公开(公告)号：KR20210038513A

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020210040239A

申请日：2021-03-29

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 충-치앙 우 ,  신-한 차이 ,  웨이-친 리 ,  치아-칭 리 ,  훙-친 충 ,  쳉-룽 훙 ,  다-유안 리

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/66795 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941

Abstract: 상이한 문턱 전압들을 갖는 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 제조 방법이 제공된다. 실시예에서, 개별 반도체 디바이스의 문턱 전압들은, 교체 게이트 공정에서 개별 게이트 스택들 각각 내에서 상이한 재료들의 제거 및 배치를 통하여 조정되고, 이로써 이 제거 및 배치는, 완전한 충전을 허용하는 데 충분히 큰 충전 재료를 위한 전체 공정 윈도우를 유지하는 것을 돕는다.