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公开(公告)号：KR102234101B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020210026738A
申请日：2021-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02104 , C30B25/06 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 박막성장구조, 박막성장방법 및 박막열처리방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 박막성장구조는 기판과, 기판 상에 형성된 유동성 지지층과, 유동성 지지층의 상부 표면에 형성된 베이스 및 베이스 상에 성장된 박막을 포함하고, 여기서 기판은 표면에너지가 유동성 지지층을 구성하는 물질의 표면 에너지 보다 큰 물질로 형성되며, 유동성 지지층은 박막의 성장을 위해 기설정된 공정온도 범위에서 증기압이 기설정된 크기 이하이며 액체 상태를 유지하는 물질로 형성될 수 있다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR102225590B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020180113423A
申请日：2018-09-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02104 , C30B25/06 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 박막형성에 관한 것이며, 보다 상세하게는 유동성지지층상의 베이스를 기판으로 하여 박막을 형성하는 구조와 방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막성장구조는 유동성 지지층(supporting liquid), 상기 유동성 지지층의 상부 표면에 놓여진 베이스(base)와 상기 베이스 상에 성장되는 박막(thin film)으로 이루어진다.
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3.发明专利
公开(公告)号：KR20210025575A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020210026738A
申请日：2021-02-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02104 , C30B25/06 , C30B25/12 , C30B25/18 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 박막성장구조, 박막성장방법 및 박막열처리방법에 관한 것으로, 일실시예에 따른 박막성장구조는 기판과, 기판 상에 형성된 유동성 지지층과, 유동성 지지층의 상부 표면에 형성된 베이스 및 베이스 상에 성장된 박막을 포함하고, 여기서 기판은 표면에너지가 유동성 지지층을 구성하는 물질의 표면 에너지 보다 큰 물질로 형성되며, 유동성 지지층은 박막의 성장을 위해 기설정된 공정온도 범위에서 증기압이 기설정된 크기 이하이며 액체 상태를 유지하는 물질로 형성될 수 있다.
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