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公开(公告)号：JP2021196338A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2021044525
申请日：2021-03-18
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/26
Abstract: 【課題】計測箇所の間隔を狭めることができる光励起磁気センサを提供すること。 【解決手段】光励起磁気センサ1は、計測対象に沿って配置され、アルカリ金属の蒸気が封入されたセル2と、ポンプ光を出射するポンプレーザ7と、計測対象に沿った第1の方向に導かれるポンプ光をセル2に入射させることに係る一又は複数のポンプ光用ミラーと、プローブ光を出射するプローブレーザ8と、プローブ光を複数に分割する分割部12と、第1の方向に直交する方向であって計測対象に沿った第2の方向に導かれる各プローブ光をセル2に入射させることに係る一又は複数のプローブ光用ミラーと、セル2の内部においてポンプ光と直交した各プローブ光を、セル2の外部において検出する検出部と、検出部の検出結果に基づき、各プローブ光に対応するスピン偏極により生じる磁気旋光角の変化を導出し、直交する領域に対応する計測箇所に係る磁場を導出する導出部と、を備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020030161A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2018157010
申请日：2018-08-24
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/26
Abstract: 【課題】検出感度の低下を抑制する。 【解決手段】光励起磁気センサ用のセル2は、アルカリ金属の原子をポンプ光17A、17Bによって所定の励起状態とし、プローブ光26A、26Bによって励起状態を検出することにより磁気を測定する。セル2は、アルカリ金属の原子及び封入ガスを密封し、ポンプ光17A、17B及びプローブ光26A、26Bを透過するガラス基体8と、ガラス基体8の内面に設けられたコーティング層9と、を備える。コーティング層9は、無機材料により形成されている。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2021196298A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103960
申请日：2020-06-16
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 【課題】磁気シールドルームを使用せずに高精度に計測可能な脳磁計及び脳磁場測定方法を提供すること。 【解決手段】脳磁計M1は、脳磁場を計測する複数の光励起磁気センサ1Aと、複数の光励起磁気センサ1Aのそれぞれの位置における地磁気に係る磁場を計測する複数の地磁気磁場補正用磁気センサ2と、複数の光励起磁気センサ1Aのそれぞれの位置における変動磁場を計測する複数のアクティブシールド用磁気センサ3と、地磁気磁場補正コイルと、アクティブシールドコイル9と、複数の地磁気磁場補正用磁気センサ2の計測値に基づいて、地磁気に係る磁場を打ち消す磁場を発生させる電流を決定し、複数のアクティブシールド用磁気センサ3の計測値に基づいて、変動磁場を打ち消す磁場を発生させる電流を決定し、決定した電流に応じた制御信号を出力する制御装置5と、制御信号に応じて電流を各コイルに出力するコイル電源6と、を備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021194302A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103931
申请日：2020-06-16
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/26 , G01R33/025 , A61B5/05
Abstract: 【課題】複数のポンプ・プローブ型の光励起磁気センサを用いて、高精度に計測可能な脳磁計を提供すること。 【解決手段】脳磁計M1は、脳磁場を計測する複数のポンプ・プローブ型の光励起磁気センサ1Aと、複数のポンプ・プローブ型の光励起磁気センサ1Aのそれぞれのポンプ光の方向と同一の方向、且つ頭皮に対し略平行な方向にバイアス磁場を印加するためのバイアス磁場形成用コイル15と、複数のポンプ・プローブ型の光励起磁気センサの共鳴周波数を脳磁場の周波数帯域に調整するバイアス磁場を発生させるようにバイアス磁場形成用コイルに対する電流を決定し、決定した電流に応じた制御信号を出力する制御装置5と、制御装置により出力された制御信号に応じて、バイアス磁場形成用コイルに電流を出力するコイル電源6と、を備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020030162A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2018157011
申请日：2018-08-24
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/032 , G01R33/26
Abstract: 【課題】光励起磁気センサの出力(検出結果)を安定させる。 【解決手段】光励起磁気センサ1は、アルカリ金属が封入されたセル2と、アルカリ金属の原子を励起するポンプ光17を発生する光源27と、原子の励起状態を検出するためのプローブ光26を発生する光源27と、光源27とセル2とを結ぶ光路に配置され、プローブ光26を、所定の偏光角度を有する光成分であって原子に照射されるプローブ光26A1と、所定の偏光角度とは異なる偏光角度を有する光成分であるプローブ光26Aaとに分離する偏光ビームスプリッタ7と、プローブ光26Aaの光量を検出するフォトダイオード38Aと、原子の励起状態を示す信号光であるアルカリ金属蒸気を通過したプローブ光26A2を受けるフォトダイオード39Aと、を備える。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021194304A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103967
申请日：2020-06-16
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 【課題】脳磁計測およびMRI計測を効率よく実現する。 【解決手段】脳計測装置M1は、光励起磁気センサ1Aと、光励起磁気センサ1Aの位置における静磁場を計測する磁気センサ2と、静磁場を補正するための補正コイル16と、を有する脳磁計と、静磁場を印加するための永久磁石7と、傾斜磁場を印加するための傾斜磁場コイル8と、送信パルスを送信する送信コイル21と、送信パルスの送信によって生じた核磁気共鳴信号を検出する受信コイル22と、を有するMRI装置と、脳磁場の計測時には、磁気センサ2の計測値に基づいて、補正コイル16に供給する電流を制御して、光励起磁気センサ1Aのそれぞれの位置における、地磁気に係る静磁場、及び、永久磁石による静磁場を打ち消すように動作し、MR画像の計測時には、傾斜磁場コイル8に供給する電流を制御して傾斜磁場を制御し、受信コイル22の出力を基にMR画像を生成する制御装置5とを備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021194303A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103953
申请日：2020-06-16
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 【課題】脳磁計測およびMRI計測を効率よく実現すること。 【解決手段】脳計測装置M1は、光励起磁気センサ1Aと、光励起磁気センサ1Aの位置における地磁気を計測する磁気センサ2と、光励起磁気センサ1Aの位置における変動磁場を計測する磁気センサ3と、地磁気を補正するための補正コイル7,8と、変動磁場を補正するためのアクティブシールドコイル9と、を有する脳磁計と、静磁場及び傾斜磁場を印加するための補正コイル7,8と、送信パルスを送信する送信コイル21と、核磁気共鳴信号を検出する受信コイル22と、を有するMRI装置と、脳磁場の計測時には、磁気センサ2,3の計測値に基づいて、補正コイル7,8及びアクティブシールドコイル9に供給する電流を制御し、MR画像の計測時には、補正コイル7,8に供給する電流を制御して静磁場及び傾斜磁場を制御し、受信コイル22の出力からMR画像を生成する制御装置5とを備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6916074B2
公开(公告)日：2021-08-11
申请号：JP2017180270
申请日：2017-09-20
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社
IPC: H01J37/073 , G21K5/04 , G21K5/00 , H01J37/18
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公开(公告)号：JP2019057387A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2017180270
申请日：2017-09-20
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社
IPC: H01J37/073 , G21K5/04 , G21K5/00 , H01J37/18
Abstract: 【課題】電子透過膜の膜厚を薄くすることを可能にする。 【解決手段】電子放出管1は、内部空間Sが設けられ、内部空間Sを真空に保持する筐体2と、筐体2の一方向における一端側に配置され、電子を生成する電子源3と、筐体2の一方向における他端側に配置され、他端側を開放状態又は遮蔽状態に切り替え可能なゲートバルブ5と、電子源3とゲートバルブ5との間に位置し、内部空間Sを、電子源3を含む第1領域S1とゲートバルブ5を含む第2領域S2とに隔てる仕切り部4と、を備える。仕切り部4は、電子を透過する電子透過膜44を有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6224580B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014514401
申请日：2013-03-15
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社
CPC classification number: H05G1/52 , H01J35/08 , H01J35/14 , H01J35/30 , H01J2235/081 , H01J2235/087
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