公开(公告)号：KR102227003B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020170054192A

申请日：2017-04-27

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김지현 ,  오수연 ,  권용범

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/0231

Abstract: 본 발명은 산화갈륨의 식각방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 산화갈륨 식각방법은 (a) 식각액(20)이 채워진 반응기(10)를 준비하는 단계(S100), (b) 식각액(20) 내에 산화갈륨(1)을 담지하는 단계(S200), (c) 산화갈륨(1)에 자외선을 조사하여 산화갈륨(1)의 표면을 식각하는 단계(S300)를 포함한다.

公开(公告)号：KR102237134B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020140129973A

申请日：2014-09-29

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 이상원 ,  김지현 ,  정영훈

IPC: H01L33/22

Abstract: 실시예에 따른 발광소자는 제 1 도전형 반도체층과, 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 발광구조물의 광추출 영역 상에 배치된 광추출 구조;를 포함하고, 상기 발광구조물은 무극성 질화물 반도체를 포함하며, 상기 광추출 구조는 복수의 돌출부를 포함하는 요철 구조를 가지며, 상기 복수의 돌출부는 삼각기둥, 사각기둥 또는 다각기둥 중 적어도 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서 실시예는 제 1 도전형 반도체층과, 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 배치된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제 2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 및 상기 발광구조물의 광추출 영역 상에 배치된 광추출 구조;를 포함하고, 상기 발광구조물은 반극성 질화물 반도체를 포함하며, 상기 광추출 구조는 복수의 돌출부를 포함하는 요철 구조를 가지며, 상기 복수의 돌출부는 삼각뿔, 사각뿔, 다각뿔 또는 원뿔 중 적어도 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 한다.