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公开(公告)号：JP2019207299A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2018101877
申请日：2018-05-28
Applicant: 東京応化工業株式会社
IPC: G03F7/039 , C07C309/12 , C07C309/24 , C07C61/39 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 【課題】リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】一般式(bd1)で表される、アニオン部とカチオン部とからなる化合物を含有するレジスト組成物。式(bd1)中、Rx 1 〜Rx 4 は、炭化水素基もしくは水素原子を表すか、又は相互に結合して環構造を形成していてもよい。Ry 1 〜Ry 2 は、炭化水素基もしくは水素原子を表すか、又は相互に結合して環構造を形成していてもよい。Rz 1 〜Rz 4 は、炭化水素基もしくは水素原子を表すか、又は相互に結合して環構造を形成していてもよい。Rx 1 〜Rx 4 、Ry 1 〜Ry 2 及びRz 1 〜Rz 4 のうち少なくとも1個はアニオン基を有する。M m+ は、スルホニル基を有するスルホニウムカチオンを表す。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021103233A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019234511
申请日：2019-12-25
Applicant: 東京応化工業株式会社
Abstract: 【課題】高感度化が図れ、ラフネス低減等のリソグラフィー特性がより向上するとともに、パターンの膜減りを生じにくいレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、一般式(d0)で表される化合物を含む塩基成分と、酸発生剤成分との総含有量を、基材成分100質量部に対して25質量部以上60質量部以下に規定したレジスト組成物を採用する。式(d0)中、Rd 0 は、1価の有機基である。Xd 0 は、−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−、−C(=O)−O−、−S−、又は−SO 2 −である。Yd 0 は、置換基を有してもよい2価の炭化水素基又は単結合である。M m+ は、m価の有機カチオンを表す。mは1以上の整数である。 [化1] 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021103232A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019234510
申请日：2019-12-25
Applicant: 東京応化工業株式会社
Abstract: 【課題】感度及び微細解像性が良好なレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、一般式(d0)で表される化合物(D0)と、を含有するレジスト組成物。式中、Rd 1 は、電子求引性基を有するアリール基である。Rd 2 及びRd 3 は、それぞれ独立に置換基を有してもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表す。Rd 2 及びRd 3 は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい(但し、−C(=O)−を介して形成する環構造は除く)。Rd 0 は、1価の有機基である。Xd 0 は、−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−、−C(=O)−O−、−S−、又は−SO 2 −である。Yd 0 は、置換基を有してもよい2価の炭化水素基又は単結合である。 [化1] 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021099385A
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：JP2019229770
申请日：2019-12-19
Applicant: 東京応化工業株式会社
Abstract: 【課題】高感度化が図れ、かつ、ラフネス等のリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、下記一般式(d0)で表される化合物(D0)と、を含有する、レジスト組成物。Rd 01 は、1価の有機基を表す。Rd 02 は、単結合又は2価の連結基を表す。mは1以上の整数を表し、M m+ はm価の有機カチオンを表す。 [化1] 【選択図】なし
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