公开(公告)号：JP6967351B2

公开(公告)日：2021-11-17

申请号：JP2017016437

申请日：2017-02-01

申请人： コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ

发明人： モルヴァン エルワン

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP6951715B2

公开(公告)日：2021-10-20

申请号：JP2018539792

申请日：2017-09-14

申请人： 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

发明人： 藤田 静雄 ,  内田 貴之 ,  金子 健太郎 ,  織田 真也 ,  人羅 俊実

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365

公开(公告)号：JP2021163885A

公开(公告)日：2021-10-11

申请号：JP2020065399

申请日：2020-03-31

申请人： 豊田合成株式会社 ,  株式会社パウデック

发明人： 佐藤 壽朗 ,  竹中 靖博 ,  篠田 大輔 ,  上村 俊也 ,  河合 弘治 ,  八木 修一

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L21/338

摘要： 【課題】 大電流を流すことが可能な半導体素子および装置を提供することである。 【解決手段】 半導体素子100は、第1半導体層110と、第2半導体層120と、第3半導体層130と、第4半導体層140と、第2半導体層120または第3半導体層130の上のソース電極S1およびドレイン電極D1と、第4半導体層140の上のゲート電極G1と、を有する。ソース電極接触領域SC1とドレイン電極接触領域DC1との一方の棒状形状が、ソース電極接触領域SC1とドレイン電極接触領域DC1との他方の櫛歯形状の間に配置されている。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2021141319A

公开(公告)日：2021-09-16

申请号：JP2021024628

申请日：2021-02-18

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： テオ・コーン・ホー ,  チョードゥリー・ナディム

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/201 ,  H01L21/336

摘要： 【課題】コンパクトなORゲートデバイスなどのゲート制御型半導体デバイスを提供する。 【解決手段】ORゲートデバイスは、2つの十字形構造を含む。各十字形構造はチャネルを含む。各チャネルの端部には、2つの十字形構造を接続するオーミックコンタクトがある。各十字形構造はInAlN/GaNなどのIII−Nヘテロ構造を含むエピタキシャル層を含む。ここで、InAlN/GaNのIn濃度の量は、GaNと格子整合するように調製され、電子移動度をもたらして、弾道電子e ー を発生させる。フィン構造は、チャネルの長手方向軸に対して横断するように形成されたゲートを含む。ゲートは、フィン構造にかかる電圧を使用して制御される。フィン構造は、エネルギ場構造を誘導するように形成される。エネルギ場構造は、ある量の該電圧によってシフトして、弾道電子の流れが通過するゲートの開口を制御し、空乏幅を変化させ、弾道電子に干渉を受けさせる。 【選択図】図2A

公开(公告)号：JP2021114496A

公开(公告)日：2021-08-05

申请号：JP2020005312

申请日：2020-01-16

申请人： 高谷 信一郎 ,  白田 理一郎

发明人： 高谷 信一郎 ,  白田 理一郎

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/337

摘要： 【課題】閾値電圧ばらつきの少ないノーマリオフ型の縦型窒化物半導体トランジスタを提供する。 【解決手段】縦型窒化物半導体トランジスタは、窒化物半導体からなるドリフト層101、ドリフト層に電気的に接続されたチャネル領域117、ソース電極111、ドレイン電極112、ゲート絶縁膜及びゲート電極109を含む。ゲート絶縁膜は、第1の絶縁膜106、第2の絶縁膜107及び第3の絶縁膜108を少なくとも含む。第2の絶縁膜は、エネルギー準位が第1及び第3の絶縁膜の両方のバンドギャップの内側に位置する電荷トラップを有し、ゲート電極に印加する電圧によりチャネル領域の伝導キャリアを実質的に消失させ流れる電流を遮断するための閾値電圧が、電荷トラップに蓄積する電荷により調整される。また、電荷蓄積用電極がチャネル領域とゲート電極との間に設けられ閾値電圧は、電荷蓄積用電極に蓄積する電荷により調整される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6906918B2

公开(公告)日：2021-07-21

申请号：JP2016191254

申请日：2016-09-29

申请人： メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド

发明人： ウォルター エイチ.ナギー ,  リンドン パティソン

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/778 ,  H03F3/193

公开(公告)号：JP6905395B2

公开(公告)日：2021-07-21

申请号：JP2017118990

申请日：2017-06-16

申请人： 株式会社東芝

发明人： 小山 将央 ,  池田 健太郎 ,  高尾 和人

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP6888013B2

公开(公告)日：2021-06-16

申请号：JP2018536814

申请日：2017-01-13

申请人： トランスフォーム テクノロジー,インコーポレーテッド

发明人： ニューフェルド,カール ジョーセフ ,  ウー,モー ,  吉川 俊英 ,  ミシュラ,ウメシュ ,  リウ,シアン ,  ローズ,デヴィッド,マイケル ,  グリッターズ,ジョン,カーク ,  ラル,ラケシュ,ケー.

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP2021077797A

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：JP2019204602

申请日：2019-11-12

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 竹内 克彦

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/786 ,  H01L29/778 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L21/337

摘要： 【課題】プラズマを用いたエッチングなどの製造工程におけるPIDを低減することができ、半導体装置の出荷前に配線を除去するプロセス工程を必要としない半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、チャネル層を形成する半導体材料層、半導体材料層上に形成された一対のソース/ドレイン電極、及び、一対のソース/ドレイン電極の間に配置されており、半導体材料層の上に形成されているゲート電極、を有しており、一対のソース/ドレイン電極の少なくとも一方とゲート電極との間は、抵抗素子を介して接続されている。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6848746B2

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：JP2017143050

申请日：2017-07-24

申请人： 株式会社豊田中央研究所

发明人： 上杉 勉

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/337