公开(公告)号：KR102238755B1

公开(公告)日：2021-04-12

申请号：KR1020170086652A

申请日：2017-07-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노태문 ,  구진근 ,  김상기 ,  임병원 ,  박건식 ,  박종문 ,  유성욱

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 전력 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 이온주입 영역 및 이온주입 영역의 적어도 일부를 둘러싸는 가드링 영역을 형성하는 것, 기판 상에 이온주입 영역 및 가드링 영역을 덮는 제1 절연막을 형성하는 것, 제1 절연막을 열처리하는 것 및 제1 절연막 상에 제1 절연막 보다 두꺼운 제2 절연막을 형성하는 것을 포함하되, 기판은 실리콘 카바이드를 포함하고, 열처리는 질소(N) 원소를 포함하는 가스를 이용하여 수행되는 전력 반도체 소자의 제조방법이 제공된다.