公开(公告)号：KR102229386B1

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020140191015A

申请日：2014-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이석호 ,  변경진 ,  엄낙웅

IPC: H04N19/147 ,  H04N19/124 ,  H04N19/13 ,  H04N19/146 ,  H04N19/176 ,  H04N19/182

CPC classification number: H04N19/147 ,  H04N19/124 ,  H04N19/13 ,  H04N19/146 ,  H04N19/176 ,  H04N19/182

Abstract: 영상 부호화 장치는 프로그램에 따라 영상을 부호화하는 프로세서 및 프로그램을 저장하는 메모리를 포함하되, 프로그램은, 영상의 잔차 신호(Residual)에 대해 이산 코사인 변환 및 양자화를 각 부호화 블록별로 적용하고, 대상 블록에 해당하는 양자화 계수 중 절대값이 제1 임계값 이상인 양자화 계수의 수가 제2 임계값 초과이고, 상기 대상 블록의 양자화 계수 거리가 제3 임계값을 초과하는 경우, 부호화 블록의 왜곡 에러 및 비트율을 0으로 설정하고, 왜곡 에러 및 비트율에 따라 부호화를 수행하도록 구성된다.

公开(公告)号：KR102237995B1

公开(公告)日：2021-04-12

申请号：KR1020180058440A

申请日：2018-05-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강태욱 ,  이재진 ,  오광일 ,  김성은 ,  이석호 ,  한규승

IPC: H03K17/14 ,  G05F3/24

CPC classification number: H03K17/145 ,  G05F3/245

Abstract: 본 발명은 CMOS 회로를 포함하는 반도체 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 반도체 회로, 컨트롤러, 및 전압 생성기를 포함한다. 반도체 회로는 온도의 증가에 따라 입력과 출력 사이의 지연 시간이 감소하기 위한 구동 전압으로 동작한다. 컨트롤러는 온도의 변화에 따른 PMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 및 NMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 사이의 차이에 기초하여, CMOS 회로의 오동작을 판단한다. 전압 생성기는 컨트롤러의 오동작 판단에 기초하여, PMOS 트랜지스터 또는 NMOS 트랜지스터에 인가되는 바디-바이어스 전압을 생성 또는 조절한다. 본 발명에 따르면, 저전압으로 동작하는 CMOS 회로에서 발생되는 오동작 및 성능 열화가 감소될 수 있다.