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公开(公告)号:KR20210038513A
公开(公告)日:2021-04-07
申请号:KR1020210040239A
申请日:2021-03-29
Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
IPC: H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/8234 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/7855 , H01L21/02271 , H01L21/28556 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L29/66795 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941
Abstract: 상이한 문턱 전압들을 갖는 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 제조 방법이 제공된다. 실시예에서, 개별 반도체 디바이스의 문턱 전압들은, 교체 게이트 공정에서 개별 게이트 스택들 각각 내에서 상이한 재료들의 제거 및 배치를 통하여 조정되고, 이로써 이 제거 및 배치는, 완전한 충전을 허용하는 데 충분히 큰 충전 재료를 위한 전체 공정 윈도우를 유지하는 것을 돕는다.