公开(公告)号：KR102233875B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020130166928A

申请日：2013-12-30

申请人： 롬엔드하스전자재료코리아유한회사

发明人： 강지훈 ,  이혜원 ,  이승욱 ,  이숙 ,  임재봉

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/029 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276

摘要： 본 발명의 네거티브톤 현상(NTD)에 의한 패턴 형성 방법은, 기판과 포토레지스트 조성물층 사이에 광산 발생제를 포함하는 반사방지 코팅 조성물층을 형성하여 수행함으로써, 노광시에 포토레지스트 조성물층의 디블로킹을 보다 활성화시켜 현상된 패턴이 쓰러지는 현상을 방지하고 패턴의 최소 선폭 특성을 향상시킬 수 있다

公开(公告)号：JP2018092170A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017231356

申请日：2017-12-01

申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー ,  Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： シンタロウ ヤマダ ,  リ・カイ ,  クリストファー・ギルモア ,  ジョシュア・エイ・カイツ ,  シェン・リウ ,  ジェームス・エフ・キャメロン ,  スザンヌ・エム・コーリー

IPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  C08G61/12 ,  G03F7/11

CPC分类号： H01L21/0276 ,  C09D171/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

摘要： 【課題】集積回路の製造において有用で良好な反射防止特性を有する芳香族下層の形成ステップを含むパターン層を形成するプロセスを提供する。 【解決手段】(a)重合単位として式(1)の第1モノマー )、ならびに2つ以上のシクロペンタジエノン部分を含む第2モノマーを含むポリアリーレン樹脂と有機溶媒とを含む組成物の層を基板上にコーティングするステップと、(b)有機溶媒を除去して芳香族樹脂層を形成するステップと、(c)フォトレジスト層を芳香族樹脂層上にコーティングするステップと、(d)フォトレジスト層を化学線に対して露出するステップと、(e)現像してレジストパターンを形成するステップと、(f)パターンをポリアリーレン樹脂層に転写して基板の一部を露出するステップと、を含む。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6284369B2

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：JP2014000866

申请日：2014-01-07

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 萩原 琢也 ,  村田 龍紀 ,  田所 昌洋

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/76802 ,  G03F9/7026 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76805

公开(公告)号：JP2018026495A

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：JP2016158659

申请日：2016-08-12

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 森北 信也 ,  伴瀬 貴徳 ,  瀬谷 祐太 ,  新妻 良祐

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

摘要： 【課題】有機膜のエッチングに用いられるマスクの除去が有機膜の側壁形状に及ぼす影響を低減するための技術を提供する。 【解決手段】一実施形態の被処理体を処理する方法であって、被処理体は被エッチング層と被エッチング層上に設けられた有機膜と有機膜上に設けられたマスクとを備え、有機膜は第1の層と第2の層とによって構成され、マスクは第1の層上に設けられ、第1の層は第2の層上に設けられ、第2の層は被エッチング層上に設けられ、この方法は、被処理体が収容されたプラズマ処理装置の処理容器内において、第1のガスのプラズマを生成し、プラズマとマスクとを用いて第1の層を第2の層に至るまでエッチングし、第1の層の側面に保護膜をコンフォーマルに形成する工程と、処理容器内において、第2のガスのプラズマを生成し、プラズマを用いてマスクを除去する工程と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017195296A

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：JP2016085123

申请日：2016-04-21

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 荻原 勤 ,  菊地 里枝

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/3081 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/325 ,  G03F7/327 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： 【課題】半導体装置等の製造工程において、基板上の凹凸のパターンを埋め込んで、低コストで基板を高度に平坦化することができる有機膜の形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】凹凸のパターンを有する基板上に有機膜形成用組成物を回転塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を有機溶剤に対して不溶化処理することで有機膜を形成する方法であって、前記塗布膜を形成した後、前記不溶化処理の前又は前記不溶化処理と同時に前記基板に振動を加える処理を行うことを特徴とする有機膜の形成方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6196194B2

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：JP2014166441

申请日：2014-08-19

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 荻原 勤 ,  郡 大佑

IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C09K3/00

CPC分类号： C08K5/34924 ,  C07D251/30 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332

公开(公告)号：JP2017157590A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2016036852

申请日：2016-02-29

申请人： 株式会社東芝

发明人： 清野 由里子

IPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0273 ,  B81C1/00007 ,  B81C1/00031 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  B81C2201/0149

摘要： 【課題】効率的にパターンを形成することが可能なパターン形成方法を提供する。 【解決手段】パターン形成方法は、ピニング部16を含む第1及び第2のガイド部21、22と中性化部18とを含むベース構造30を形成することと、ベース構造上に第1及び第2のポリマーを含むブロックコポリマー膜40を形成することと、ブロックコポリマー膜に対して所定の処理を施して、第1のポリマーで形成された第1及び第2のパターン部51、52と、第2のポリマーで形成された第3及び第4のパターン部53、54と、第1及び第2のポリマーで形成された第5のパターン部55とを形成することと、を備える。第5のパターン部は、第2のポリマーで形成された複数の第1の部分55aと、第1のポリマーで形成され且つ中性化部上及び第1の部分上に設けられた第2の部分とを含む。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6160068B2

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：JP2012263224

申请日：2012-11-30

申请人： JSR株式会社

发明人： 中藤 慎也 ,  村上 暁 ,  香村 和彦 ,  松村 裕史 ,  元成 正之 ,  溝口 勝久

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276

公开(公告)号：JP6132105B2

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：JP2014514686

申请日：2013-04-26

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 遠藤 貴文 ,  坂本 力丸 ,  藤谷 徳昌

IPC分类号： G03F7/11

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08G63/00 ,  C08G73/101 ,  C09D167/00 ,  C09D175/12 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  G03F7/2037

公开(公告)号：JPWO2016052393A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：JP2016552010

申请日：2015-09-28

申请人： 富士フイルム株式会社

发明人： 山中　司 ,  司 山中

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/325 ,  B65D25/34 ,  B65D85/70 ,  C07C67/54 ,  C07C69/14 ,  G03F7/0012 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276

摘要： レジスト膜のパターニング用有機系処理液であって、Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znの金属元素濃度がいずれも3ppm以下である、レジスト膜のパターニング用有機系処理液により、特に、有機系現像液を用いて、微細化(例えば、30nmノード以下)パターンを形成するネガ型パターン形成方法において、パーティクルの発生を低減可能なレジスト膜のパターニング用有機系処理液、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、及び、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供できる。