公开(公告)号：JP2017100939A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：JP2016247779

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子 健太郎 ,  人羅 俊実 ,  平尾 孝

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/365 ,  C30B29/22

Abstract: 【課題】コランダム型結晶表面の結晶性を改善する方法を提供する。 【解決手段】コランダム型結晶構造を有する半導体層上に形成されている、前記半導体層とは異なる材料・組成からなるコランダム型結晶構造を有する層(特に、下地基板と半導体層との間に形成されている結晶性応力緩和層、または半導体層と絶縁膜との間に形成されているキャップ層もしくは構造相転移防止層)の一部または全部を、CMP等の方法で表面研磨することにより、コランダム型結晶表面の結晶性を改善する。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6067532B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2013212623

申请日：2013-10-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子 健太郎 ,  人羅 俊実 ,  平尾 孝

IPC: C30B29/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

公开(公告)号：JP6281145B2

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：JP2016247779

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子 健太郎 ,  人羅 俊実 ,  平尾 孝

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/365 ,  C30B29/22