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公开(公告)号：KR102234811B1
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020167032492A
申请日：2014-12-17
申请人： 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/00 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/105 , G03F7/20 , G03F7/30 , H05K3/06 , H05K3/16
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/0002 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/105 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/70275 , H05K3/064 , H05K3/16 , H05K3/18 , H05K3/184 , H05K3/06 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要： 레지스트 형상이 양호하고, 레지스트 자락의 발생을 저감할 수 있고, 또한 밀착성 및 애스펙트비가 향상된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는, 레지스트 패턴의 형성 방법의 제공을 목적으로 하고, 기판 상에 투영 노광용 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 포토마스크의 상(傷)을 투영시킨 활성 광선을 사용하여 렌즈를 통하여 상기 감광성 수지층을 노광하는 공정과, 상기 감광성 수지층의 미노광부를 기판 상으로부터 현상에 의해 제거하는 공정을 포함하고, 상기 투영 노광용 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 (C)광중합 개시제를 함유하고, 상기 감광성 수지층의 파장 365nm에 있어서의 광투과율이, 58.0% 이상 95.0% 이하인, 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR20210034687A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020217008390A
申请日：2014-12-17
申请人： 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
IPC分类号： G03F7/032 , G03F7/00 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/105 , G03F7/20 , G03F7/30 , H05K3/06 , H05K3/16
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/0002 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/105 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/26 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/70275 , H05K3/064 , H05K3/16 , H05K3/18 , H05K3/184 , H05K3/06 , Y10S430/106 , Y10S430/114
摘要： 레지스트 형상이 양호하고, 레지스트 자락의 발생을 저감할 수 있고, 또한 밀착성 및 애스펙트비가 향상된 레지스트 패턴을 형성할 수 있는, 레지스트 패턴의 형성 방법의 제공을 목적으로 하고, 기판 상에 투영 노광용 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지층을 형성하는 공정과, 포토마스크의 상(傷)을 투영시킨 활성 광선을 사용하여 렌즈를 통하여 상기 감광성 수지층을 노광하는 공정과, 상기 감광성 수지층의 미노광부를 기판 상으로부터 현상에 의해 제거하는 공정을 포함하고, 상기 투영 노광용 감광성 수지 조성물이, (A)바인더 폴리머, (B)에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, 및 (C)광중합 개시제를 함유하고, 상기 감광성 수지층의 파장 365nm에 있어서의 광투과율이, 58.0% 이상 95.0% 이하인, 레지스트 패턴의 형성 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR20210034686A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020217008389A
申请日：2014-07-22
申请人： 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
CPC分类号： G03F7/11 , C23C18/1605 , C23C18/1633 , G03F7/00 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/031 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H05K3/108
摘要： 밀착성, 해상도 및 레지스트 찌꺼기 발생의 억제성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 투영 노광용 감광성 수지 조성물의 제공을 목적으로 하며, (A)바인더 폴리머, (B)에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물, (C)광중합 개시제, 및 (D)증감 색소를 함유하고, 상기 (B)에틸렌성 불포화 결합을 가지는 광중합성 화합물이, 디펜타에리트리톨 유래의 골격을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물 및 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 투영 노광용 감광성 수지 조성물을 제공한다. [식 중, R
8 , R
9 , R
10 및 R
11 은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X 및 Y는 각각 독립적으로, 에틸렌기 또는 프로필렌기를 나타내며, p
1 , p
2 , q
1 , q
2 는 각각 독립적으로, 0~9의 수치를 나타내고, p
1 +q
1
및 p
2 +q
2 는 모두 1 이상이며, p
1 +q
1 +p
2 +q
2 는 2~9이다.]-
公开(公告)号：KR102226348B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020150010713A
申请日：2015-01-22
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/32 , H01L21/0273 , G03F7/0002 , B81C1/00031 , B82Y40/00 , C08G18/61 , C09D153/00 , C09D183/10 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/36 , G03F7/38 , B81C2201/0149
摘要： 지지체 상의 가이드 패턴 사이에 복수 종류의 블록이 결합한 Si 함유 블록 코폴리머를 포함하는 층을 형성하는 공정과, 탑코트 재료를, 그 층 및 상기 가이드 패턴 상에 도포하여 탑코트 막을 형성하는 공정과, 상기 탑코트 막이 형성된 상기 Si 함유 블록 코폴리머를 포함하는 층을, 열 어닐에 의해 상 분리시키는 공정을 포함하고, 상기 탑코트 재료의 용제가 염기성 물질을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는, 상 분리 구조를 포함하는 구조체의 제조 방법.
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5.发明专利
公开(公告)号：KR20210024461A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020207035814A
申请日：2019-06-18
申请人： 닛산 가가쿠 가부시키가이샤
CPC分类号： C07D405/14 , C08G59/20 , C08G59/28 , C08G59/4064 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/26
摘要： 특히 고드라이에칭속도를 갖는 레지스트 하층막, 이 레지스트 하층막 형성 조성물, 레지스트패턴 형성방법 및 반도체장치의 제조방법을 제공한다. 하기 식(1):
로 표시되는 화합물과, 에폭시 부가체 형성 화합물과의 반응에 의해 얻어지는 에폭시 부가생성물 및 용제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물. 상기 에폭시 부가체 형성 화합물이, 카르본산함유 화합물, 카르본산무수물함유 화합물, 하이드록시기함유 화합물, 티올기함유 화합물, 아미노기함유 화합물 및 이미드기함유 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물이다.-
公开(公告)号：JP6436313B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015524037
申请日：2014-06-23
申请人： 日産化学株式会社
IPC分类号： G03F7/26 , C08G12/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0268 , C09D161/00 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/02271 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081
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公开(公告)号：JP6431427B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2015073718
申请日：2015-03-31
申请人： 東芝メモリ株式会社
发明人： 会田 真
IPC分类号： G03F7/09 , G03F7/40 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0337 , G03F7/0035 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/16 , H01L21/0271 , H01L21/266 , H01L21/31144
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公开(公告)号：JP6421757B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2015539041
申请日：2014-08-29
申请人： JSR株式会社
CPC分类号： C07C69/73 , C07C2601/10 , C07C2601/16 , C08F2/50 , C08F12/22 , C08F12/32 , C08F20/28 , C08F220/18 , C08F2220/281 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/382 , C08F2222/1013 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
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公开(公告)号：JP6421449B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2014099950
申请日：2014-05-13
申请人： JSR株式会社
IPC分类号： G03F7/039 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07D307/00 , C09K3/00 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C25/18 , C07C309/04 , C07C309/12 , C07C309/13 , C07C309/17 , C07C309/39 , C07C321/28 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C07D307/00 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/327 , G03F7/40
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公开(公告)号：JP2018173521A
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2017071098
申请日：2017-03-31
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/17 , C07C69/94 , C07C2603/18 , C07D251/32 , C07D487/04 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/281 , C08F2800/20 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要： 【課題】優れたアルカリ性過酸化水素水耐性、良好な埋め込み/平坦化特性、及びドライエッチング特性を有するレジスト下層膜材料、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法を提供する。 【解決手段】多層レジスト法に用いられるレジスト下層膜材料であって、(A1)下記一般式(X)で示される化合物の一種又は二種以上、及び(B)有機溶剤を含有するレジスト下層膜材料。 (式中、n 01 は1〜10の整数を示し、n 01 が2の場合、Wはスルフィニル基、スルホニル基、エーテル基、又は炭素数2〜50の2価の有機基を示し、n 01 が2以外の整数の場合、Wは炭素数2〜50のn 01 価の有機基を示す。また、Yは単結合又は炭素数1〜10の酸素原子を含んでもよい2価の連結基を示す。) 【選択図】なし
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