公开(公告)号：KR102236586B1

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020190066168A

申请日：2019-06-04

申请人： 한국과학기술연구원

发明人： 이기영 ,  장준연 ,  민병철 ,  홍석민 ,  이억재 ,  이현정

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 본 발명의 실시예에 따른 자기 메모리 소자는, 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성되는 자성층; 상기 자성층 상에 형성되며 개방 격자 구조를 갖는 산화물층; 및 상기 산화물층 상에 형성되는 상부전극을 포함하며, 상기 상부전극은, 상기 상부전극과 상기 하부전극 간에 인가된 전압에 의해 상기 상부전극 주위의 수분을 분해하여 수소 이온을 발생시키고, 상기 발생한 수소 이온에 의해 상기 자성층의 자기 이방성이 제어된다.

公开(公告)号：KR20210033418A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020200114454A

申请日：2020-09-08

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 히로아키 치하야 ,  아인슈타인 노엘 아바라 ,  쇼타 이시바시

IPC分类号： H01L43/12 ,  C23C14/54 ,  G01N21/17 ,  G01N21/21 ,  G01N27/72 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L22/14 ,  C23C14/54 ,  C23C14/566 ,  G01N27/72 ,  G01R33/032 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01N2021/1727 ,  G01N2021/218

摘要： 성막한 자성막의 자화 특성의 측정을 실행할 수 있는 성막 시스템 및 그것에 이용되는 자화 특성 측정 장치 및 자화 특성 측정 방법을 제공한다.
기판 상에 자성막을 성막하는 처리 모듈과, 처리 모듈에서 성막된 자성막의 자화 특성을 측정하는 자화 특성 측정 장치와, 처리 모듈과 자화 특성 측정 장치 사이에서 기판을 반송하는 반송부를 구비한다. 자화 특성 측정 장치는, 기판에 자장을 인가하는 동시에 상기 기판에 인가하는 자장을 조정 가능한 영구 자석 자기 회로를 갖는 자장 인가 기구와, 상기 기판의 자화 특성을 검출하는 검출기를 구비한다.

公开(公告)号：KR20210033191A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020190114593A

申请日：2019-09-18

申请人： 한국과학기술원

发明人： 박병국 ,  류정춘 ,  강재민

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01F1/047 ,  H01F10/32 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 소자는, 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 정의된 배치 평면 내에서 면내 전류를 흘리는 비자성 중금속층; 상기 비자성 중금속층의 일면에 배치되고 면내 자화 방향을 가지는 수평 자화 강자성층; 수직 자기 이방성을 가지고 상기 비자성 중금속층의 타면에 배치되고 자화 반전을 수행하는 수직 자화 강자성층; 및 반강자성층을 포함한다. 상기 수평 자화 강자성층은 상기 반강자성층과 상기 비자성 중금속층 사이에 배치된다.

公开(公告)号：KR20210029696A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020200113391A

申请日：2020-09-04

申请人： 위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션 ,  위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션

发明人： 지아미앤 후 ,  민이 다이

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/1659

摘要： 작동하는 동안 면-내 자기장의 부재시에 수직 자화 스위칭을 겪는 SOT-MRAM 셀들 및 그 방법들이 제공된다. 스핀-궤도 토크 자기저항 랜덤-액세스 메모리 셀의 일 실시예는: 구조적으로 대칭인 원형 자기 터널 접합; 비-자성 물질을 포함하는 구조적으로 대칭인 스핀 전류 레이어; 스핀 전류 레이어와 전기적으로 통신하는 쓰기 라인; 및 자기 터널 접합과 전기적으로 통신하는 판독 라인;을 포함한다. 자기 터널 접합은: CoFeB, CoFe, 금속성 코발트 또는 금속성 철을 포함하고 수직 자기 이방성(perpendicular magnetic anisotropy)을 갖는 자유 레이어; 고정된 수직 자기 방향을 갖는 강자성 물질을 포함하는 핀된 레이어(pinned layer); 및 자유 레이어를 고정된 레이어로부터 분리하는 전기 절연 물질을 포함하는 장벽 레이어;를 포함한다. 스핀 전류 레이어는 계면에서 자기 터널 접합의 자유 자기 레이어와 접촉하고 있다.

公开(公告)号：KR102223665B1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：KR1020197027356A

申请日：2018-02-19

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 한빙 우 ,  아난타 케이. 수브라마니 ,  아쉬시 고엘 ,  샤오동 왕 ,  웨이 더블유. 왕 ,  롱준 왕 ,  치 홍 칭

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/35

CPC分类号： H01J37/3441 ,  H01J37/3423 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3447 ,  H01J61/10 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 멀티-캐소드 챔버를 이용하여 기판들을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치가 본 명세서에 개시된다. 멀티-캐소드 챔버는 복수의 홀들 및 복수의 션트들을 갖는 차폐부를 포함한다. 차폐부는 차폐부 위에 로케이팅된 복수의 캐소드들에 대해 홀들 및 션트들을 배향시키도록 회전가능하다. 션트들은 프로세싱 동안 간섭을 방지하기 위해 캐소드들로부터의 자석들과 상호작용한다. 차폐부는, 프로세싱 동안 다크 스페이스를 제공하기 위해 캐소드의 타겟과 홀 사이의 간격을 조정하도록 상승 및 하강될 수 있다.

公开(公告)号：JP2018195730A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2017098972

申请日：2017-05-18

申请人： TDK株式会社

发明人： 唐 振尭 ,  塩川 陽平 ,  佐々木 智生

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： 【課題】低電流で駆動できるスピン流磁化反転素子及び磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。 【解決手段】このスピン流磁化反転素子は、強磁性金属層と、前記強磁性金属層の積層方向に対して交差する第1の方向に延在し、前記強磁性金属層の一面に形成されたスピン軌道トルク配線と、前記スピン軌道トルク配線のいずれかの面の、前記積層方向からの平面視において前記強磁性金属層の外側に形成された強磁性電極層と、を備え、前記強磁性金属層の磁化の向きは、前記スピン軌道トルク配線におけるスピン軌道相互作用により生じるスピン軌道トルク、及び、前記強磁性電極層から拡散するスピンの影響、により可変である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018195660A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2017097018

申请日：2017-05-16

申请人： 株式会社東芝

发明人： 喜々津 哲 ,  岩崎 仁志 ,  黒崎 義成

IPC分类号： H05K9/00 ,  H01Q17/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/552 ,  G11B5/3932 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/3025

摘要： 【課題】電磁波の減衰特性を向上可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体素子と、第1部材と、を含む。前記第1部材は、第1方向において前記半導体素子から離れた第1非磁性面状領域と、前記第1方向において前記第1非磁性面状領域と前記半導体素子との間に設けられた第1磁性面状領域と、前記第1方向において前記第1磁性面状領域と前記半導体素子との間に設けられた第2非磁性面状領域と、を含む。前記第1磁性面状領域は、前記第1方向と交差する第2方向に沿って延びる第1端部を含む。前記第1磁性面状領域の第1磁化方向は、前記第2方向に対して傾斜する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6426330B1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2018545671

申请日：2018-01-26

申请人： TDK株式会社

发明人： 塩川 陽平 ,  佐々木 智生

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： 本発明のスピン流磁化回転素子は、第1強磁性金属層と、スピン軌道トルク配線と、を備え、前記スピン軌道トルク配線は、スピン伝導層と界面スピン生成層が交互に積層された構造であり、前記界面スピン生成層の数は2層以上であり、前記スピン軌道トルク配線において、前記界面スピン生成層のうち一つが前記第1強磁性金属層に最近接する。

公开(公告)号：JP2018182256A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017084537

申请日：2017-04-21

申请人： TDK株式会社

发明人： 塩川 陽平 ,  佐々木 智生

IPC分类号： H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L29/82

CPC分类号： G11C11/161 ,  G01R33/098 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 【課題】磁化回転又は磁化反転の電流密度を低減可能なスピン流磁化回転素子を提供することである。 【解決手段】本発明のスピン流磁化回転素子10は、磁化の向きが可変な第1強磁性金属層1と、第1強磁性金属層1の面直方向である第1方向に対して交差する第2方向に延在し、第1強磁性金属層1に接合するスピン軌道トルク配線2と、を備え、第1強磁性金属層1が、複数の強磁性構成層1Aa、1Ab、1Acと、隣接する強磁性構成層間に挟まれた複数の非磁性構成層1Ba、1Bbとからなる積層構造で構成されており、前記複数の強磁性構成層のうち少なくとも一つの強磁性構成層が他の強磁性構成層と異なる膜厚を有するか、及び/又は、及び複数の非磁性構成層1Ba、1Bbのうち少なくとも一つの非磁性構成層1Baが他の非磁性構成層1Bbと異なる膜厚を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6419825B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2016538352

申请日：2015-07-28

申请人： 国立研究開発法人物質・材料研究機構

发明人： 古林 孝夫 ,  高橋 有紀子 ,  宝野 和博 ,  ドゥ イェ

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3906 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/39 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10