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公开(公告)号:JP2019156667A
公开(公告)日:2019-09-19
申请号:JP2018043097
申请日:2018-03-09
Applicant: 株式会社三井E&Sエンジニアリング , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C01B33/141 , C01B37/00 , B09B3/00 , C01B33/187
Abstract: 【課題】安価な原材料で高機能なシリカを製造可能とするゾル状液を得るための溶融スラグ処理方法を提供する。 【解決手段】 環境エネルギー施設から発生する溶融スラグに対し、特定濃度の酸を加えて、特定温度で溶解処理し、ゾル状液を取得する。この際、酸の前記特定濃度は0.1〜3Nであり、特定温度は20〜100℃であり、特定時間は10分以上であり、100mLの前記酸に対して、前記溶融スラグを3〜25gとする混合比で加えられる。得られたゾル状液のシリカの粒子径は、3〜50nmとなる。 【選択図】図5
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公开(公告)号:JP6938048B2
公开(公告)日:2021-09-22
申请号:JP2019195624
申请日:2019-10-28
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C07F7/18
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公开(公告)号:JP6845503B2
公开(公告)日:2021-03-17
申请号:JP2017039618
申请日:2017-03-02
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: B01J35/10 , C07C69/738 , C07C67/30 , C07C43/215 , C07C41/16 , B01J31/24
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公开(公告)号:JP2021001118A
公开(公告)日:2021-01-07
申请号:JP2019113966
申请日:2019-06-19
Applicant: 公立大学法人大阪 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: B01J31/22 , C07F7/08 , C07F7/18 , C07D213/53
Abstract: 【課題】オレフィン化合物及びカルボニル化合物のヒドロシリル化反応の触媒として利用することのできる金属錯体を提供する。 【解決手段】式(A)で表される、イミノビピリジンコバルト錯体。 (式中、R 1 及びR 2 は、水素、ハロゲン、C1〜6の脂肪族炭化水素基又はC6〜10の芳香族炭化水素基;R 3 は、水素、C1〜10の脂肪族炭化水素基又はC6〜10の芳香族炭化水素基;R 4 は、水素、C1〜20の脂肪族炭化水素基又はC6〜20の芳香族炭化水素基;Xは、ハロゲン又はC2〜8のアシルオキシ基;隣接する2つのR 1 、2つのR 2 、又はR 1 とR 2 は、互いに連結して環状構造を形成してもよい。) 【選択図】なし
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公开(公告)号:JPWO2019131600A1
公开(公告)日:2020-12-24
申请号:JP2018047501
申请日:2018-12-25
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Abstract: テトラアルコキシシランを省エネルギーかつ高収率で製造することができる方法を提供することを目的とする。アルコールと酸化ケイ素を反応させてテトラアルコキシシランを生成する反応を酸化カルシウムの存在下で行うことにより、テトラアルコキシシランを高収率で製造することができる。
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公开(公告)号:JPWO2019131518A1
公开(公告)日:2020-12-10
申请号:JP2018047272
申请日:2018-12-21
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C07F7/04
Abstract: テトラアルコキシシランを省エネルギーかつ高収率で製造することができる方法を提供する。アルコールと酸化ケイ素を脂肪族炭化水素溶媒の存在下で反応させる第一工程、及び前記第一工程で得られた反応混合物の気化成分をモレキュラーシーブに接触させる第二工程を含むことによって、テトラアルコキシシランを高収率で製造することができる。
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公开(公告)号:JPWO2019054498A1
公开(公告)日:2020-11-05
申请号:JP2018034239
申请日:2018-09-14
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Abstract: アルコキシシリル基又はトリオルガノシロキシ基を有するオルガノシロキサンを効率良く製造することができるオルガノシロキサンの製造方法を提供することを目的とする。銅錯体の存在下で下記式(a)で表される構造を有するシラノールと下記式(b)で表される構造を有するヒドロシランを反応させることにより、アルコキシシリル基又はトリオルガノシロキシ基を有するオルガノシロキサンを効率良く製造することができる。 (式(b)及び(c)中、Rはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素原子数1〜20の炭化水素基、又は−SiR’ 3 (R’はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化水素基)を表す。)
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