公开(公告)号：KR102236586B1

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020190066168A

申请日：2019-06-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이기영 ,  장준연 ,  민병철 ,  홍석민 ,  이억재 ,  이현정

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 자기 메모리 소자는, 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성되는 자성층; 상기 자성층 상에 형성되며 개방 격자 구조를 갖는 산화물층; 및 상기 산화물층 상에 형성되는 상부전극을 포함하며, 상기 상부전극은, 상기 상부전극과 상기 하부전극 간에 인가된 전압에 의해 상기 상부전극 주위의 수분을 분해하여 수소 이온을 발생시키고, 상기 발생한 수소 이온에 의해 상기 자성층의 자기 이방성이 제어된다.