公开(公告)号：KR102238080B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020190154711A

申请日：2019-11-27

申请人： 인하대학교 산학협력단

发明人： 류한열 ,  류현열 ,  표정상

IPC分类号： H01L21/02 ,  B23K103/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01S3/00

CPC分类号： H01L21/02675 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01S3/0007 ,  B23K2103/56

摘要： 레이저 어닐 장치 및 방법이 제시된다. 일 실시예에 따른 기판 표면을 열처리하는 레이저 어닐 장치는, 펄스 레이저를 조사하는 펄스 레이저 광원; 연속발진 레이저를 조사하는 연속발진 레이저 광원; 및 조사된 상기 펄스 레이저 및 상기 연속발진 레이저를 기판 표면으로 안내하는 광학계를 포함하고, 상기 펄스 레이저 및 상기 연속발진 레이저가 동시에 상기 기판 표면을 조사하여, 상기 기판 표면을 열처리 할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210037655A

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020210040603A

申请日：2021-03-29

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 마사시 니시무라 ,  히로노리 다나카

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L22/24

摘要： (과제) 실리콘 웨이퍼의 노치의 단면(端面)에 존재하는 미세한 가공 대미지를 검출할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 품질 평가 방법, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼를 제공한다.
(해결 수단) 실리콘 웨이퍼의 노치의 단면에 존재하는 가공 대미지를 평가하는 실리콘 웨이퍼의 품질 평가 방법으로서, 평가 대상의 실리콘 웨이퍼를 900℃이상 1150℃ 이하의 제1 온도로 제1 열처리를 시행하고, 이어서 1100℃ 이상 1200℃ 이하의 제2 온도로 제2 열처리를 시행한 후, 에칭 레이트가 1.3㎛/분 이하인 선택 에칭 처리를 시행하고, 계속해서 노치의 단면상에 현재화(顯在化)한 산화 유기 적층 결함을 검출하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR102235782B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020190133195A

申请日：2019-10-24

申请人： 가천대학교 산학협력단

发明人： 조성재 ,  유은선

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/324 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823892

摘要： 본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 부양된 실리콘층으로 수직으로 하나 이상 적층된 실리콘 나노 와이어를 만들고, 각 실리콘 나노 와이어 표면에 나노 와이어 직경에 가까운 두께로 실리콘 버퍼층을 둘러싼 후 실리콘게르마늄 쉘을 형성함으로써, 종래 실리콘 CMOS 공정을 이용하여, 벌크 실리콘 기판 상에서도 균일한 두께의 실리콘게르마늄 쉘 채널 구조를 갖는 반도체 소자를 제조할 수 있는 효가가 있다.

公开(公告)号：KR20210034376A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190116259A

申请日：2019-09-20

申请人： 재단법인대구경북과학기술원

发明人： 장경인 ,  금호현 ,  라종철 ,  허승경

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/7806 ,  H01L21/6835 ,  H01L51/003 ,  B32B37/025 ,  B32B7/06 ,  C09J5/00 ,  C09J7/38 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L24/50 ,  B32B2457/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2301/502 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L51/0013

摘要： 본 발명은 전자장치 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판 상에 피박리층을 배치하여 적층체를 형성하는 단계, 상기 적층체에 열충격을 가하는 단계, 상기 기판으로부터 상기 피박리층를 이탈시키는 단계 및 이탈된 상기 피박리층을 대상 기판으로 전사하는 단계를 포함하는, 전자장치 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR102232360B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020190071418A

申请日：2019-06-17

申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스

发明人： 유키오 오노

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01J61/16 ,  H01J61/90 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68714 ,  H01L22/20

摘要： [과제] 서셉터에 기판을 유지하고 있는지의 여부에 관계없이, 서셉터의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 열처리 장치를 제공한다.
[해결 수단] 처리 대상이 되는 반도체 웨이퍼의 열처리를 행하기 전에, 석영의 서셉터(74)에 더미 웨이퍼(DW)를 올려놓고, 할로겐 램프(HL)로부터 광조사를 행하여 서셉터(74)를 예열한다. 방사 온도계(130)에 의해서 측정된 서셉터(74)의 온도에 의거하여 제어부가 할로겐 램프(HL)의 출력을 제어한다. 방사 온도계(130)는, 4μm보다 긴 파장의 적외광을 수광하여 서셉터(74)의 온도를 측정한다. 4μm보다 긴 파장역에서는 석영이 불투명해지기 때문에, 서셉터(74)에 웨이퍼를 유지하고 있는지의 여부에 관계없이, 방사 온도계(130)는, 서셉터(74)로부터 방사된 적외광만을 수광하여 서셉터(74)의 온도를 정확하게 측정할 수 있다.

公开(公告)号：KR102230458B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020190088718A

申请日：2019-07-23

申请人： 한국산업기술대학교산학협력단

发明人： 남옥현 ,  유근호 ,  최의호 ,  신희진

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02376 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/324

摘要： 본 발명은 다이아몬드 기판 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 다이아몬드 기판 제조 방법은, 사파이어(Al
2 O
3 ) 등의 기판 상에 포토레지스트 패턴 및 에어갭 형성막 물질을 열처리 등을 이용하여 하부기판과의 결정적 상관성을 갖는 에어갭 구조를 형성한 후 다이아몬드를 성장시키는 방법이다. 이 방법을 통해 대면적/대구경 단결정 다이아몬드를 이종성장 시 공정을 간단하게 하고 비용을 낮추며, 이종기판과 다이아몬드 사이의 격자상수 및 열팽창계수 차이로 인한 응력을 완화시키고 온도 하강 시에도 결함이나 크랙 발생을 감소시켜 고품질의 단결정 다이아몬드 기판을 제작하고, 이종기판으로부터 다이아몬드 기판의 자가 분리가 용이하게 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：KR102230171B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020167004933A

申请日：2014-07-24

申请人： 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드

发明人： 브레트 제이슨 할람 ,  매튜 브루스 에드워즈 ,  스튜어트 로스 웬햄 ,  필립 조지 해머 ,  캐서린 에밀리 찬 ,  치 문 종 ,  페이 슈엔 루 ,  리 마이 ,  리 후이 송 ,  아들린 수지안토 ,  앨리슨 마리 웬햄 ,  광 퀴 쑤

IPC分类号： H01L31/048 ,  H01L21/56 ,  H01L31/028 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/3223 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10788 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/324 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L31/028 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0488 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/50

摘要： 내부 수소 소스를 포함하는 결정질 실리콘 영역을 구비한, 디바이스를 처리하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은, i) 라미네이션을 형성하기 위해 디바이스의 전면 및 배면 각각에 캡슐화 재료를 적용하는 단계, ii) 디바이스에 캡슐화 재료를 접합하기 위해 라미네이션에 압력을 적용하고 라미네이션을 가열하는 단계, iii) 광 조사하면서 디바이스를 냉각시키는 단계를 포함하며, 가열 단계 또는 냉각 단계, 또는 가열 단계와 냉각 단계는 광 조사하면서 완료된다.

公开(公告)号：KR102227965B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020190021619A

申请日：2019-02-25

申请人： 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭

发明人： 가츠요시 하라다 ,  다츠루 마츠오카 ,  요시토모 하시모토

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103

摘要： (a) 기판에 대하여 N 및 H를 포함하는 제1 반응체를 공급함으로써, 기판의 표면에 NH 종단을 형성하는 공정과, (b) 기판에 대하여 원료로서 SiCl
4 를 공급함으로써, 기판의 표면에 형성된 NH 종단과, SiCl
4 를 반응시켜, 표면에 SiCl 종단이 형성된 제1 SiN층을 형성하는 공정과, (c) 기판에 대하여 N 및 H를 포함하는 제2 반응체를 공급함으로써, 제1 SiN층의 표면에 형성된 SiCl 종단과, 제2 반응체를 반응시켜, 표면에 NH 종단이 형성된 제2 SiN층을 형성하는 공정과, (d) (a)를 행한 후에, SiCl
4 가 기상 분해하지 않는 조건 하에서, (b)와 (c)를 비동시에 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 기판 상에 SiN막을 형성하는 공정을 포함하는 기술이 제공된다.

公开(公告)号：KR20210027580A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020190105940A

申请日：2019-08-28

申请人： 한양대학교 산학협력단

发明人： 양현지 ,  정재경 ,  설현주

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/792

摘要： 박막트랜지스터 및 수직형 비휘발성 메모리 소자를 제공한다. 상기 박막트랜지스터는 게이트 전극, 및 상기 게이트 전극의 상부 또는 하부를 가로지르는 빅스비아이트(Bixbyite) 결정을 구비하면서 반도체성을 갖는 금속 산화물 채널층을 구비한다. 상기 게이트 전극과 상기 금속 산화물 채널층 사이에 절연막이 배치된다. 상기 금속 산화물 채널층의 양측 단부들에 소오스 및 드레인 전극들이 각각 전기적으로 접속한다.

公开(公告)号：KR102226167B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020177023884A

申请日：2014-05-06

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 비제이 디. 파케 ,  콘스탄틴 마크라트체브 ,  제이슨 델라 로사 ,  하미드 누르바크쉬 ,  브래드 엘. 메이즈 ,  더글라스 에이. 주니어 부치베르거

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H02N13/00

CPC分类号： H01L21/6831 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/6835 ,  H02N13/00 ,  Y10T156/10

摘要： 기판 지지 어셈블리는, 세라믹 퍽, 및 세라믹 퍽의 하부 표면에 본딩된 상부 표면을 갖는 열 전도성 베이스를 포함한다. 열 전도성 베이스는, 복수의 열 구역들, 및 열 전도성 베이스의 상부 표면으로부터 열 전도성 베이스의 하부 표면을 향하여 연장되는 복수의 열 아이솔레이터들을 포함하고, 여기에서, 복수의 열 아이솔레이터들 각각은, 열 전도성 베이스의 상부 표면에서 복수의 열 구역들 중 2개 사이에 대략적인 열 격리를 제공한다.