公开(公告)号：KR102235755B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020190082104A

申请日：2019-07-08

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 유현용 ,  김승환

IPC: H01L29/788 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76838 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/778 ,  H01L29/785 ,  H01L29/8083

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자는 기본 소자, 상기 기본 소자의 적어도 일 방향에 형성되는 중간층 및 상기 기본 소자에 대향하는 방향에서 상기 중간층에 형성되는 금속층을 포함할 수 있으며, 중간층 내부에는 중간층에 대한 전압의 인가에 따라서 전도성 필라멘트가 생성될 수 있다.