基板処理装置および基板処理方法

    公开(公告)号:JP2021122860A

    公开(公告)日:2021-08-30

    申请号:JP2020015204

    申请日:2020-01-31

    Abstract: 【課題】基板を研磨パッドから引き離し易くし、かつ、基板の被研磨面へのダメージの発生を抑制する。 【解決手段】基板処理装置は、基板を研磨するための研磨パッド352が貼り付けられる研磨テーブルと、基板を保持して研磨パッド352の研磨面352aに対して接触させたり引き離したりするためのトップリングと、研磨パッド352の研磨面352aに研磨液を供給するための研磨液供給部材370と、研磨パッド352の研磨面352aに純水を供給するための純水供給部材380と、基板WFを研磨パッド352の研磨面352aから引き離すときに純水供給部材380によって供給される純水中に気泡を発生させるための気泡発生部材390と、を含む。 【選択図】図4

    処理ユニットおよび基板処理装置

    公开(公告)号:JP2021091039A

    公开(公告)日:2021-06-17

    申请号:JP2019222928

    申请日:2019-12-10

    Abstract: 【課題】基板処理装置のフットプリントの増大を抑制し、かつ、基板処理装置の処理ユニットの処理効率を向上させる 【解決手段】基板処理装置に用いられるドレッシングユニットは、基板を研磨するための研磨パッド352に対向して配置されるドレッサシャフト51と、ドレッサシャフト51の軸心周りにアーム410を介して同心状に配置される複数のドレッシング部材50−1a,50−2aを保持する複数のドレッサ50−1,50−2と、複数のドレッサ50−1,50−2を研磨パッド352に対して近づけたり離したりする方向に駆動するエアシリンダと、複数のドレッサ50−1,50−2同士が近づくようにアーム410の角度を調整可能に構成された畳み機構450と、を含む。 【選択図】図6

    研磨装置、研磨方法およびプログラム

    公开(公告)号:JP2018067610A

    公开(公告)日:2018-04-26

    申请号:JP2016204678

    申请日:2016-10-18

    Abstract: 【課題】局所研磨を行う研磨装置において、スループットを向上することを目的とする。 【解決手段】研磨装置は、処理対象のウェハに対して全体研磨を行う全体研磨モジュールと、ウェハに対して局所研磨を行う局所研磨モジュール200と、ウェハの膜厚を測定する膜厚測定部800と、膜厚測定部800にて測定した膜厚に基づいて研磨前のウェハの膜厚分布を推定する膜厚分布推定部601と、膜厚分布と全体研磨による段差解消性とに基づいて、局所研磨を行うべきウェハの局所研磨部位を設定する局所研磨部位設定部11とを備える。 【選択図】図3

    研磨装置および研磨方法
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017174940A

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:JP2016058567

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 【課題】ウェハなどの基板の表面および裏面の両方を連続して研磨することができる装置方法を提供する。 【解決手段】研磨装置は、基板Wの表面を研磨するCMPユニット111Aと、基板Wの裏面を研磨する裏面研磨ユニット7,8と、研磨された基板Wを洗浄する洗浄ユニット70,120,123,127と、予め設定された搬送ルートを記憶する動作制御部4と、予め設定された搬送ルートに従って、基板Wを搬送する搬送システムを備える。 【選択図】図12

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