公开(公告)号：KR102225487B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020140190604A

申请日：2014-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022491 ,  H01L31/022466

Abstract: 본 발명은 저방사 투명 전극 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로, 상기 투명 전극은 기판 상에 순차적으로 적층된 제1 유전막 및 다층 금속막을 포함하되, 상기 다층 금속막은 주 금속막 및 다리 금속막을 포함하고, 상기 주 금속막은 평평하지 않은 표면을 갖고, 상기 다리 금속막은 상기 주 금속막의 상기 평평하지 않은 표면을 덮으며, 상기 다층 금속막의 면저항은 상기 주 금속막의 면 저항보다 더 작다.

公开(公告)号：KR20210028064A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200049565A

申请日：2020-04-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  윤선진

IPC: H01L49/00 ,  H01L27/24 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L49/003 ,  H01L27/2418 ,  H01L29/792

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 메모리 소자는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상의 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 서로 이격되어 배치된 제1 도전 패턴 및 제2 도전 패턴, 상기 제1 절연막 상에 배치되며, 상기 제1 도전 패턴 및 상기 제2 도전 패턴을 연결하는 채널 패턴, 상기 채널 패턴과 상기 제1 절연막의 사이에 배치되며, 상기 제1 절연막에 비해 높은 수소 원자 함량비(atomic %)를 갖는 계면층을 포함할 수 있다.