公开(公告)号：KR102237464B1

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020190031849A

申请日：2019-03-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황준연 ,  정현수 ,  구본철 ,  홍승기 ,  유남호 ,  이동명

IPC: C01B32/16 ,  C01B32/184 ,  C01B32/198 ,  C01B32/205 ,  C01B32/318

CPC classification number: C01B32/16 ,  C01B32/184 ,  C01B32/198 ,  C01B32/205 ,  C01B32/318

Abstract: 본 발명은 질소가 도핑된 sp2 혼성 구조를 갖는 탄소 소재에 초강산을 접촉시켜, 상기 탄소 소재에 존재하는 그래파이트성 질소(graphitic nitrogen or quaternary nitrogen)를 유지시키면서 피리딘성 질소(pyridinic nitrogen) 및 피롤성 질소(pyrrolic nitrogen)를 환원시키는 단계를 포함하는, 피리딘성 질소 및 피롤성 질소의 함량이 제어된 탄소 소재의 제조방법과, 이에 의해 제조된 탄소 소재에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102225469B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020190073106A

申请日：2019-06-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 진정운 ,  유재상 ,  구본철 ,  유남호 ,  김영관

IPC: C01B32/198 ,  C07D295/13

CPC classification number: C01B32/198 ,  C07D295/13

Abstract: 산화그래핀 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물의 반응 생성물을 포함하는 기능화된 산화그래핀 및 그 제조방법이 제시된다.
[화학식 1]

화학식 1 중, R
1 은 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬렌기, 치환된 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴렌기, 치환된 또는 비치환된 C3 내지 C20의 헤테로아릴렌기, 또는 2가의 치환된 또는 비치환된 C5 내지 C20의 지방족 고리이고,
R
2 내지 R
4 는 서로에 관계없이 수소, 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬기, 치환된 또는 비치환된 C6 내지 C20의 아릴기, 치환된 또는 비치환된 C3C20의 헤테로아릴렌기, 치환된 또는 비치환된 C5 내지 C20의 지방족 고리, 할로겐 원자 또는 시아노기이다.