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发明专利
共振装置及び共振装置製造方法审中-公开

公开(公告)号：JPWO2020194810A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：JP2019040421

申请日：2019-10-15

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 福光政和 , 樋口敬之

IPC: H03H3/007 , H03H9/24

Abstract: 共振子の振動空間における真空度の低下を抑制することのできる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。共振装置1は、共振子10を含むMEMS基板50と、MEMS基板50に対向する面に酸化ケイ素膜L31を含む上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、酸化ケイ素膜L31は、上蓋30を平面視したときに振動空間の周囲の少なくとも一部に形成され、上蓋30の裏面まで貫通する貫通孔TH1を含み、貫通孔TH1は、第1金属層80を含む。

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