公开(公告)号：KR20210038513A

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020210040239A

申请日：2021-03-29

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 충-치앙 우 ,  신-한 차이 ,  웨이-친 리 ,  치아-칭 리 ,  훙-친 충 ,  쳉-룽 훙 ,  다-유안 리

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/66795 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941

摘要： 상이한 문턱 전압들을 갖는 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 제조 방법이 제공된다. 실시예에서, 개별 반도체 디바이스의 문턱 전압들은, 교체 게이트 공정에서 개별 게이트 스택들 각각 내에서 상이한 재료들의 제거 및 배치를 통하여 조정되고, 이로써 이 제거 및 배치는, 완전한 충전을 허용하는 데 충분히 큰 충전 재료를 위한 전체 공정 윈도우를 유지하는 것을 돕는다.

公开(公告)号：JP2018152506A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048800

申请日：2017-03-14

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 五十嵐 覚 ,  加藤 伸二郎 ,  長谷川 尚 ,  秋野 勝 ,  井村 行宏

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02107 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512

摘要： 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜上にシリコン酸化膜が設けられていても、窒化チタンからなる反射防止膜の腐食が生じにくく、1回のフォトリソグラフィー工程によりパッド部を開口できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に設けられたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線膜6と、配線膜6上に設けられた窒化チタン膜7とからなる配線層5と、配線層5の上面5aおよび側面5bを覆う保護層9と、保護層9と窒化チタン膜7とを貫通し、配線膜6が露出されてなるパッド部8とを有し、保護層9が、第1シリコン窒化膜41と酸化膜3と第2シリコン窒化膜42とが配線層5側からこの順で積層されたものである半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018152505A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048799

申请日：2017-03-14

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 森田 健士 ,  加藤 伸二郎 ,  秋野 勝 ,  井村 行宏

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03011 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/3512

摘要： 【課題】窒化チタンからなる反射防止膜の上にシリコン酸化膜が設けられていても、反射防止膜を形成している窒化チタンの腐食が生じにくく、製造における工程数も少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】基板1と、基板1上に設けられた配線6と、配線6上に設けられた窒化チタン膜7と、窒化チタン膜7上に設けられた酸化膜3と、酸化膜3上に設けられたシリコン窒化膜4とを有し、シリコン窒化膜4に形成された第1開口部91と窒化チタン膜7に形成された第2開口部92とが平面視で重なる位置であって、酸化膜3に形成された第3開口部93の平面視内側の位置に、配線6が露出されてなるパッド部8が形成され、第3開口部93の平面視内側に配置された窒化チタン膜7上に接してシリコン窒化膜4が形成されている半導体装置10とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018517281A

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2017552118

申请日：2016-04-19

申请人： インテル アイピー コーポレーション

发明人： メイヤー、トーステン ,  ウォルター、アンドレアス

IPC分类号： H05K3/40 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/96 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

摘要： 半導体デバイスのために高アスペクト比を有する誘電体を通した導電性パスが説明される。1つの例において、複数の導電性接続パッドは、基板に形成された回路に接続すべく、半導体基板上に形成される。導電性材料から構成されるポストは、接続パッドのサブセットの各々の上に形成される。誘電体層は、接続パッドおよびポストの上を含む半導体基板の上に形成される。穴は、ポストの直上の誘電体層を除去することにより形成される。形成された穴は、導電性材料で充填され、コネクタは各々の充填された穴の上に形成される。

公开(公告)号：JP2017174971A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016059397

申请日：2016-03-24

申请人： シナプティクス・ジャパン合同会社

发明人： 大渕 篤 ,  米岡 卓 ,  加賀 博史

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L22/32 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/485 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/02251 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/03826 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13144 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/04941

摘要： 【課題】半導体回路の内部に至る導電性切片をダイシング端面から露出させてもガードリングによる防湿性能を劣化させない。 【解決手段】半導体基板の上方に、複数層配線構造の半導体回路と、半導体回路を囲むガードリングと、前記複数層配線構造の最上層配線に接続されて表面に露出した外部接続端子を有する半導体集積回路チップにおいて、所定の外部接端子(17_i)は、ガードリングの内側で導電性のビア(18)を介して所定の配線に導通され、ガードリングの外側で導電性のビア(19)を介して導電性切片(6)に導通される。導電性切片はテスト用引き出し配線の切片であって、ダイシングによってその切断面が露出されている。ガードリングを跨いだ外部接続端子の一方に導電性切片が接続され他方にガードリング内の最上層配線が接続されるから、ガードリングに途中で切り欠きを要しない。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017157666A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2016038876

申请日：2016-03-01

申请人： 新光電気工業株式会社

发明人： 古市 潤 ,  清水 規良

IPC分类号： H05K3/28 ,  H05K3/10 ,  H05K3/26 ,  H05K1/02 ,  H01L23/12 ,  H05K3/46

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/18161

摘要： 【課題】配線層と絶縁層との界面にクラックが発生することを抑制できる配線基板を提供する。 【解決手段】配線基板20は、ガラスクロス30G入りの絶縁性樹脂からなる絶縁層30と、絶縁層30の下面30Bに形成された凹部30Xと、凹部30Xを充填する上部と、絶縁層30の下面30Bよりも下方に突出する下部とを有する配線層31と、絶縁層30の上面30Aから露出された上端面32Aを有し、絶縁層30を厚さ方向に貫通して配線層31と接続されたビア配線32とを有する。配線基板20は、配線層31の下部の側面を被覆し、絶縁層30の下面30Bに形成されたソルダーレジスト層22と、絶縁層30の上面30Aに積層された配線構造23とを有する。ガラスクロス30Gは、絶縁層30の厚さ方向の中心C1よりも配線構造23側に偏在している。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6170967B2

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：JP2015122799

申请日：2015-06-18

申请人： ウルトラテック インク

发明人： ドーベンスペック、ティモニー、エイチ ,  サリバン、ティモニー、デー

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48824 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043

公开(公告)号：JPWO2015040784A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015537541

申请日：2014-08-18

申请人： パナソニックIpマネジメント株式会社

发明人： 裕一 樋口 ,  秀幸 新井

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/34 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/80 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08057 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05442

摘要： 半導体装置は、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第1積層体と、半導体基板の主面上に順次形成され、機能素子と、配線層と、接合電極を含む接続層とを有する第2積層体とを備えている。第1積層体と第2積層体とは、接合電極と接合電極とが互いに対向して直接接合することにより接合されており、第1積層体と第2積層体との接合界面の一部には、空間部が形成されている。

摘要翻译： 是顺序地形成在半导体衬底的主表面上的半导体装置，和功能元件，布线层，第一层压体，并且包括接合电极的连接层依次形成的半导体基板，功能的主表面上 它包括一个装置，布线层和具有包括接合电极连接层的第二层合体。 第一层压体和第二层压体通过接合电极与所述接合电极接合直接彼此相对接合，第一层压板和第二层压板之间的键合界面的部分 它形成的空隙部分。

公开(公告)号：JP2017045865A

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015167283

申请日：2015-08-26

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 関川 宏昭

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48463 ,  H01L23/293 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/35121

摘要： 【課題】半導体装置の信頼性を向上する。 【解決手段】第1ポリイミド膜と、第1ポリイミド膜上に形成された再配線(RDL1、RDL2A、RDL2B、RDL2C)と、第1ポリイミド膜上に形成されたダミーパターン(DP1、DP2)と、再配線(RDL1、RDL2A、RDL2B、RDL2C)およびダミーパターン(DP1、DP2)を覆う第2ポリイミド膜と、第2ポリイミド膜から再配線(RDL1、RDL2A、RDL2B、RDL2C)の一部分を露出する開口部とを備える。このとき、平面視において、ダミーパターン(DP1)は、隙間(SP1)を挟んで再配線(RDL1、RDL2A、RDL2B、RDL2C)を囲む閉じたパターンから構成されている。 【選択図】図9

摘要翻译： 本发明的一个目的是提高半导体器件的可靠性。 和第一聚酰亚胺薄膜，重新布线，其被所述第一聚酰亚胺层（RDL1，RDL2A，RDL2B，RDL2C）以及形成在第一聚酰亚胺层和（DP1，DP2）上虚设图案上形成的， 重新布线（RDL1，RDL2A，RDL2B，RDL2C）和覆盖所述虚设图案（DP1，DP2）的第二聚酰亚胺层，再路由开口暴露的部分所述第二聚酰亚胺膜（RDL1，RDL2A，RDL2B，RDL2C） 设置有门。 此时，在平面图中，虚设图案（DP1）穿过的间隙（SP1）（RDL1，RDL2A，RDL2B，RDL2C）和围绕所述封闭图案重新布线。 9系统技术领域

公开(公告)号：JP2016195263A

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：JP2016119070

申请日：2016-06-15

申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッド ,  QUALCOMM INCORPORATED

发明人： 林 茂雄 ,  周 健康 ,  陳 科宏

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05173 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05183 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45176 ,  H01L2224/45183 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L24/45 ,  H01L24/83 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351

摘要： 【課題】ストレスリリーフと接触窓構造の間隔距離の微小化を可能にする線路デバイス構造の製作過程及びその構造を提供する。 【解決手段】基板と、第一金属柱体68と、第二金属柱体と、を備え、第一金属柱体68は、基板上に位置し、第一金属柱体68の最大横寸法Hwを第一金属柱体68の高度Htで割ると4より小さく、かつ第一金属柱体68の高度が20μmから300μmの間であって、第二金属柱体は、基板上に位置し、第二金属柱体の最大横寸法を第二金属柱体の高度で割ると4より小さく、かつ第一金属柱体の中心点から第二金属柱体の中心点までの距離Hbが10μmから250μmの間である。 【選択図】図7a

摘要翻译： 要解决的问题：提供：制造能够实现应力消除和接触窗结构之间的细间隔距离的电路装置结构的过程; 和结构。解决方案：实施例包括基板，第一金属柱68和第二金属柱。 第一金属柱68位于基板上。 第一金属柱68的最大水平尺寸Hw除以第一金属柱68的高度Ht小于4，第一金属柱68的高度为20μm至300μm。 第二金属柱位于基板上。 第二金属柱的最大水平尺寸除以第二金属柱的高度小于4，第一金属柱的中心与第二金属柱的中心之间的距离Hb为10μm至250μm 选择图：图7a