公开(公告)号：KR102227282B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020150113293A

申请日：2015-08-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오수환 ,  김민수

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01S3/00 ,  H01S3/063

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01S5/1014 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/14 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01S3/005 ,  H01S3/063 ,  H01S5/1064 ,  H01L33/24 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18 ,  H01S5/026 ,  H01S5/101 ,  H01S5/141 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2222 ,  H01S5/227

Abstract: 본 발명의 일 실시 예에 따르는 발광소자 및 발광소자 제작방법은 발광소자에 PBH(Planar Buried Heterostructure) 구조와 리지 도파로(Ridge Waveguide) 구조를 접목함으로써, 저전류에서 100mW이상의 고출력으로 동작함과 동시에 전기 광학적 손실을 줄일 수 있는 발광소자를 제공할 수 있다. 또한, 이러한 발광소자를 파장 가변 외부 공진 레이저에 적용함으로써, 출력 특성이 우수한 외부 공진 레이저를 제공할 수 있다.