ハロゲン化合物の製造方法
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021070684A

    公开(公告)日:2021-05-06

    申请号:JP2020136593

    申请日:2020-08-13

    Abstract: 【課題】目的とするハロゲン基を含む芳香族化合物を効率良く製造する方法の提供。 【解決手段】下記一般式(1)で表されるハロゲン化合物の製造方法であって、遷移金属化合物、ホスフィン化合物として1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセンまたは4,5’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−9,9’−ジメチルキサンテン、及び塩基の存在下、下記一般式(2)で表される化合物と、下記一般式(3)で表される化合物を反応させる方法。 (式中、Ar 1 及びAr 2 は、有機基、Xは、ハロゲン基、Zは、Xとは異なるハロゲン基を表す。mは、0以上、pは、1以上の整数を表す。Rは、水素原子、アルキル基又はフェニル基を表し、2つのRは連結して環を形成していてもよい。) 【選択図】なし

    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

    公开(公告)号:JP2020176116A

    公开(公告)日:2020-10-29

    申请号:JP2020072290

    申请日:2020-04-14

    Abstract: 【課題】良好なマスクエラーファクタ(MEF)を有するレジストパターンを製造可能な塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。 【解決手段】式Iで表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立に、H、F又はFを有するC 1〜6 のアルキル;R 3 はF又はFを有するC 1〜6 のアルキル;R 4 及びR 5 は、それぞれ独立に、ハロゲン、C 1〜10 のフッ化アルキル又はC 1〜12 のアルキルを表し、該フッ化アルキル及び該アルキルに含まれる−CH 2 −は、−O−又は−CO−であってもよい;m4は0〜4;m5は0〜5;AI − は有機アニオンを表す。] 【選択図】なし

    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

    公开(公告)号:JP2020176115A

    公开(公告)日:2020-10-29

    申请号:JP2020072289

    申请日:2020-04-14

    Abstract: 【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造可能な塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物の提供。 【解決手段】式Iで表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、R 1a は酸不安定基;R 2 及びR 3 はハロゲン、C 1〜6 のフッ化アルキル、C 1〜12 のアルキル等;m2は0〜4;m3は0〜5;Q 1 及びQ 2 はそれぞれF又はペルフルオロアルキル;L 1 は飽和炭化水素基を表し、該基に含まれる−CH 2 −は−O−又は−CO−であってもよく、該基に含まれるHはF又はOH基で置換されていてもよい;Y 1 は置換基を有していてもよいメチル又は脂環式炭化水素基(該脂環式炭化水素基中の−CH 2 −は−O−、−SO 2 −又は−CO−であってもよい。)を表す。] 【選択図】なし

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