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/30

CPC classification number: H01F1/344 ,  C04B35/265 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/94 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/046

Abstract: 【課題】小型DC−DCコンバータに用いる、高周波領域におけるインダクタとして動作する周波数特性と大電流を印加しても、殆んど変化しない直流重畳特性を有する、初透磁率,比抵抗,周波数特性及び温度特性が良好なフェライト組成物と、前記フェライト組成物を用いた電子部品の提供。 【解決手段】主成分が、酸化鉄をFe 2 O 3 換算で18〜30モル%、酸化銅をCuO換算で4〜14モル%、酸化亜鉛をZnO換算で0〜6モル%、残部が酸化ニッケルで構成され、主成分100重量部に対して、副成分として、ケイ素化合物をSiO 2 換算で0.30〜1.83重量部、コバルト化合物をCo 3 O 4 換算で2.00〜10.00重量部、ビスマス化合物をBi 2 O 3 換算で1.00〜3.00重量部、含有し、Co 3 O 4 換算したコバルト化合物の含有量を、SiO 2 換算したケイ素化合物の含有量で割った値が、5.5〜30.0であるフェライト組成物。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6269965B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2014530054

申请日：2012-09-14

Applicant: ジ オーストラリアン ナショナル ユニバーシティ

Inventor： ワンビアオ・フー ,  メラニー・キッチン ,  ユン・リウ ,  アマンダ・スネイシャル ,  レイモンド・エル・ウィザース ,  ラッセ・ノレン

IPC: C01G23/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/462

CPC classification number: C04B35/478 ,  C01G23/002 ,  C01G23/047 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/462 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/6562 ,  H01G4/1218

公开(公告)号：JP2017538294A

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：JP2017532210

申请日：2015-09-08

Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag ,  エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag

Inventor： 廣瀬　正和 ,  正和 廣瀬 ,  剛士 田内 ,  剛士 田内 ,  友哉 井村 ,  友哉 井村

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227

Abstract: 【課題】本発明は、少なくとも8V/μmのDCバイアス印加時に800以上の比較的高い比誘電率を有し、かつ、4%以下の比較的低い誘電損失を有する誘電体組成物およびその誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】 (BiaNabSrcBad)(αxTi1−x)O3で表される主成分を有する誘電体組成物であって、αは、ZrおよびSnの中から選択される少なくとも1種であり、a、b、c、dおよびxは、それぞれ、0.140≦a≦0.390、0.140≦b≦0.390、0.200≦c≦0.700、0.020≦d≦0.240、0.020≦x≦0.240および0.950≦a+b+c+d≦1.050を満たすことを特徴とする誘電体組成物。【選択図】図2