公开(公告)号：KR20210024461A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020207035814A

申请日：2019-06-18

申请人： 닛산 가가쿠 가부시키가이샤

发明人： 타카후미 엔도 ,  유이치 고토 ,  마사히사 엔도 ,  사토시 카미바야시 ,  유키 엔도

IPC分类号： C07D405/14 ,  C08G59/28 ,  C08G59/40 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC分类号： C07D405/14 ,  C08G59/20 ,  C08G59/28 ,  C08G59/4064 ,  G03F7/11 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

摘要： 특히 고드라이에칭속도를 갖는 레지스트 하층막, 이 레지스트 하층막 형성 조성물, 레지스트패턴 형성방법 및 반도체장치의 제조방법을 제공한다. 하기 식(1):

로 표시되는 화합물과, 에폭시 부가체 형성 화합물과의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 부가생성물 및 용제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 상기 에폭시 부가체 형성 화합물이, 카르본산함유 화합물, 카르본산무수물함유 화합물, 하이드록시기함유 화합물, 티올기함유 화합물, 아미노기함유 화합물 및 이미드기함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물이다.