フルオロスルホニルイミド塩およびフルオロスルホニルイミド塩の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2011065502A1

    公开(公告)日:2013-04-18

    申请号:JP2011543332

    申请日:2010-11-26

    IPC分类号: C01B21/093

    摘要: 不純物の含有量を低減でき、かつ、長期にわたる連続操業が可能なフルオロスルホニルイミド塩の製造方法並びにフルオロスルホニルイミド塩を提供する。本発明のフルオロスルホニルイミド塩とは、Kの含有量が、10000ppm以下である。また、本発明の製造方法とは、クロロスルホニルイミド又はその塩のフッ素化反応後に、不純物除去のため、反応溶液をアルカリ水溶液と接触させるものである。各種不純物の含有量が極低レベルにまで低減された本発明のフルオロスルホニルイミド塩は、リチウム二次電池、キャパシタ等に用いられる電解質、イオン性液体、あるいはスルホニルイミド塩の中間体等として有用である。また、本発明のフルオロスルホニルイミド塩を電解質として用いることで、高性能な電気化学デバイスとなることが期待される。