KR102237995B1 - Semiconductor device including cmos circuit and operating method of the same

    公开(公告)号:KR102237995B1

    公开(公告)日:2021-04-12

    申请号:KR1020180058440A

    申请日:2018-05-23

    CPC classification number: H03K17/145 G05F3/245

    Abstract: 본 발명은 CMOS 회로를 포함하는 반도체 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는 반도체 회로, 컨트롤러, 및 전압 생성기를 포함한다. 반도체 회로는 온도의 증가에 따라 입력과 출력 사이의 지연 시간이 감소하기 위한 구동 전압으로 동작한다. 컨트롤러는 온도의 변화에 따른 PMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 및 NMOS 트랜지스터의 소스-드레인 전류 사이의 차이에 기초하여, CMOS 회로의 오동작을 판단한다. 전압 생성기는 컨트롤러의 오동작 판단에 기초하여, PMOS 트랜지스터 또는 NMOS 트랜지스터에 인가되는 바디-바이어스 전압을 생성 또는 조절한다. 본 발명에 따르면, 저전압으로 동작하는 CMOS 회로에서 발생되는 오동작 및 성능 열화가 감소될 수 있다.

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