Patent search ap:("株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ" OR "株式会社日立ハイテクノロジーズ") AND inv:"浩久奥島" Page 1

1.

发明专利
The sample stage for charged particle device 有权

公开(公告)号：JP4988175B2

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：JP2005201035

申请日：2005-07-11

Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ , 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 充今野 , 大介出口 , 毅大西 , 浩久奥島 , 紀恵矢口

IPC: H01J37/20

2.

发明专利
The pattern dimension measuring method and scanning transmission charged particle microscope 有权

公开(公告)号：JP4791333B2

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：JP2006323759

申请日：2006-11-30

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 浩久奥島 , 俊哉渡邉 , 麻紀田中

IPC: G01B15/04 , H01J37/28 , H01L21/66

3.

发明专利
Measurement method using a charged particle beam device and a charged particle beam 有权

公开(公告)号：JP5546290B2

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：JP2010045592

申请日：2010-03-02

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 浩久奥島 , 英子中澤 , 邦康中村

IPC: H01J37/28 , G01B15/04 , H01J37/20 , H01J37/22

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